公开(公告)号：WO2008140676A2

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：PCT/US2008/005487

申请日：2008-04-28

Applicant: CORNING INCORPORATED ,  BOOKBINDER, Dana C ,  FIACCO, Richard M ,  HRDINA, Kenneth

Inventor： BOOKBINDER, Dana C ,  FIACCO, Richard M ,  HRDINA, Kenneth

IPC: C03C3/06 ,  C03B19/14

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/21 ,  C03B2201/22 ,  C03B2201/23 ,  C03B2201/31 ,  C03C2201/22 ,  C03C2201/23 ,  C03C2203/54

Abstract: A fused silica glass and a fused silica article having a combined concentration of at least one of OH and OD of up to about 50 ppm. The fused silica glass is formed by drying a fused silica soot blank or preform in an inert atmosphere containing a drying agent, followed by removal of residual drying agent from the dried soot blank by heating the dried soot blank in an atmosphere comprising an inert gas and of oxygen.

Abstract translation: 熔融石英玻璃和熔融二氧化硅制品，其具有高达约50ppm的OH和OD中的至少一种的组合浓度。 熔融二氧化硅玻璃通过在含有干燥剂的惰性气氛中干燥熔融二氧化硅烟灰坯料或预型体而形成，然后通过在包含惰性气体的气氛中加热干燥的烟灰坯料从干燥的烟灰坯中除去残留的干燥剂， 的氧气。

公开(公告)号：WO2008069194A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：PCT/JP2007/073387

申请日：2007-12-04

Applicant: 信越石英株式会社 ,  佐藤 龍弘 ,  吉田 宜正 ,  折笠 勝英 ,  田中 信

Inventor： 佐藤 龍弘 ,  吉田 宜正 ,  折笠 勝英 ,  田中 信

IPC: C03B20/00 ,  C03B8/04 ,  C03C11/00

CPC classification number: C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/23 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/80 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/249969

Abstract: 　簡易な方法で、高純度で火炎加工可能であり、大型サイズも製造可能な合成不透明石英ガラスの製造方法及び合成不透明石英ガラスを提供する。 　石英ガラス多孔質体を、０．１５ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下の圧力下、１２００°C以上２０００°C以下の温度にて、加熱焼成する工程を含むようにした合成不透明石英ガラスの製造方法である。前記石英ガラス多孔質体が、珪素化合物を酸水素火炎で加水分解して生成した石英ガラス微粒子を堆積させて作製されたものである。

Abstract translation: 本发明提供了简单且容易地生产包括大型可熔融加工的合成不透明石英玻璃的方法; 和合成不透明石英玻璃。 本发明涉及一种生产合成不透明石英玻璃的方法，该方法包括在1200至2000℃的温度下在0.15至1000MPa的压力下加热和焙烧多孔石英玻璃的步骤。 多孔石英玻璃是通过聚集通过硅氢化合物与氢氧焰的水解形成的石英玻璃微粒而制备的。

公开(公告)号：WO2006074083A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：PCT/US2005/047452

申请日：2005-12-29

Applicant: CORNING INCORPORATED ,  ALLAN, Douglas, C. ,  BOOKBINDER, Dana, C. ,  NEUKIRCH, Ulrich ,  SMITH, Charlene, M.

Inventor： ALLAN, Douglas, C. ,  BOOKBINDER, Dana, C. ,  NEUKIRCH, Ulrich ,  SMITH, Charlene, M.

IPC: C03C3/06 ,  C03C4/00 ,  C03B19/14

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/21 ,  C03B2201/23 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2203/54

Abstract: Disclosed are synthetic silica glass having a low polarization-induced birefringence, process for making the glass and lithography system comprising optical element made of the glass. The silica glass has a polarization-induced birefringence measured at 633 nm of less than about 0.1 nm/cm when subjected to excimer laser pulses at about 193 nm having a fluence of about 40 µJ•cm-2•pulse-1 and a pulse length of about 25 ns for 5 x 109 pulses.

