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    MATERIAL STRUCTURE AND METHOD FOR DEEP SILICON CARBIDE ETCHING
    281.
    发明申请
    MATERIAL STRUCTURE AND METHOD FOR DEEP SILICON CARBIDE ETCHING 审中-公开
    深度碳化硅蚀刻的材料结构和方法

    公开(公告)号：WO2018049081A1

    公开(公告)日：2018-03-15

    申请号：PCT/US2017/050563

    申请日：2017-09-07

    Applicant: THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE NAVY

    Inventor： IMHOFF, Eugene, A. ,  KUB, Francis, J. ,  HOBART, Karl, D. ,  MYERS-WARD, Rachael, L.

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

    CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0112

    Abstract: Material structures and methods for etching hexagonal, single-crystal silicon carbide (SiC) materials are provided, which include selection of on-axis or near on-axis hexagonal single-crystal SiC material as the material to be etched. The methods include etching of SiC bulk substrate material, etching of SiC material layers bonded to a silicon oxide layer, etching of suspended SiC material layers, and etching of a SiC material layer anodically bonded to a glass layer. Plasma-etched hexagonal single- crystal SiC materials of the invention may be used to form structures that include, but are not limited to, microelectromechanical beams, microelectromechanical membranes, microelectromechanical cantilevers, microelectromechanical bridges, and microelectromechanical field effect transistor devices. The material structures and methods of the invention beneficially provide improved etch symmetry, improved etch straightness, improved sidewall straightness, improved sidewall smoothness, and reduced sidewall wander compared to etched four degree off-axis SiC materials.

    Abstract translation: 提供了用于蚀刻六方单晶碳化硅（SiC）材料的材料结构和方法，其包括选择轴上或接近轴上的六方单晶SiC材料作为材料以 被蚀刻。 该方法包括SiC块状衬底材料的蚀刻，结合到氧化硅层的SiC材料层的蚀刻，悬浮SiC材料层的蚀刻以及蚀刻阳极结合到玻璃层的SiC材料层。 本发明的等离子蚀刻的六方晶单晶SiC材料可用于形成包括但不限于微机电束，微机电膜，微机电悬臂，微机电桥和微机电场效应晶体管器件的结构。 与刻蚀的四度离轴SiC材料相比，本发明的材料结构和方法有利地提供改进的刻蚀对称性，改进的刻蚀直线度，改善的侧壁平直度，改善的侧壁平滑度和减少的侧壁徘徊。

    미세채널 공진기 및 그 제조방법
    283.
    发明申请
    미세채널 공진기 및 그 제조방법 审中-公开
    微通道谐振器及其制造方法

    公开(公告)号：WO2015137584A1

    公开(公告)日：2015-09-17

    申请号：PCT/KR2014/009555

    申请日：2014-10-13

    Applicant: 서강대학교 산학협력단

    Inventor： 이정철 ,  김주현

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01P7/00

    CPC classification number: B81C1/00071 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/0015 ,  G01N5/00 ,  G01N9/002 ,  G01N29/022 ,  G01N29/036 ,  G01N2291/0256 ,  H01L31/0352

    Abstract: 이동하는 물질의 질량에 따라 공진 주파수가 변화하는 원리를 이용하여 목적물의 질량 및 특성을 측정할 수 있는 미세채널 공진기 제조방법은, 실리콘기판을 제공하는 단계, 실리콘기판의 내부에 공동 채널(cavity channel)을 형성하는 단계, 공동 채널의 내부 벽면을 산화시켜 공동 채널의 내부 벽면에 중공형 산화실리콘 구조체를 형성하는 단계, 및 중공형 산화실리콘 구조체가 실리콘기판에 대해 공진 운동 가능하도록 중공형 산화실리콘 구조체의 주변을 부분적으로 제거하는 단계를 포함한다.

    Abstract translation: 一种制造微通道谐振器的方法，该微通道谐振器能够通过使用谐振频率根据移动物质的质量而变化的原理来测量待测物体的质量和特性，该方法包括以下步骤：提供硅衬底; 在硅衬底内形成空腔通道; 通过氧化空腔通道的内壁表面在空腔通道的内壁表面上形成中空氧化硅结构; 并且部分地去除中空氧化硅结构周围的区域，使得中空氧化硅结构可以与硅衬底共振。

    JUNCTIONLESS NANO-ELECTRO-MECHANICAL RESONANT TRANSISTOR
    285.
    发明申请
    JUNCTIONLESS NANO-ELECTRO-MECHANICAL RESONANT TRANSISTOR 审中-公开
    无连接的纳米电子机械谐振晶体管

    公开(公告)号：WO2013156978A2

    公开(公告)日：2013-10-24

    申请号：PCT/IB2013/053113

    申请日：2013-04-19

    Applicant: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL)

    Inventor： BARTSCH, Sebastian Thimotee ,  IONESCU, Mihai

    CPC classification number: H01L41/0966 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/0278 ,  B82Y15/00 ,  H01H59/0009 ,  H01L41/0933 ,  H01L41/1134 ,  H03H9/02259 ,  H03H9/24 ,  H03H9/2463 ,  H03H2009/02314

