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公开(公告)号：KR101735972B1
公开(公告)日：2017-05-15
申请号：KR1020157007529
申请日：2013-08-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B5/02 , B08B13/00 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/67028
Abstract: 웨이퍼(W)의주연부이면에부착하는부착물을웨이퍼(W)로의악영향을억제한상태에서양호하게세정할수 있는기술을제공하는것이다. 웨이퍼(W)의주연부이면에부착하는부착물을제거함에있어, 이산화탄소가스를포함하는세정가스를, 노즐부(6) 내의온도에있어서의이산화탄소의비등선에상당하는압력보다약간낮은압력으로설정하고, 이산화탄소의가스클러스터(이산화탄소분자의집합체)를생성하고있다. 이러한조건에서생성된이산화탄소의가스클러스터는, 액체로상 변화하기직전상태이므로클러스터직경이크고(구성분자수가많고), 분자가강고하게뭉쳐져있는가스클러스터이다. 이때문에웨이퍼(W)의주연부혹은이면에가스클러스터를조사했을때에강한세정력이발휘되므로, 부착물을양호하게제거할수 있고, 또한국소적인세정을행할수 있으므로, 웨이퍼(W)의표면에대한손상의우려가없다.
Abstract translation: 本发明提供一种能够在抑制对晶片W的不利影响的状态下良好地清洁附着于晶片W的背面的附着物的技术。 晶片（W）义州中除去沉积物附着在边缘，含有二氧化碳气体的清洁气体，并且被设置为比压力对应于二氧化碳的沸点线中的温度在喷嘴部6稍低的压力 ，以及二氧化碳气体簇（二氧化碳分子聚集体）。 在这些条件下产生的，因为它只是之前的相位变化到液体状态的集群是大的（大量构成分子的）直径，在mungchyeojyeo分子强烈的气体团簇的二氧化碳的气体团簇。 出于这个原因，到晶片的表面上的损伤（W）义州因为表现出当气体簇到边缘或背面的照射，并且可以令人满意地除去沉积物，它也可以是局部的清洗中，晶片（W）的强清洁力 没有关系。
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公开(公告)号：KR101697401B1
公开(公告)日：2017-01-17
申请号：KR1020140106977
申请日：2014-08-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67028 , A47L5/38 , H01L21/02057
Abstract: 본발명은기판의표면에가스클러스터를조사하여파티클의제거를실행할때, 기판상의패턴무너짐을억제할수 있는기술을제공하는것에관한것이다. 또한, 기판세정장치의소형화에기여할수 있는기술을제공하는것에관한것이다. 웨이퍼(W)의표면에가스클러스터를조사하여파티클을제거하는기판세정장치에있어서, 노즐부(6)를선회아암(42b)에의해선회시키고, 웨이퍼(W)의중심부와주연부사이에조사영역을형성하여, 회전스테이지(32)에탑재된웨이퍼(W)를회전시켜서파티클을제거하도록하고있다. 이때문에, 웨이퍼(W)를 X축방향, Y축방향으로이동시킬필요가없기때문에, 세정처리실(31)을소형화할수 있다. 또한, 웨이퍼(W)에수직으로가스클러스터를조사하기때문에, 웨이퍼(W) 상에오목부(8)의패턴이형성되어있는경우에는패턴무너짐을억제할수 있다.
Abstract translation: 用于去除附着在基板上的颗粒的基板清洁装置包括：用于在真空气氛下清洁基板的清洁室，设置在清洁室中的安装单元，用于在其上安装基板。 基板清洗装置还包括喷嘴单元，用于从清洁室中的基板安装的气氛的高压区域喷射清洁气体，产生气体簇作为原子或分子的聚集体 通过绝热膨胀的清洁气体和与其垂直的方向将气体簇照射到基板，用于抽空清洗室的排气口和用于相对移动安装单元和喷嘴单元的移动单元。
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公开(公告)号：KR1020160021809A
公开(公告)日：2016-02-26
申请号：KR1020167000393
申请日：2014-04-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/461 , H01L21/4757 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/6708 , H01L21/68764
Abstract: 산화티탄막(10)이존재하는실리콘기판(W)을스핀척(3)에보지시키고, 스핀척(3)과함께실리콘기판(W)을회전시키면서, 실리콘기판(W)에, 불화수소산과비산화성의산을포함한제 1 혼합수용액, 또는불화수소산과유기산을포함한제 2 혼합수용액을공급한다. 이것에의해산화티탄막(10)에제 1 또는제 2 혼합수용액이접촉하고, 제 1 또는제 2 혼합수용액과산화티탄막(10)과의화학반응에의해산화티탄막(10)이제거된다.
