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公开(公告)号：CN113889391A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010633541.3
申请日：2020-07-02
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置及其绝缘窗组件，其中，所述等离子体处理装置包括：真空反应腔，其内底部设有基座，所述基座用于承载待处理基片；顶盖，位于所述真空反应腔的顶部，所述顶盖具有若干个贯穿顶盖的开口；绝缘窗槽，位于所述开口内，其底部向真空反应腔内凸出，所述绝缘窗槽内具有气体输送管道，所述气体输送管道通过绝缘窗槽的底部向真空反应腔内输送反应气体；线圈，位于所述绝缘窗槽内；射频功率源，通过匹配器与线圈连接。所述等离子体处理装置中等离子体的浓度分布可调，且能够防止线圈的温度过高。
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公开(公告)号：CN110890260A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201811043858.0
申请日：2018-09-07
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种动态控制气体流动模式的装置及晶圆处理方法和设备，基于对放置于处理腔室内的晶圆进行等离子处理工艺，装置是在处理腔室内进行气体流通模式调整的气体遮挡环；该装置包含：移动环，其能分别处在第一位置或第二位置或在第一位置与第二位置之间进行匀速直线运动或变速运动，移动环在第一位置时，反应气体具有第一分布，对晶圆产生第一处理效果；该移动环在第二位置时，反应气体具有第二分布，对晶圆产生第二处理效果，在整个等离子处理工艺过程中，运动的移动环使得晶圆具有第三处理效果，第三处理效果介于第一处理效果和第二处理效果之间。本发明能够通过动态调整移动环使得对晶圆的处理工艺的控制更加精确，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN114582694B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202011392147.1
申请日：2020-12-01
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/18 , H01J37/305 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种集尘器，等离子体处理设备及调压方法，包括与等离子设备腔室相连的气体管道，真空泵，位于腔室和真空泵之间的圆环形的第一框架，通过第一转动轴与第一框架的侧壁连接的多个叶片，多个所述叶片之间按照一定间隔排列，电压设备，用于在相邻两个叶片之间施加不同极性电压，可以在等离子体反应过程中，利用静电吸附原理，将反应过程中产生的大颗粒灰尘固定在通电的叶片上，倾斜的叶片还可以阻挡气体管道中的颗粒逆流回反应腔，并且叶片的倾斜角度可以调整，以适应反应腔内所需气压。
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公开(公告)号：CN114188205B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202010960549.0
申请日：2020-09-14
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种静电装置、其所在的基片处理系统及其置换清洁方法，所述基片处理系统包含等离子体处理装置、传输腔及静电装置，所述传输腔内有传输机械手，所述静电装置用于产生吸附静电以吸附所述等离子体处理装置中的真空反应腔中的边缘环，并通过所述传输机械手将所述边缘环移入或移出所述真空反应腔，实现在不打开所述真空反应腔的情况下置换所述边缘环。本发明结构简单，操作方便，极大地降低了基片处理系统的维护成本。
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公开(公告)号：CN118053786A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211406392.2
申请日：2022-11-10
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种上电极环、上电极组件和刻蚀设备，上电极环包括工艺气体进气通道和周向设置的工艺气体匀气槽；所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通，所述工艺气体进气通道贯穿所述上电极环的上表面，所述工艺气体匀气槽贯穿所述上电极环的下表面。本发明能够在晶圆的边缘区域流入均匀的工艺气体，所述工艺气体在被电离后形成均匀的等离子体以刻蚀晶圆的边缘、背面及斜面的沉积物，提高边缘刻蚀的精度。
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公开(公告)号：CN114121581B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010877421.8
申请日：2020-08-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：反应腔；绝缘窗口，位于反应腔的顶部；线圈，位于绝缘窗口上，线圈包括第一端和第二端；第一线圈连接件，与第一端连接；第二线圈连接件，与第二端连接；射频功率源、第一线圈连接件、线圈和第二线圈连接件形成一个回路，完成射频功率源的接入，当射频功率源经由线圈时会产生电磁场，该电磁场的磁力线穿过绝缘窗口进入反应腔内，再从反应腔穿过该绝缘窗口；当射频功率源依次通过第一线圈连接件、线圈和第二线圈连接件时，第一屏蔽件可屏蔽第一线圈连接件上产生的电磁场，第二屏蔽件可屏蔽第二线圈连接件上产生的电磁场，减小对线圈产生的电磁场的影响，增加等离子体的均匀性，进而增加晶圆刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN117672793A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211007788.X
申请日：2022-08-22
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种边缘刻蚀设备及使用方法，所述刻蚀设备包括反应腔，反应腔上部设有上电极组件，反应腔的下部设有用于承载晶圆的基座，基座的外围设有下电极环和接地环；上电极组件包括：安装基板，用于安装上电极环；安装基板的外缘设有第一抵接部，第一抵接部位于上电极环的径向外侧；接地环的外缘设有第二抵接部，第二抵接部位于下电极环的径向外侧；在刻蚀过程中，第二抵接部与第一抵接部抵接以在晶圆边缘区域形成约束空间，其中约束空间设有第一抽气通道。本发明既能够对等离子体进行约束，还能使等离子体分布均匀，从而保证晶圆边缘刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN112563105B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201911411272.X
申请日：2019-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置中实现气体流量验证的系统及方法，在气盒中安装有集成流量验证系统；在对质量流量控制器的校准或验证时，气体不经过反应腔体，而是通过集成流量验证系统的罐体，从而简化容积和温度的测算，并且不受反应腔体温度、刻蚀工艺、材料吸附性等不稳定因素的影响，提高重复度和稳定性，节约时间。集成流量验证系统包含多个不同容积的罐体时，可以相应地为不同流量大小的MFC进行校准和验证，结果更为准确。
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公开(公告)号：CN111370281B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201811603960.1
申请日：2018-12-26
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/30 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体刻蚀装置，包括：反应室，用于容纳反应气体；介电窗，其设置与反应室顶部；边缘环，其固定于反应室和介电窗之间；介电窗和边缘环用于真空密封反应室；进气系统，其用于向反应室内通入反应气体，其包括设置在介电窗的中心区域上的第一进气通道，和环绕设置在介电窗的边缘区域上的第二进气通道，第二进气通道使得反应气体从上向下穿过介电窗，被反应室内的边缘环阻挡后向反应室内中心区域扩散。本发明解决了由于反应气体是腐蚀性气体时对设置在边缘环内部放入侧壁进气通道腐蚀产生污染物，污染物随着反应气体进入反应室内，导致反应室内的晶圆被污染的问题。
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公开(公告)号：CN112928008B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201911243135.X
申请日：2019-12-06
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本申请实施例公开了一种气体供应系统，包括多个气体输入管路和气体输出管路，所述气体输入管路包括并联的第一气体输出支路和第二气体输出支路，所述气体输出管路包括第一气体输出管路和第二气体输出管路，所述第一气体输出管路的输出端与所述第二气体输出管路的输入端相连，第二气体输出管路的输出端用于给等离子体处理设备的腔室输送气体，第一气体输出管路与多个气体输入管路中的第一气体输出支路的输出端相连通，第二气体输出管路与所多个气体输入管路中的第二气体输出支路的输出端相连通，从而在多个气体输入管路中输出不同流量需求的第一气体和第二气体时，以解决小流量需求的第二气体对等离子体处理工艺过程的改善效果较为有限的问题。
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