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公开(公告)号：KR20180065004A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：KR20170166912
申请日：2017-12-06
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3299 , G01J3/443 , G01N21/73 , H01J37/32183 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01J37/32981 , H01J2237/24507 , H01J2237/24585 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/26
Abstract: 플라즈마에칭을위한방법및 시스템이제공된다. 상기방법은제 1 세트의플라즈마에칭처리파라미터를측정하는단계; 에칭속도를결정하는단계; 결정된에칭속도가미리결정된에칭속도차이문턱값이상으로표준에칭속도와상이한경우에플라즈마에칭처리챔버하드웨어구성을변경하는단계; 그후에, 결정된에칭속도가미리결정된에칭속도차이문턱값미만으로표준에칭속도와상이할때까지상기결정하는단계와변경하는단계를반복하는단계를포함한다. 상기방법은에칭된피처의임계치수를측정하는단계, 및측정된임계치수가미리결정된임께치수차이문턱값이상으로표준임계치수와상이한경우에에칭처리파라미터를변경하는단계, 그후에측정된임계치수가미리결정된임계치수차이문턱값미만으로표준임계치수와상이할때까지상기결정하는단계및 상기변경하는단계를반복하는단계를더 포함한다.
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公开(公告)号：KR101647857B1
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：KR1020117004110
申请日：2009-09-08
Applicant: 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
CPC classification number: G01N21/645 , G01J3/02 , G01J3/0262 , G01J3/0267 , G01J3/0291 , G01J3/4406 , G01J3/443 , G01N2201/0632 , G01N2201/065
Abstract: 시료(S)가내부에배치되는적분구(20)와, 시료(S)로부터의피측정광을분광하여파장스펙트럼을취득하는분광분석장치(30)와, 데이터해석장치(50)를구비하여분광측정장치(1A)를구성한다. 해석장치(50)는파장스펙트럼에서여기광에대응하는제1 대상영역및 시료(S)로부터의발광에대응하는제2 대상영역을설정하는대상영역설정부와, 시료(S)의발광양자수율을구하는시료정보해석부를가지며, 레퍼런스측정및 샘플측정의결과로부터발광양자수율의측정값Φ를구함과아울러, 레퍼런스측정에서의미광에관한계수β, γ를이용하여, Φ = βΦ+γ에의해서미광의영향을저감한발광양자수율의해석값Φ를구한다. 이것에의해, 분광기내에서발생하는미광의영향을저감하는것이가능한분광측정장치, 측정방법및 측정프로그램이실현된다.
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公开(公告)号：KR101629253B1
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：KR1020107021829
申请日：2009-04-03
Applicant: 램 리써치 코포레이션
Inventor： 베누고팔비자야쿠마르씨 , 페이프에릭 , 부스진-폴
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065
CPC classification number: G01N21/274 , G01J3/02 , G01J3/0205 , G01J3/0218 , G01J3/0294 , G01J3/443 , G01N21/68
Abstract: 플라즈마챔버내의정규화된광방출스펙트럼을정량적으로측정하도록플라즈마방출의인시츄광학적검사를위한장치가제공된다. 상기장치는플래시램프및 일세트의석영창들을포함한다. 또한, 상기장치는상기세트의석영창들에광학적으로결합된복수의시준 (視準) 된광학조립체들을포함한다. 또한, 상기장치는적어도조사광섬유번들, 집광광섬유번들, 및기준광섬유번들을포함하는복수의광섬유번들들을포함한다. 게다가, 상기장치는적어도신호채널과기준채널에의해구성되는다중채널분광계를포함한다. 상기신호채널은적어도상기플래시램프, 상기세트의석영창들, 상기세트의시준된광학조립체들, 상기조사광섬유번들, 및상기집광광섬유번들에광학적으로결합되어제 1 신호를측정한다.