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公开(公告)号：KR1020150058253A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020157007529
申请日：2013-08-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B5/02 , B08B13/00 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/67028
Abstract: 웨이퍼(W)의주연부이면에부착하는부착물을웨이퍼(W)로의악영향을억제한상태에서양호하게세정할수 있는기술을제공하는것이다. 웨이퍼(W)의주연부이면에부착하는부착물을제거함에있어, 이산화탄소가스를포함하는세정가스를, 노즐부(6) 내의온도에있어서의이산화탄소의비등선에상당하는압력보다약간낮은압력으로설정하고, 이산화탄소의가스클러스터(이산화탄소분자의집합체)를생성하고있다. 이러한조건에서생성된이산화탄소의가스클러스터는, 액체로상 변화하기직전상태이므로클러스터직경이크고(구성분자수가많고), 분자가강고하게뭉쳐져있는가스클러스터이다. 이때문에웨이퍼(W)의주연부혹은이면에가스클러스터를조사했을때에강한세정력이발휘되므로, 부착물을양호하게제거할수 있고, 또한국소적인세정을행할수 있으므로, 웨이퍼(W)의표면에대한손상의우려가없다.
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公开(公告)号：KR101258813B1
公开(公告)日：2013-04-26
申请号：KR1020110089085
申请日：2011-09-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 이와타니 산교 가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/306 , C23C14/02 , C23C14/165 , C23C14/568 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M10/0525
Abstract: 본 발명은 진공 분위기하에서 실리콘 기재의 표면부를 미세 가공에 의해 다공질화하고, 이어서 진공 분위기 그대로 연속하여 상기 표면부에 성막 처리할 수 있으며, 실리콘 기재에 불순물이 부착되는 것을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따르면, 진공실(31) 안에 노즐부(5)를 설치하고, 노즐부(5)의 토출구에 대향하도록 실리콘 기판(W)을 유지한다. 예컨대 ClF
3 가스 및 Ar 가스를 노즐부(5)의 기단측으로부터 0.3 MPa∼2.0 MPa로 공급하고, 이 혼합 가스를 노즐부(5)의 선단측으로부터 1 Pa∼100 Pa의 진공 분위기에 토출시킨다. 이것에 의해 혼합 가스가 단열 팽창하고, Ar 원자나 ClF
3 의 분자가 결합하여 가스 클러스터(C)가 된다. 이 가스 클러스터(C)를 이온화시키지 않으면서 실리콘 기판(W)의 표면부에 조사하여, 상기 표면부를 다공질화한다. 이어서 진공을 깨지 않으면서 별도의 진공실(41)에서 이 실리콘 기판(W)의 표면에 리튬을 스퍼터 성막한다.-
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公开(公告)号：KR1020120112242A
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：KR1020120033295
申请日：2012-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 이와타니 산교 가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67028 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/45587 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67051 , H01L21/67069 , H01L21/67011
Abstract: PURPOSE: A substrate cleaning apparatus and a vacuum processing system are provided to favorably clean an unnecessary site of a peripheral part of a substrate in a state that a contamination of the substrate is controlled. CONSTITUTION: A vacuum transfer chamber(2) maintains the inside thereof in a vacuum atmosphere using a vacuum pump. The vacuum transfer chamber comprises a load lock chamber(15) and a transfer device(22). The first vacuum chamber(31) forms a processing atmosphere for an etching device(3). The second vacuum chamber(41) forms the processing atmosphere for a substrate cleaning apparatus(4). The second vacuum chamber includes an electrostatic chuck for adsorbing a wafer(W) in a horizontal state. [Reference numerals] (9) Control unit
Abstract translation: 目的：提供基板清洗装置和真空处理系统，以便在控制基板的污染的状态下有利地清洁基板的周边部分的不必要部位。 构成：真空传送室（2）使用真空泵将其内部保持在真空气氛中。 真空传送室包括负载锁定室（15）和传送装置（22）。 第一真空室（31）形成蚀刻装置（3）的处理气氛。 第二真空室（41）形成用于基板清洗装置（4）的处理气氛。 第二真空室包括用于以水平状态吸附晶片（W）的静电卡盘。 （附图标记）（9）控制单元