    Abstract: A junctionless Nano-Electro-Mechanical (NEM) resonator, comprising a highly doped conductive channel (4) connecting a drain (9) and a source (10) electrode and movably fixed by at least two ends (11, 11') acting as said source and drain electrodes, respectively; at least one fixed gate electrode (3, 3') arranged to control a depletion charge (5) in the highly doped conductive channel (4) thereby modulating dimensions of a cross-section of the highly doped conductive channel (4). A dimension of the cross-section in the direction of an electrical field that is oriented from the fixed gate electrode (3, 3') to the highly doped conductive channel (4), is designed in such a way that it can be reduced under the effect of the depletion charge such that a full depletion in the highly doped conductive channel (4) is achievable with the control of the fixed gate electrode.

    Abstract translation: 一种无连接纳米机电（NEM）谐振器，包括连接漏极（9）和源极（10）的高度掺杂的导电沟道（4），并且由至少两个端部（11,11'）可移动地固定，其作为 分别为所述源极和漏极; 至少一个固定栅电极（3,3'）布置成控制高掺杂导电沟道（4）中的耗尽电荷（5），从而调制高掺杂导电沟道（4）的横截面的尺寸。 在从固定栅电极（3,3'）定向到高度掺杂的导电通道（4）的电场方向上的横截面的尺寸被设计成使得其可以在 耗尽电荷的影响使得通过固定栅电极的控制可以实现高掺杂导电沟道（4）中的完全耗尽。

    CAPACITIVE MICRO-MACHINED TRANSDUCER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    286.
    发明申请
    CAPACITIVE MICRO-MACHINED TRANSDUCER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    电容式微机械传动器及其制造方法

    公开(公告)号：WO2013111063A1

    公开(公告)日：2013-08-01

    申请号：PCT/IB2013/050572

    申请日：2013-01-23

    Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

    Inventor： DIRKSEN, Peter ,  MAUCZOK, Ruediger ,  KARAKAYA, Koray ,  KLOOTWIJK, Johan Hendrik ,  MARCELIS, Bout ,  MULDER, Marcel

    IPC: B06B1/02

    CPC classification number: B81B3/0086 ,  B06B1/0292 ,  B81B3/0027 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00523 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00 ,  H04R31/003

    Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a capacitive micro- machined transducer (100), in particular a CMUT, the method comprising depositing a first electrode layer (10) on a substrate (1), depositing a first dielectric film (20) on the first electrode layer (10), depositing a sacrificial layer (30) on the first dielectric film (20), the sacrificial layer (30) being removable for forming a cavity (35) of the transducer, depositing a second dielectric film (40) on the sacrificial layer (30), depositing a second electrode layer (50) on the second dielectric film (40), and patterning at least one of the deposited layers and films (10, 20, 30, 40, 50), wherein the depositing steps are performed by Atomic Layer Deposition. The present invention further relates to a capacitive micro-machined transducer (100), in particular a CMUT, manufactured by such method.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造电容式微机械传感器（100），特别是CMUT的方法，该方法包括在基片（1）上沉积第一电极层（10），沉积第一介电膜（20） 在所述第一电极层（10）上，在所述第一介电膜（20）上沉积牺牲层（30），所述牺牲层（30）可去除以形成所述换能器的空腔（35），沉积第二电介质膜 在所述牺牲层（30）上，在所述第二电介质膜（40）上沉积第二电极层（50），并且对所述沉积层和膜（10,20,30,40,50）中的至少一个进行构图， 其中沉积步骤通过原子层沉积进行。 本发明还涉及通过这种方法制造的电容式微加工的换能器（100），特别是CMUT。

    DISPOSITIF ET PROCEDE DE GENERATION D'UNE SECONDE VARIATION DE TEMPERATURE A PARTIR D'UNE PREMIERE VARIATION DE TEMPERATURE
    287.
    发明申请
    DISPOSITIF ET PROCEDE DE GENERATION D'UNE SECONDE VARIATION DE TEMPERATURE A PARTIR D'UNE PREMIERE VARIATION DE TEMPERATURE 审中-公开
    从第一温度变化产生第二温度变化的装置和方法

    公开(公告)号：WO2013079596A1

    公开(公告)日：2013-06-06

    申请号：PCT/EP2012/073968

    申请日：2012-11-29

    Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

    Inventor： CASSET, Fabrice

    IPC: B81B3/00 ,  F03G7/06 ,  H01L41/113 ,  H02N10/00 ,  H02N2/00 ,  H03H9/15 ,  F24J3/00 ,  H03H9/24

    CPC classification number: F24V99/00 ,  B81B3/0024 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/031 ,  B81B2201/032 ,  F03G7/06 ,  H01L41/1136 ,  H02N2/18

