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公开(公告)号：CN113990730B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010731384.X
申请日：2020-07-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置及其中的气流调节盖和气流调节方法；气流调节盖包含顶盖、环形的底盘、两者之间至少一层环形的板体；顶盖与板体之间的空隙、相邻板体之间的空隙、板体与底盘之间的空隙，分别形成环形侧向通道，使抽气通道内的气体，得以由位置较低的边缘区域流向位置较高的内侧区域，再流向底盘中间的开口，之后进入气流调节阀的开口并被排气泵抽走。至少各板体的底面为向下向外倾斜的斜面，能对下游返回的冲击气流及其携带的杂质颗粒等进行阻挡。在通过改变气流调节阀的阀板开度，对反应腔进行压力转换的过程中，本发明可以实现良好的压力控制，减少压力波动，使气流调节更稳定均匀，有效阻止杂质颗粒等随冲击气流反弹。
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公开(公告)号：CN112563105B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201911411272.X
申请日：2019-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置中实现气体流量验证的系统及方法，在气盒中安装有集成流量验证系统；在对质量流量控制器的校准或验证时，气体不经过反应腔体，而是通过集成流量验证系统的罐体，从而简化容积和温度的测算，并且不受反应腔体温度、刻蚀工艺、材料吸附性等不稳定因素的影响，提高重复度和稳定性，节约时间。集成流量验证系统包含多个不同容积的罐体时，可以相应地为不同流量大小的MFC进行校准和验证，结果更为准确。
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公开(公告)号：CN113990730A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202010731384.X
申请日：2020-07-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置及其中的气流调节盖和气流调节方法；气流调节盖包含顶盖、环形的底盘、两者之间至少一层环形的板体；顶盖与板体之间的空隙、相邻板体之间的空隙、板体与底盘之间的空隙，分别形成环形侧向通道，使抽气通道内的气体，得以由位置较低的边缘区域流向位置较高的内侧区域，再流向底盘中间的开口，之后进入气流调节阀的开口并被排气泵抽走。至少各板体的底面为向下向外倾斜的斜面，能对下游返回的冲击气流及其携带的杂质颗粒等进行阻挡。在通过改变气流调节阀的阀板开度，对反应腔进行压力转换的过程中，本发明可以实现良好的压力控制，减少压力波动，使气流调节更稳定均匀，有效阻止杂质颗粒等随冲击气流反弹。
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公开(公告)号：CN112563105A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201911411272.X
申请日：2019-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置中实现气体流量验证的系统及方法，在气盒中安装有集成流量验证系统；在对质量流量控制器的校准或验证时，气体不经过反应腔体，而是通过集成流量验证系统的罐体，从而简化容积和温度的测算，并且不受反应腔体温度、刻蚀工艺、材料吸附性等不稳定因素的影响，提高重复度和稳定性，节约时间。集成流量验证系统包含多个不同容积的罐体时，可以相应地为不同流量大小的MFC进行校准和验证，结果更为准确。
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