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公开(公告)号：KR101461120B1
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：KR1020130052152
申请日：2013-05-08
Applicant: 광주과학기술원
IPC: G01N21/71
CPC classification number: G01N21/718 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , G01J3/443 , G01N21/63 , H01J37/32935
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS 박막의 정량분석 방법은, 성분 조성이 다른 복수의 CIGS 박막에 레이저를 조사하여 분광선을 얻는 단계, 상기 분석 대상 원소의 분광선들 중 제1 분광선과 제2 분광선을 선택하고 상기 제1 분광선의 측정된 강도와 상기 제2 분광선의 측정된 강도의 상관 관계 플롯을 얻는 단계, 상기 상관 관계 플롯을 곡선 근사한 결과를 이용하여 상기 제1 분광선의 측정된 강도와 상기 제2 분광선의 측정된 강도를 보정하는 단계, 상기 제1 분광선의 보정된 강도와 상기 제2 분광선의 보정된 강도를 이용하여 선형 검량 곡선을 얻는 단계, 및 분석 대상인 시료를 LIBS 분석하여 상기 선형 검량 곡선과 대비하는 단계를 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明的一个实施方案涉及一种CIGS薄膜的定量分析方法，其包括：通过将激光辐射到具有彼此不同元素组成的多个CIGS薄膜而获得光谱线的步骤; 在要分析的元素的谱线中选择第一谱线和第二谱线的步骤，以及获得第一谱线的测量强度和第二谱线的测量强度的相关图; 使用相关图的曲线近似结果补偿第一光谱线的测量强度和第二光谱线的测量强度的步骤; 使用第一光谱线的补偿强度和第二光谱线的补偿强度来获得线性校准曲线的步骤; 以及对待分析样品进行LIBS分析的步骤，并将分析结果与线性校准曲线进行比较。
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公开(公告)号：KR1020140076755A
公开(公告)日：2014-06-23
申请号：KR1020120145150
申请日：2012-12-13
Applicant: 광주과학기술원
CPC classification number: G01N21/718 , G01J3/28 , G01J3/443
Abstract: The present invention relates to a quantitative analysis method for an element to be measured inside a sample using a laser plasma spectrum and, more specifically, to a method to analyze the composition ratio of an element to be measured by calculating a peak intensity when peaks are overlapped with each other in a spectrum. In addition, the present invention relates to a method to select a wavelength with the highest accuracy and reproducibility through a linear correlation plot for a peak intensity and a value resulted from dividing the standard deviation of the calibration-curve data (peak intensity ratio) by a gradient when applying an internal standard method during quantitative analysis on the element to be measured.
Abstract translation: 本发明涉及使用激光等离子体光谱的样品内部待测量的元素的定量分析方法，更具体地，涉及通过计算峰值时的峰值强度来分析待测元素的组成比的方法 在频谱中彼此重叠。 此外，本发明涉及一种通过线性相关图选择具有最高精度和重现性的波长的方法，峰值强度和将校准曲线数据的标准偏差（峰强度比）除以 在定量分析时对待测元素应用内标法的梯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130093519A
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：KR1020127031367
申请日：2011-06-03
Applicant: 헴로크 세미컨덕터 오퍼레이션즈 엘엘씨
Inventor： 크레스조우스키,더그 , 하드,존,더블유.
CPC classification number: G01N21/9505 , G01J3/443 , G01N21/6489 , G01N21/94 , G01N21/9501 , G01N21/9503
Abstract: 반도체 샘플 내의 불순물을 식별하고 정량화하기 위한 광발광 분광 시스템 및 방법이 제공된다. 일부 실시 형태에서, 이 시스템 및 방법은 디포커싱된 시준 레이저 빔이 제1 샘플 표면을 조사하는 것, 및 제1 표면과 실질적으로 직교인 제2 표면과의 교차점에서의 샘플 에지로부터의 광발광을 집광 렌즈에 의해 집광하는 것을 포함하며, 여기서 제1 샘플 표면은 집광 렌즈에 평행인 위치에 대해 약 0° 내지 90°로 배향된다.