Abstract translation: 公开了具有低偏振诱发双折射的合成石英玻璃，用于制造玻璃的方法和包含由玻璃制成的光学元件的光刻系统。 当经受约193nm的准分子激光脉冲时，石英玻璃在633nm处测量的偏振诱发双折射小于约0.1nm / cm，脉冲约为40μJcm -2脉冲-1，脉冲长度约为 5 x 109脉冲为25 ns。

公开(公告)号：WO2003084889A1

公开(公告)日：2003-10-16

申请号：PCT/JP2003/004267

申请日：2003-04-03

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  横川 知行 ,  梁田 英二 ,  平野 正晃

Inventor： 横川 知行 ,  梁田 英二 ,  平野 正晃

IPC: C03B37/012

CPC classification number: G02B6/03694 ,  C03B37/01211 ,  C03B37/01892 ,  C03B2201/03 ,  C03B2201/07 ,  C03B2203/22 ,  C03B2203/36 ,  G02B6/02261 ,  G02B6/02271 ,  G02B6/0228 ,  G02B6/03644 ,  G02B6/03666

Abstract: 本発明の課題は、OH基がコア部の近傍に侵入することを防止して伝送損失の増加を抑制することのできる光ファイバの製造方法及び光ファイバを提供することである。本発明の光ファイバの製造方法は、出発材としての出発パイプ14の内面にリング部15を内付けしてガラスパイプ16を形成し、中心コア部11及びディプレスト部12となるべきガラスロッド13をガラスパイプ16の内側に挿入し、ガラスパイプ16とガラスロッド13とをコラップスにより一体化してガラス体17を形成した後、ガラス体17の外側にジャケット部18を設けてプリフォーム10aを形成し、プリフオーム10aを線引きして光ファイバ10を製造する光ファイバの製造方法であって、出発パイプ14の肉厚14aを、4mm～8mmに設定する。

Abstract translation: 光纤制造方法和光纤。 通过防止OH基进入芯部附近，防止了传输损失的增加。 一种光纤制造方法，其特征在于，在作为起始部件的起动管（14）的内表面安装环状部（15），形成玻璃管（16），将玻璃棒（13）插入 将中心芯（11）和凹陷部分（12）分别插入玻璃管（16）中，通过塌缩将玻璃管（16）和玻璃棒（13）整合，以形成玻璃体（17），从而提供 在玻璃体（17）外部的护套部分（18），以形成预成型件（10a），并且绘制（10a）制造光纤（10）。 起动管（14）的壁厚（14a）设定为4〜8mm。

公开(公告)号：WO2003002473A1

公开(公告)日：2003-01-09

申请号：PCT/JP2002/006504

申请日：2002-06-27

Applicant: 株式会社渡邊商行 ,  旭電化工業株式会社 ,  楠原 昌樹 ,  渡部 弘行 ,  上原 啓史 ,  三瓶 桂子 ,  栗田 有康 ,  多田 修一 ,  尾見 仁一 ,  高橋 真木雄 ,  森田 博

Inventor： 楠原 昌樹 ,  渡部 弘行 ,  上原 啓史 ,  三瓶 桂子 ,  栗田 有康 ,  多田 修一 ,  尾見 仁一 ,  高橋 真木雄 ,  森田 博

IPC: C03C3/06

CPC classification number: C03B19/1065 ,  C03B2201/03 ,  C03B2201/04 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/23 ,  C03C1/026 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/02

Abstract: High purity synthetic vitreous silica particles, characterized in that it is derived from an alkali metal silicate and has a total metal impurity content of 1 μg/g or less, and in particular has an oxygen deficient defect. The melt of the high purity synthetic vitreous silica particles exhibits a high viscosity similar to that of the melt of natural quartz, and the above synthetic vitreous silica has a high purity similar to that of a conventional synthetic quartz and can be produced at a reduced cost.

Abstract translation: 高纯度合成玻璃状二氧化硅粒子，其特征在于，其来自碱金属硅酸盐，总金属杂质含量为1μg/ g以下，特别是缺氧缺陷。 高纯度合成玻璃状二氧化硅粒子的熔体显示与天然石英熔体相似的高粘度，上述合成玻璃状二氧化硅具有与常规合成石英相似的高纯度，可以降低成本 。

公开(公告)号：WO2002090258A2

公开(公告)日：2002-11-14

申请号：PCT/US2002/010945

申请日：2002-04-04

Applicant: CORNING INCORPORATED

Inventor： TENNENT, David, L. ,  WHALEN, Joseph, M.

