公开(公告)号：FR3069102A1

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：FR1756678

申请日：2017-07-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ROUVIERE MATHIEU ,  BOUFNICHEL MOHAMED ,  LACONDE ERIC

IPC: H01L21/76

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de puces isolées (25) latéralement à partir d'une tranche semiconductrice, comprenant les étapes successives suivantes : former des tranchées périphériques (33) délimitant latéralement les puces à former (25), de profondeur supérieure ou égale à l'épaisseur des puces (25), en répétant des étapes successives de gravure ionique utilisant un plasma d'hexafluorure de silicium et de passivation utilisant un plasma d'octafluorocyclobutane de façon que, à l'issue de l'étape de formation de la tranchée (33), les parois latérales de la tranchée (33) soient recouvertes d'une couche isolante d'un polyfluoroéthylène (35) ; et amincir la tranche par sa face inférieure jusqu'à atteindre le fond de la tranchée (33) sans étape préalable de retrait de ladite couche isolante.

公开(公告)号：FR3068547A1

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：FR1756180

申请日：2017-06-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BENABDELAZIZ GHAFOUR ,  REYMOND CEDRIC ,  JOUVE DAVID

IPC: H02M7/72 ,  H02M1/42

Abstract: L'invention concerne un convertisseur comportant : deux transistors (S1, S2) entre deux bornes (11, 12) d'une tension continue (Vdc) ; un élément inductif (L1) reliant un premier point milieu (13) de l'association en série des deux transistors à une première borne (15) d'une tension alternative (Vac) ; un premier thyristor (SCR1) et un deuxième thyristor (SCR2) en série entre les bornes de tension continue, un deuxième point milieu (17) de l'association en série du premier thyristor et du deuxième thyristor étant reliée à une deuxième borne (16) de la tension alternative, une anode du premier thyristor et une cathode du deuxième thyristor étant reliées audit deuxième point milieu ; et un troisième thyristor (SCR3) et un quatrième thyristor (SCR4) en série entre les bornes de tension continue, une cathode du troisième thyristor et une anode du premier thyristor étant reliées audit deuxième point milieu.

公开(公告)号：FR3064418A1

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：FR1752516

申请日：2017-03-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： RABIER PHILIPPE

IPC: H02H9/04

Abstract: L'invention concerne un dispositif de protection (10) d'un circuit (Di) destiné à recevoir une tension d'alimentation (VBat), ce dispositif (10) comprenant en série : une diode bidirectionnelle (14) ayant une tension de claquage (VBR, VCL) supérieure ou égale à la tension d'alimentation (VBat) ; et une diode unidirectionnelle (12) ayant une tension de claquage (VCL, VBR) supérieure ou égale à la tension d'alimentation (VBat), l'une des diodes (12, 14) étant une diode à avalanche et l'autre étant une diode de Schockley.

公开(公告)号：FR3062962A1

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：FR1751264

申请日：2017-02-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  PIERRE FABIEN

IPC: H01M10/058

Abstract: Procédé de fabrication d'une batterie au lithium (1) comprenant le dépôt par plasma de LiPON (13) sur une structure comprenant une zone de prise de contact d'anode (21) et une zone de prise de contact de cathode (11), comprenant les étapes suivantes : avant le dépôt de LiPON (13), prévoir des portions conductrices court-circuitant la zone de prise de contact d'anode et la zone de prise de contact de cathode ; et après le dépôt de LiPON (13), couper lesdites portions.

公开(公告)号：FR3049770B1

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：FR1652824

申请日：2016-03-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/747

Abstract: L'invention concerne un composant de puissance vertical comportant : un substrat (1) en silicium dopé d'un premier type de conductivité ; un caisson localisé (3) du second type de conductivité s'étendant depuis une face supérieure du substrat ; et du côté de la face supérieure du substrat (1), une structure de passivation revêtant une région périphérique du substrat (1) entourant le caisson (3), ladite structure de passivation comportant, sur et en contact avec ladite région périphérique de substrat, une première région (9) en un premier matériau de passivation et une deuxième région (21) en un deuxième matériau de passivation, la deuxième région (21) étant apte à générer, dans une région superficielle du substrat (1) en contact avec ladite deuxième région, une augmentation localisée de la concentration des porteurs majoritaires dans le substrat (1).

公开(公告)号：FR3050320B1

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：FR1653369

申请日：2016-04-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LANOIS FREDERIC ,  ANKOUDINOV ALEXEI ,  RODOV VLADIMIR

IPC: H01L29/74

Abstract: L'invention concerne une diode comprenant entre des électrodes supérieure (A) et inférieure (K) : des première (3) et deuxième (54) portions de substrat semiconducteur dopé de type N connectées à l'électrode inférieure ; un premier transistor vertical (T1) et un deuxième transistor (T2) formés dans la première portion et connectés en série entre les électrodes, la grille (14) du premier transistor étant dopée de type N et couplée à l'électrode supérieure, le deuxième transistor étant à canal P et ayant une grille (24) dopée du type P ; des première (80) et deuxième (82) zones dopées du deuxième type de conductivité situées dans la deuxième portion et séparées par une partie de substrat surmontée d'une autre grille (84) dopée du type N, la première zone dopée étant couplée à la grille du deuxième transistor, la deuxième zone dopée et ladite autre grille étant couplées à l'électrode supérieure.

公开(公告)号：FR3013537A1

公开(公告)日：2015-05-22

申请号：FR1361443

申请日：2013-11-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： CHARLEY SYLVAIN

IPC: H03H7/30

Abstract: L'invention concerne un circuit (2) de commande d'un condensateur (1) de capacité réglable par polarisation (Vbias), comportant un amplificateur (3) de fourniture d'une tension de polarisation continue, dont une contre-réaction est ralentie par une cellule résistive et capacitive (R5, C5).

公开(公告)号：FR3013533A1

公开(公告)日：2015-05-22

申请号：FR1361449

申请日：2013-11-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： RIVET BERTRAND ,  GAUTIER FREDERIC

IPC: H02M1/36 ,  H02M7/04

Abstract: L'invention concerne un procédé de commande d'un convertisseur alternatif-continu ayant un pont de redressement commandable (3), comportant les étapes de, dans une phase de démarrage, provoquer le chargement d'un élément capacitif (Co) sous une amplitude fixée par un premier seuil et dans un régime établi, rendre le pont conducteur quand la différence entre la tension de sortie du convertisseur et la tension alternative redressée atteint un second seuil.

公开(公告)号：FR3006812A1

公开(公告)日：2014-12-12

申请号：FR1355209

申请日：2013-06-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUYSSOU EMILIEN ,  BIMBAUD IGOR

IPC: H01M10/44 ,  H01M10/42 ,  H02J7/00

Abstract: L'invention concerne un procédé de gestion de la durée de vie d'une batterie, dans lequel on provoque une décharge (41) de la batterie lorsque la température ambiante (T) excède un premier seuil (LT).

公开(公告)号：FR2983349B1

公开(公告)日：2013-12-13

申请号：FR1160816

申请日：2011-11-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： NGO SOPHIE ,  FLORENCE ARNAUD ,  ALQUIER DANIEL ,  JEANNE EDGARD

IPC: H01L27/20 ,  H03H9/15 ,  H04R1/22