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公开(公告)号：KR101134330B1
公开(公告)日：2012-04-09
申请号：KR1020067008342
申请日：2004-10-20
Applicant: 램 리써치 코포레이션
Inventor： 맥밀린브라이언케이 , 다사파프랑수와찬드라세카
CPC classification number: G01N21/68 , G01J3/02 , G01J3/0229 , G01J3/443 , H01J37/32963
Abstract: 대략 말하면, 본 발명은 플라즈마 광 방출을 모니터링하기 위해 제공된다. 보다 상세하게는, 본 발명은, 거짓 종점 호출을 야기할 수 있는 간섭 없이 플라즈마 에칭 프로세스의 종점을 검출하기 위해서 가변 개구를 통해 플라즈마 광 방출을 모니터링하는 방법을 제공한다. 이 방법은, 가동 부재에 의해 정의된 개구를 통해 플라즈마로부터의 광 방출 데이터를 수집하는 단계를 포함한다. 이 가동 부재는 개구의 구성을 변화시킬 수 있다. 또한, 이 방법은, 특정 시간에 이 가동 부재를 유지하여, 개구로 하여금 고정된 구성을 유지하도록 하는 단계를 포함한다. 이 방법은, 가동 부재를 유지하는 동안에 플라즈마 광 방출에서의 특정 섭동을 검출하는 단계를 더 포함한다.
플라즈마 광 방출 모니터링 방법, 플라즈마 에칭 프로세스의 종점 검출 방법-
公开(公告)号：KR1020110103723A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：KR1020100022927
申请日：2010-03-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065
CPC classification number: G01J3/443 , H01J37/32834 , H01J37/32935 , H01J37/32972
Abstract: 공정 모니터링 장치와, 이를 이용한 공정 모니터링 방법이 제공된다. 공정 모니터링 장치는 유전체 장벽 방전(DBD) 방식을 이용하여 챔버의 배기 가스로부터 플라즈마를 발생하고, 플라즈마 방출 광의 분광 스펙트럼을 분석하여 챔버 내에서 진행되는 반도체 제조 공정을 모니터링한다.
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公开(公告)号：KR1020110102866A
公开(公告)日：2011-09-19
申请号：KR1020117004110
申请日：2009-09-08
Applicant: 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
CPC classification number: G01N21/645 , G01J3/02 , G01J3/0262 , G01J3/0267 , G01J3/0291 , G01J3/4406 , G01J3/443 , G01N2201/0632 , G01N2201/065 , G01N21/63
Abstract: 시료(S)가 내부에 배치되는 적분구(20)와, 시료(S)로부터의 피측정광을 분광 하여 파장 스펙트럼을 취득하는 분광분석장치(30)와, 데이터 해석장치(50)를 구비하여 분광측정장치(1A)를 구성한다. 해석장치(50)는 파장 스펙트럼에서 여기광에 대응하는 제1 대상영역 및 시료(S)로부터의 발광에 대응하는 제2 대상영역을 설정하는 대상영역 설정부와, 시료(S)의 발광양자수율을 구하는 시료정보 해석부를 가지며, 레퍼런스 측정 및 샘플 측정의 결과로부터 발광양자수율의 측정값 Φ
0 를 구함과 아울러, 레퍼런스 측정에서의 미광에 관한 계수 β, γ를 이용하여, Φ = βΦ
0 +γ에 의해서 미광의 영향을 저감한 발광양자수율의 해석값 Φ를 구한다. 이것에 의해, 분광기 내에서 발생하는 미광의 영향을 저감하는 것이 가능한 분광측정장치, 측정방법 및 측정 프로그램이 실현된다.-
公开(公告)号：KR100881154B1
公开(公告)日：2009-02-02
申请号：KR1020037005731
申请日：2001-10-26
Applicant: 레이도스, 인크.
IPC: H05B33/00
CPC classification number: H01J11/18 , G01J1/4257 , G01J3/443 , G09G3/288 , G09G2300/0426 , G09G2300/0439 , G09G2300/08 , H01J17/49 , H01J61/30 , H01J61/305
Abstract: 본 발명은 소켓(30)에 적어도 두 기판(10, 20) 사이에 개재된 복수개의 마이크로소자를 갖는 향상된 발광패널을 제공한다. 각 마이크로소자는, 충분한 전압이 적어도 두개의 전극을 통해 마이크로소자를 가로질러 제공될 경우 이온화될 수 있는 기스 또는 가스혼합물을 포함한다.
발광패널, 소켓, 마이크로소자, 공동, 소켓형성방법
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