IPC: C01B33/18

CPC classification number: C03B37/01413 ,  C03B19/106 ,  C03B19/1415 ,  C03B2201/06 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/20 ,  C03B2207/30 ,  C03B2207/38

Abstract: A method for making silica includes delivering a silica precursor comprising a perfluorinated group to a conversion site and passing the silica precursor through a conversion flame to produce silica soot.

Abstract translation: 制备二氧化硅的方法包括将包含全氟化基团的二氧化硅前体输送到转化位点并使二氧化硅前体通过转化火焰以产生二氧化硅烟灰。

公开(公告)号：WO2002068350A1

公开(公告)日：2002-09-06

申请号：PCT/US2002/005237

申请日：2002-02-11

Applicant: CORNING INCORPORATED

Inventor： MOORE, Lisa A ,  SMITH, Charlene M

IPC: C03B32/00

CPC classification number: G03F7/70216 ,  C03B19/1407 ,  C03B19/1415 ,  C03B19/1423 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/21 ,  C03B2207/30 ,  C03B2207/32 ,  C03B2207/36 ,  C03B2207/38 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/20 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/30 ,  C03C2201/32 ,  C03C2203/54 ,  G03F1/60 ,  G03F7/70958

Abstract: High purity silicon oxyfluoride glass suitable for use as a photomask substrates for photolithography applications in the VUV wavelength region below 190 nm is disclosed. The doped glass (20) is made by providing an O 2 doping atmosphere (26) to a silicon oxyfluoride glass (22) in a doping vessel (28). The inventive silicon oxyfluoride glass is transmissive at wavelengths around 157 nm, making it particularly useful as a photomask substrate at the 157 nm wavelength region. The inventive photomask substrate is a "dry," silicon oxyfluoride glass which contains doped O 2 molecules and which exhibits very high transmittance and laser transmission durability in the vacuum ultraviolet (VUV) wavelength region. In addition to containing fluorine and having little or no OH content, the inventive silicon oxyfluoride glass contains intersticial O 2 molecules which provide improved endurance to laser exposure. Preferably the O 2 doped silicon oxyfluoride glass is characterized by having less than 1x10 17 molecules/cm3 of molecular hydrogen and low chlorine levels.

Abstract translation: 公开了适用于在低于190nm的VUV波长区域中用于光刻应用的光掩模基板的高纯度氟氧化硅玻璃。 掺杂玻璃（20）通过在掺杂容器（28）中向氟氧化硅玻璃（22）提供O 2>掺杂气氛（26）制成。 本发明的氟氧化硅玻璃在157nm波长下是透射的，使其特别适用于157nm波长区域的光掩模衬底。 本发明的光掩模衬底是含有掺杂的O 2>分子的“干式”氟氧化硅玻璃，并且在真空紫外（VUV）波长区域中表现出非常高的透射率和激光透射耐久性。 除了含氟并且具有很少或不含OH含量之外，本发明的氟氧化硅玻璃含有间隔的O> 2 <分子，这提供了对激光曝光的改善的耐久性。 优选地，O 2>掺杂的氟氧化硅玻璃的特征在于具有小于1×10 17分子/ cm 3的分子氢和低氯水平。

公开(公告)号：WO02021217A1

公开(公告)日：2002-03-14

申请号：PCT/US2001/023257

申请日：2001-07-24

IPC: C03B19/14 ,  C03C3/06 ,  C03C4/00 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03F9/00 ,  C03B37/027 ,  C03C3/112 ,  C03C15/00

CPC classification number: G03F7/70216 ,  C03B19/1407 ,  C03B19/1415 ,  C03B19/1423 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/21 ,  C03B2207/06 ,  C03B2207/08 ,  C03B2207/14 ,  C03B2207/30 ,  C03B2207/32 ,  C03B2207/38 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/20 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/30 ,  C03C2201/32 ,  C03C2203/54 ,  G03F1/60 ,  G03F7/70958 ,  Y02P40/57

Abstract: High purity direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass suitable for use as a photomask substrates for photolithography applications in the VUV wavelength region below 190 nm is disclosed. The inventive direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass is transmissive at wavelengths around 157 nm, making it particularly useful as a photomask substrate at the 157 nm wavelength region. The inventive photomask substrate is a dry direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass which exhibits very high transmittance in the vacuum ultraviolet (VUV) wavelength region while maintaining the excellent thermal and physical properties generally associated with high purity fused silica. In addition to containing fluorine and having little or no OH content, the inventive direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass suitable for use as a photomask substrate at 157 nm is also characterized by having less than 1x10 molecules/cm of molecular hydrogen and low chlorine levels.