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公开(公告)号：KR100799377B1
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：KR1020067017124
申请日：2003-07-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 기판 처리 장치의 클리닝공정에 있어서, 내부챔버와 내부챔버를 수용한 외부챔버와의 사이의 공간의 진공배기가 실행된다. 내부챔버의 온도를 기판의 처리시에 있어서의 내부챔버의 온도보다 높이고, 기판지지부재의 온도보다 낮게 한다. 그 후, 내부챔버내에 헥사플루오로 아세틸 아세톤(Hhfac)을 포함하는 클리닝 가스를 공급하여 내부챔버내에 부착되어 있는 피클리닝물질을 제거한다.
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公开(公告)号：KR1020070037658A
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：KR1020077005759
申请日：2004-06-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , B08B7/0035 , C23G5/00 , H01J37/32357 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 본 발명은 가스 입구와 가스 출구를 갖추고 있고 주회로를 형성하는 가스 통로와, 이 가스 통로의 일부에 권취된 코일을 포함하는 토로이달형 플라즈마 발생 장치에서의 플라즈마 발생 방법은 상기 가스 통로 안에 적어도 5%의 NF
3 를 함유하는 Ar 가스와 NF
3
가스의 혼합 가스를 공급하고, 상기 코일을 고주파 전력에 의해 구동하여 플라즈마를 착화하는 공정을 포함하며, 상기 플라즈마 착화 공정은 6.65∼66.5 Pa의 전체 압력 하에서 실행된다.-
公开(公告)号：KR1020060097138A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020067017124
申请日：2003-07-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: In a cleaning step of a substrate- processing device, vacuum drawing is made for the space between an inner chamber and an outer chamber that receives the inner chamber. Temperature of the inner chamber is set higher than the temperature of the inner chamber during substrate processing and set lower than the temperature of a substrate support member. After that, a cleaning gas containing hexafluoroacetylaceton (Hhfac) is supplied in the inner chamber, and substances to be cleaned off adhering inside the inner chamber are removed.
Abstract translation: 在基板处理装置的清洁步骤中，对内室和接收内室的外室之间的空间进行真空吸附。 内部室的温度设定为高于衬底处理期间内部室的温度，并且设定为低于衬底支撑构件的温度。 之后，在内室供给含有六氟乙酰丙酮（Hhfac）的清洗气体，除去粘附在内室内的待清洗物质。
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公开(公告)号：KR1020060064569A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020057024535
申请日：2004-06-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/304
CPC classification number: H01J37/321 , B08B7/0035 , C23G5/00 , H01J37/32357 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: A method for generating a plasma in a toroidal plasma generator which has a passage having a gas inlet and a gas outlet and forming a circuit, and a coil wound around a part of the gas passage, characterized in that it comprises a step of supplying a mixed gas of an Ar gas containing at least 5 % of NF3 and an NF3 gas and driving the coil by a high frequency electric power, to thereby ignite the plasma, wherein the plasma ignition step is carried out under a total pressure of 6.65 to 66.5 Pa.
Abstract translation: 一种用于在环形等离子体发生器中产生等离子体的方法，该等离子体发生器具有具有气体入口和气体出口并形成电路的通道，以及缠绕在气体通道的一部分上的线圈，其特征在于，其包括以下步骤： 含有至少5％的NF 3和NF 3气体的Ar气体的混合气体，并通过高频电力驱动线圈，从而点燃等离子体，其中等离子体点火步骤在6.65至66.5的总压力下进行 霸。
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