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公开(公告)号：CN115298824A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022121.4
申请日：2021-03-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/088 , G06F15/80 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置，包括具有运算电路部及存储电路部的多个运算块。运算电路部与存储电路部电连接。运算电路部与存储电路部具有彼此重叠的区域。运算电路部例如包括Si晶体管，存储电路部例如包括OS晶体管。运算电路部具有进行积和运算的功能。存储电路部具有保持权重数据的功能。第一驱动电路具有向存储电路部写入权重数据的功能。使用第一驱动电路向包括在同一列中的所有存储电路部写入权重数据。
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公开(公告)号：CN114902414A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080090207.6
申请日：2020-12-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/088 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11556 , H01L27/1156 , H01L27/11582 , H01L29/786 , G06F9/38 , G06F15/78 , G11C11/405 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8239
Abstract: 提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括加速器。加速器包括第一存储电路、第二存储电路及运算电路。第一存储电路包括第一晶体管。第二存储电路包括第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管都包括在沟道形成区域中含有金属氧化物的半导体层。运算电路包括第三晶体管。第三晶体管包括在沟道形成区域中含有硅的半导体层。第一晶体管及第二晶体管设置在不同的层中。包括第一晶体管的层设置在包括第三晶体管的层上。包括第二晶体管的层设置在包括第一晶体管的层上。第一存储电路具有与第二存储电路不同的数据保持特性。
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公开(公告)号：CN112868127A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201980068261.8
申请日：2019-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/60 , B60L58/24 , H01M10/44 , H01M10/48 , H01M10/613 , H01M10/615 , H01M10/633 , H01M10/637 , H02J7/00 , H02J7/10
Abstract: 通过二次电池的异常检测系统检测二次电池的异常，例如早期检测降低二次电池的安全性的现象，向使用者发出警告或者停止二次电池的使用，来确保安全性。二次电池的异常检测系统根据温度传感器所取得的温度信息检测二次电池的温度是否为能够进行正常工作的温度范围内。在二次电池的温度高时，通过二次电池的异常检测系统的控制信号驱动冷却装置。二次电池的异常检测系统至少包括存储单元，并且存储单元具有保持模拟信号的功能且包括作为半导体层使用氧化物半导体的晶体管。
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公开(公告)号：CN111052236A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880056418.0
申请日：2018-09-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C5/02 , G11C7/12 , G11C11/4091 , H01L21/8242 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括多个单元阵列以及多个外围电路。单元阵列包括多个存储单元。外围电路包括第一驱动电路、第二驱动电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路及第四放大电路。第一驱动电路及第二驱动电路具有对单元阵列提供选择信号的功能。第一放大电路及第二放大电路具有放大从单元阵列输入的电位的功能。第三放大电路及第四放大电路具有放大从第一放大电路或第二放大电路输入的电位的功能。第一驱动电路、第二驱动电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路及第四放大电路包括与单元阵列重叠的区域。存储单元的沟道形成区含有金属氧化物。
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公开(公告)号：CN105703760A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510941255.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/003
CPC classification number: H03K19/018521 , H03K3/356104 , H03K19/0016 , H03K19/003
Abstract: 本发明提供能够抑制电源电压上升之后高电平信号非意图地输出的半导体装置及电子设备。半导体装置包括：第一缓冲电路、电平转移电路及第二缓冲电路。通过对第一缓冲电路供给第一电位，并对电平转移电路及第二缓冲电路供给第二电位，来恢复到原来的状态。在供给第二电位之前供给第一电位。通过先对第一缓冲电路供给第一电位，来成为能控制电平转移电路及第二缓冲电路的工作的状态，由此抑制高电平信号非意图地输出到连接到第二缓冲电路的布线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1591881A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410076946.2
申请日：2004-09-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H02M7/217
Abstract: 通过在绝缘基片上形成的薄膜晶体管，利用运算放大器和二极管的常规结构构成的整流电路，由于运算放大器的低稳定性和低高频性能，不能展示出整流电路的特性。因此，为了整流高频信号，整流电路需要使用绝缘基片外部的IC来构成。根据本发明，放大电路和波形整形电路由薄膜晶体管构成，非整流信号由其信号来切换，因而，能够实现具有卓越高频特性的整流电路。
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公开(公告)号：CN119451084A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410952407.8
申请日：2024-07-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B10/00
Abstract: 提供一种新颖结构的存储装置。第一晶体管包括第一氧化物半导体层、第一至第四导电层及第一、第二绝缘层。第二晶体管包括第二氧化物半导体层、第一、第五、第六、第七导电层及第三、第四绝缘层。第一氧化物半导体层在从平面看时具有隔着第一绝缘层与第一导电层相对的区域及隔着第二绝缘层与第二导电层相对的区域。第二氧化物半导体层在从平面看时具有隔着第三绝缘层与第五导电层相对的区域及隔着第四绝缘层与第六导电层相对的区域。第一氧化物半导体层以与第三、第四导电层接触的方式设置。第二氧化物半导体层以与第一、第七导电层接触的方式设置。第三导电层在从截面看时具有与第一、第二、第四、第五、第六及第七导电层重叠的区域。
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公开(公告)号：CN119446228A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410997544.3
申请日：2024-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的存储装置。包括两个垂直晶体管的多个存储单元串联连接。两个晶体管中的一方被用作用来写入信息的晶体管，另一个被用作用来读出写入到存储单元中的信息的晶体管。写入到存储单元中的信息保持在读出用晶体管的栅极。作为写入用晶体管使用关态电流小的晶体管。
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公开(公告)号：CN112868127B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201980068261.8
申请日：2019-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/60 , B60L58/24 , H01M10/44 , H01M10/48 , H01M10/613 , H01M10/615 , H01M10/633 , H01M10/637 , H02J7/00 , H02J7/10
Abstract: 通过二次电池的异常检测系统检测二次电池的异常，例如早期检测降低二次电池的安全性的现象，向使用者发出警告或者停止二次电池的使用，来确保安全性。二次电池的异常检测系统根据温度传感器所取得的温度信息检测二次电池的温度是否为能够进行正常工作的温度范围内。在二次电池的温度高时，通过二次电池的异常检测系统的控制信号驱动冷却装置。二次电池的异常检测系统至少包括存储单元，并且存储单元具有保持模拟信号的功能且包括作为半导体层使用氧化物半导体的晶体管。
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公开(公告)号：CN117581289A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280046663.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/3233
Abstract: 提供一种新颖电子设备。该电子设备包括显示装置、运算部以及视线检测部，显示装置包括功能电路及被分割为多个副显示部的显示部。视线检测部具有检测用户的视线的功能。运算部具有利用视线检测部的检测结果将多个副显示部的每一个分配为第一区域或第二区域的功能。第一区域具有与注视点重叠的区。功能电路具有使第二区域的驱动频率低于第一区域的驱动频率的功能。
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