    Abstract: Ce dispositif de génération d'une seconde variation ΔΤ 2 de température à partir d'une première variation ΔΤ 1 de température d'utilisation, comporte: - une couche (30) en matériau élastocalorique dont la température interne est apte à varier de ΔΤ 2 en réponse à une variation donnée Δσ d'une contrainte mécanique appliquée sur cette couche en matériau élastocalorique, la variation donnée Δσ étant induite par la première variation ΔΤ 1 de température - un élément suspendu (24) en contact mécanique avec la couche en matériau élastocalorique de manière à appliquer sur cette couche une contrainte mécanique qui varie en réponse à la variation ΔΤ 1 de température d'utilisation, cet élément suspendu (24) étant agencé de manière à faire varier de Δσ la contrainte mécanique appliquée sur la couche en matériau élastocalorique en réponse à la variation ΔΤ 1 de température pour générer ainsi la seconde variation ΔΤ 2 de température.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于从第一使用温度变化DeltaTau1产生第二温度变化DeltaTau2的装置，包括弹性体材料层（30），其内部温度响应于给定的变化Δtau2而变化 施加到所述弹性体材料层上的机械应力，由第一温度变化DeltaTau1引起的给定变化量Deltasigma和与弹性体材料层机械接触的悬浮元件（24），以将所述机械应力施加到所述层上， 根据使用温度变化DeltaTau1而变化。 所述悬挂元件（24）被设置成响应于温度变化DeltaTau1而引起施加到弹性体材料层上的机械应力从Deltasigma的变化，从而产生第二温度变化DeltaTau2。

    振動素子及び振動素子の製造方法
    288.
    发明申请
    振動素子及び振動素子の製造方法 审中-公开
    振动元件和振动元件的制造方法

    公开(公告)号：WO2013002207A1

    公开(公告)日：2013-01-03

    申请号：PCT/JP2012/066243

    申请日：2012-06-26

    Applicant: 株式会社Ingen MSL ,  李 昇穆

    Inventor： 李　昇穆

    IPC: H04R19/00 ,  H01L29/84 ,  H04R31/00

    CPC classification number: H02N1/00 ,  B06B1/0292 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/075 ,  G01H11/06 ,  G01N29/2406 ,  H01L29/84

    Abstract: 【課題】絶縁性の基板の一面に設けられた基板側電極と、該基板側電極に対向配置された対向電極を有する対向板とを備える振動素子であって、インピーダンスの低減及びキャパシタンス変換、信号増幅などの機能を行うと共に、素子自体のコンパクト化を図ることが出来る振動素子、及び該振動素子を製造する製造方法を提供する。 【解決手段】基板側電極２に対向するように、シリコン単結晶からなる上部板１を配置し、上部板１に、例えば、熱拡散法又はイオン注入法によって形成される、ＩＣ回路の不純物領域である集積回路部５を設け、振動素子１０にて変換効率の向上及び生産性向上、実装システムのコンパクト化を実現する。

    Abstract translation: [问题]为了提供一种振动元件，其包括设置在绝缘基板的一个表面上的基板侧电极和具有与基板侧电极相对配置的相对电极的相对板，所述振动元件执行阻抗降低 ，电容转换和信号放大，而元件本身可以减小尺寸。 还提供了一种用于制造振动元件的方法。 [解决方案]由硅单晶制成的上板（1）与基板侧电极（2）相对配置。 上板（1）设置有例如通过热扩散法或离子注入法形成的集成电路部（5），集成电路部是IC电路的杂质区。 因此，利用该振动元件（10），转换效率和生产率提高，并且安装系统的尺寸减小。

    MEMS SOLAR CELL DEVICE AND ARRAY
    289.
    发明申请
    MEMS SOLAR CELL DEVICE AND ARRAY 审中-公开
    MEMS太阳能电池器件和阵列

    公开(公告)号：WO2011117716A3

    公开(公告)日：2012-11-29

    申请号：PCT/IB2011000617

    申请日：2011-03-22

    Applicant: SCANNANOTEK OY ,  PAVLOV ANDREI JURIEVICH ,  PAVLOVA YELENA VASILJEVNA

    Inventor： PAVLOV ANDREI JURIEVICH ,  PAVLOVA YELENA VASILJEVNA

    IPC: H01J45/00 ,  H02N6/00

    CPC classification number: H01J45/00 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0271

    Abstract: A microelectromechanical system (MEMS) solar cell device. The MEMS solar cell device includes a substrate, a sensing membrane exposed to light radiation being spaced from the substrate, a collector electrode disposed between the substrate and the sensing membrane, and a cavity defined between the sensing membrane and the collector electrode. The collector electrode collects charge carriers generated by light radiation on the sensing membrane within the cavity. A solar module or panel may be provided including a plurality of the cells arranged in an array on a substrate.

    Abstract translation: 一种微机电系统（MEMS）太阳能电池装置。 MEMS太阳能电池器件包括衬底，暴露于与衬底间隔开的光辐射的感测膜，设置在衬底和感测膜之间的集电极，以及限定在感测膜和集电极之间的空腔。 集电极收集由腔内的感应膜上的光辐射产生的电荷载体。 可以提供太阳能模块或面板，其包括在基板上排列成阵列的多个单元。

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