Abstract translation: 公开了适用于在190nm以下的VUV波长区域中用于光刻应用的光掩模基板的高纯度直接沉积玻璃化硅氧氟化物玻璃。 本发明的直接沉积玻璃化硅氧氟化物玻璃在157nm波长附近是透射的，使其特别适用于157nm波长区域的光掩模衬底。 本发明的光掩模基材是在真空紫外（VUV）波长区域中显示非常高的透射率的干直接沉积玻璃化硅氧氟化物玻璃，同时保持通常与高纯度熔融石英相关的优异的热和物理性能。 除了含氟并且具有很少或不具有OH含量之外，本发明的适用于157nm的光掩模衬底的玻璃化玻璃化氟氧化硅玻璃的特征还在于具有小于1×10 17分子/ cm 3的分子 氢和低氯水平。

公开(公告)号：WO01017919A1

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：PCT/US2000/024776

申请日：2000-09-08

IPC: C03B20/00 ,  C01B33/12 ,  C03B5/43 ,  C03B8/04 ,  C03B19/14 ,  C04B35/10 ,  F27B9/26 ,  F27B17/00 ,  F27D1/00 ,  F27D1/02 ,  F27D3/00 ,  C03B37/018 ,  C03B37/01

CPC classification number: C04B35/10 ,  C03B19/1407 ,  C03B2201/02 ,  C03B2201/03 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/42 ,  C03B2207/32 ,  C03B2207/50 ,  F27B9/26 ,  F27B17/00 ,  F27D1/0006 ,  F27D1/0043 ,  F27D3/0033

Abstract: An article of relatively pure silica, and a furnace (50) and method of producing the article. The article is produced by collecting molten silica particles (30) in a refractory furnace (50) in which at least a portion of the refractory (32) has been exposed to a halogen-containing gas to react with contaminating metal ions in the refractory (32).

Abstract translation: 相对纯的二氧化硅制品，炉（50）和制品的制造方法。 该制品通过将熔融二氧化硅颗粒（30）在耐火炉（50）中收集，其中耐火材料（32）的至少一部分暴露于含卤素的气体以与耐火材料中的污染金属离子反应（ 32）。

公开(公告)号：WO01008163A1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：PCT/US2000/018798

申请日：2000-07-10

IPC: C03B8/04 ,  C03B20/00 ,  C03C17/36 ,  G02B5/08 ,  G02B5/10 ,  G02B5/26 ,  G02B5/28 ,  G02B17/06 ,  G03F1/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G21K5/02 ,  H01L21/027 ,  G21K5/00 ,  C23C14/02 ,  C23C28/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03B19/1415 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/42 ,  G02B5/0891 ,  G02B17/0615 ,  G02B17/0636 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70891 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/067

Abstract: The projection lithographic method for producing integrated circuits and forming patterns with extremely small feature dimensions includes an illumination sub-system (36) for producing and directing an extreme ultraviolet soft x-ray radiation lambda from an extreme ultraviolet soft x-ray source (38); a mask stage (22) illuminated by the extreme ultraviolet soft x-ray radiation lambda produced by illumination stage and the mask stage (22) includes a pattern when illuminated by radiation lambda . A protection sub-system includes reflective multilayer coated Ti doped high purity SiO2 glass defect free surface (32) and printed media subject wafer which has a radiation sensitive surface.

Abstract translation: 用于制造集成电路和具有极小特征尺寸的图案的投影光刻方法包括用于产生和引导来自极紫外线软X射线源（38）的极紫外线软X射线辐射λ的照明子系统（36） ; 由照明级产生的极紫外线软X射线辐射λ照射的掩模台（22）和掩模台（22）包括当被辐射λ照射时的图案。 保护子系统包括具有辐射敏感表面的反射多层涂覆的Ti掺杂的高纯度SiO 2玻璃无缺陷表面（32）和印刷媒体对象晶片。