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公开(公告)号：KR100778947B1
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：KR1020047003005
申请日：2002-08-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02126 , C23C16/30 , C23C16/401 , C23C16/452 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , H01L21/3145 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L21/3185
Abstract: A process gas constituted by a compound having a ring structure in its molecules is introduced into a chamber (12). In the meantime, an excitation gas such as argon, etc. is excited by an activator (34) and introduced into the chamber (12), so that the process gas is excited. The excited process gas is deposited on a process target substrate (19), forming a porous low dielectric constant film having ring structures in the film.
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公开(公告)号：KR100739955B1
公开(公告)日：2007-07-16
申请号：KR1020027002664
申请日：2001-06-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31
Abstract: 반도체 장치의 제조 방법은 기판 상에 스핀-온 공정에 의해 제 1 절연막을 형성시키고, 상기 제 1 절연막에 380 내지 500 ℃의 온도에서 5 내지 180 초의 시간으로 경화 공정을 실시하고, 상기 제 1 절연막 상에 스핀-온 공정에 의해 제 2 절연막을 형성시키는 공정을 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100575227B1
公开(公告)日：2006-05-02
申请号：KR1020027014331
申请日：2001-04-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31
Abstract: 반도체 장치를 제조하는 방법은 제 1 절연막상에 제 2 절연막을 증착시키는 단계, 제 2 절연막을 패터닝하여 내부에 개구부를 형성하는 단계, 및, 제 2 절연막을 에칭 마스크로서 사용하면서 제 1 절연막을 에칭하는 단계를 포함하며, 여기서, 제 2 절연막에는 저유전막을 사용한다.
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公开(公告)号：KR100537679B1
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：KR1019970031947
申请日：1997-07-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 성막장치, 성막개질장치, 성막방법 및 성막개질방법에 관한 것으로서,
성막·개질시스템은 알콜공급수단을 구비하고 반도체웨이퍼에 대하여 기화상태의 금속산화막원료와 기화상태의 알콜의 존재하의 진공분위기속에서 금속산화막을 형성하는 성막장치와, 자외선조사수단을 구비하고, 오존에 자외선을 조사하여 활성산소원자를 발생시키고 금속산화막을 진공분위기하에서 활성산소원자에 드러냄으로써 금속산화막을 개질하는 성막개질장치와, 성막장치와 성막개질장치에 공통으로 연결되고 진공상태를 유지하면서 성막장치와 성막개질장치의 사이에서 피처리체를 이동재치하는 공통이동재치실을 구비하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR100558768B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020050064098
申请日：2005-07-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 성막장치, 성막개질장치, 성막방법 및 성막개질방법에 관한 것으로서,
성막·개질시스템은 알콜공급수단을 구비하고 반도체웨이퍼에 대하여 기화상태의 금속산화막원료와 기화상태의 알콜의 존재하의 진공분위기속에서 금속산화막을 형성하는 성막장치와, 자외선조사수단을 구비하고, 오존에 자외선을 조사하여 활성산소원자를 발생시키고 금속산화막을 진공분위기하에서 활성산소원자에 드러냄으로써 금속산화막을 개질하는 성막개질장치와, 성막장치와 성막개질장치에 공통으로 연결되고 진공상태를 유지하면서 성막장치와 성막개질장치의 사이에서 피처리체를 이동재치하는 공통이동재치실을 구비하는 것을 특징으로 한다.
재치대, 처리가스공급수단, 활성산소발생수단, 진공배기계, 자외선조사수단, 마이크로파발생수단, 샤워헤드Abstract translation: 成膜装置，成膜改性装置，成膜方法和成膜改性方法技术领域本发明涉及成膜装置，成膜改性装置，成膜方法和成膜改性方法，
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公开(公告)号：KR100538865B1
公开(公告)日：2005-12-23
申请号：KR1019990025589
申请日：1999-06-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
Abstract: 제 1 및 제 2 산화 탄탈층(20, 22)으로 이루어지는 절연막을 반도체 웨이퍼(W)상에 형성한다. 우선, CVD에 의해 비정질 상태의 제 1 층(20)을 퇴적함과 동시에, 제 1 층(20)내에 포함되는 유기 불순물을 제거하는 개질 처리를 수행한다. 다음에, 제 1 층(20)상에 CVD에 의해 비정질 상태의 제 2 층(22)을 퇴적한다. 다음에, 처리실(34)내에 오존을 포함하는 처리 가스를 공급함과 동시에, 웨이퍼(W)를 소정 기간에 걸쳐 결정화 온도보다 낮은 온도로 가열하여, 제 2 층(22)내에 포함되는 유기 불순물을 제거하는 개질 처리를 수행한다. 계속해서, 동일 처리실(34)내에서, 웨이퍼(W)를 결정화 온도보다 높은 제 2 온도로 승온시키고 또한 결정화 온도보다 낮은 온도까지 냉각함으로써, 제 1 및 제 2 층(20, 22)을 동시 결정화한다.
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公开(公告)号：KR1019980011767A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019970031947
申请日：1997-07-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
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