公开(公告)号：KR1020090099082A

公开(公告)日：2009-09-21

申请号：KR1020097016306

申请日：2008-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76877

Abstract: Disclosed is a film forming method comprising a titanium film-forming step wherein a titanium film is formed on an interlayer insulating film (520) and a silicon-containing surface (512) on the bottom of a contact hole (530), a nitriding step wherein a single titanium nitride film (550) is formed by nitriding the entire titanium film, and a tungsten film-forming step wherein a tungsten film (560) is formed on the titanium nitride film. Consequently, the productivity can be improved by forming a barrier film thinner than the conventional ones, while preventing separation of a tungsten film due to deterioration of a titanium layer.

Abstract translation: 公开了一种成膜方法，其包括钛膜形成步骤，其中在接触孔（530）的底部上的层间绝缘膜（520）和含硅表面（512）上形成钛膜，氮化步骤 其中通过对整个钛膜进行氮化而形成单个氮化钛膜（550），其中在氮化钛膜上形成钨膜（560）的钨膜形成步骤。 因此，通过形成比以往更薄的阻挡膜，同时防止由于钛层的劣化而导致的钨膜的分离，可以提高生产率。

公开(公告)号：KR100868837B1

公开(公告)日：2008-11-14

申请号：KR1020077013891

申请日：2005-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고미아츠시 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4404 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 피처리 기판을 유지하는 유지대를 내부에 구비한 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 성막을 위한 처리 가스를 공급하고, 이 처리 용기 내에 플라즈마를 여기하기 위한 고주파 전력이 인가되는 샤워 헤드부를 갖는 성막 장치에 의한 성막 방법으로서, 상기 피처리 기판상에 금속을 포함하는 박막을 형성하는 성막 공정과, 상기 성막 공정 전에 상기 샤워 헤드부에 별도의 금속을 포함하는 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 성막 방법.

公开(公告)号：KR1020080068148A

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：KR1020087015988

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: A susceptor device is provided in a film- forming vessel (4) for semiconductor processing. The susceptor device includes a susceptor (16) having a top surface on which a wafer (W) to be processed is placed and a side surface extending downward from the top surface and a heater (18) provided in the susceptor (16) and serving to heat the wafer (W) through the top surface. The top and side surfaces of the susceptor (16) is coated with a CVD pre-coat layer (28). The pre-coat layer (28) has a thickness great enough to substantially saturate the amount of heat originated from the heater (18) and radiated from the top and side surfaces of the susceptor (16).

Abstract translation: 在用于半导体处理的成膜容器（4）中设置感受器装置。 所述基座装置包括：基座（16），其具有顶面，待处理的晶片（W）被放置在所述上​​表面上;从所述顶面向下延伸的侧面和设置在所述基座中的加热器， 以通过顶表面来加热晶片（W）。 基座（16）的顶表面和侧表面涂覆有CVD预涂层（28）。 预涂层（28）的厚度足够大以使来自加热器（18）的热量基本饱和并从基座（16）的顶表面和侧表面辐射。

公开(公告)号：KR100788060B1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：KR1020077016175

申请日：2003-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요코이히로아키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

Abstract: 플라즈마 CVD를 이용하여 피처리 기판(W) 상에 소정 박막을 형성하는 성막 방법은 제 1 및 제 2 단계를 교대로 1회 이상씩 실시한다. 제 1 단계에서는 기판(W)을 수납하는 처리 챔버(51) 내에 박막의 성분을 포함하는 화합물 가스와 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 1 플라즈마를 생성한다. 제 2 단계에서는 제 1 단계에 이어서, 처리 챔버(51) 내에 상기 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 2 플라즈마를 생성한다.

Abstract translation: 通过使用等离子体CVD在待处理的基板（W）上形成预定薄膜的成膜方法是交替地执行第一和第二步骤一次或多次。 在第一工序中，一边向容纳基板W的处理室51内供给含有薄膜成分和还原性气体的化合物气体，一边在处理室51内生成第一等离子体。 在第二步骤中，在第一步骤之后，在处理室51中产生第二等离子体，同时向处理室51中供应还原气体。

公开(公告)号：KR1020070090970A

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：KR1020077014796

申请日：2006-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C8/24 ,  C23C8/26 ,  C23C8/36 ,  C23C8/38 ,  C23C14/00 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/56 ,  G11B5/84

Abstract: Provided are a chamber for storing a substrate to be treated, a shower head arranged in the chamber, and a gas supplying means for supplying the chamber with a gas including NH3 gas and H2 gas. When gas treatment is performed to the subject (W) to be treated, with the gas including NH3 gas and H2 gas, by using a gas treatment apparatus whose covering layer and shower head contain nickel (Ni), an H2/NH3 flow ratio and temperature are controlled, and reaction of nickel contained in the covering layer of the chamber and the shower head is suppressed.

Abstract translation: 设置有用于存储待处理的基板的室，设置在室中的喷头，以及用于向室提供包含NH 3气体和H 2气体的气体的气体供给装置。 当对包括NH 3气体和H 2气体的气体进行待处理对象（W）的气体处理时，通过使用其覆盖层和淋浴喷头包含镍（Ni）的气体处理装置，H2 / NH3流量比和 控制温度，并且抑制室内覆盖层和淋浴喷头所含的镍的反应。

公开(公告)号：KR100674732B1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：KR1020047017827

申请日：2003-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요코이히로아키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/08 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

Abstract: 플라즈마 CVD를 이용하여 피처리 기판(W) 상에 소정 박막을 형성하는 성막 방법은 제 1 및 제 2 단계를 교대로 1회 이상씩 실시한다. 제 1 단계에서는 기판(W)을 수납하는 처리 챔버(51) 내에 박막의 성분을 포함하는 화합물 가스와 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 1 플라즈마를 생성한다. 제 2 단계에서는 제 1 단계에 이어서, 처리 챔버(51) 내에 상기 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 2 플라즈마를 생성한다.

公开(公告)号：KR1020060097070A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：KR1020067016824

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: A susceptor device is provided in a film- forming vessel (4) for semiconductor processing. The susceptor device includes a susceptor (16) having a top surface on which a wafer (W) to be processed is placed and a side surface extending downward from the top surface and a heater (18) provided in the susceptor (16) and serving to heat the wafer (W) through the top surface. The top and side surfaces of the susceptor (16) is coated with a CVD pre-coat layer (28). The pre-coat layer (28) has a thickness great enough to substantially saturate the amount of heat originated from the heater (18) and radiated from the top and side surfaces of the susceptor (16).

Abstract translation: 在用于半导体处理的成膜容器（4）中设置感受器装置。 所述基座装置包括：基座（16），其具有顶面，待处理的晶片（W）被放置在所述上​​表面上;从所述顶面向下延伸的侧面和设置在所述基座中的加热器， 以通过顶表面来加热晶片（W）。 基座（16）的顶表面和侧表面涂覆有CVD预涂层（28）。 预涂层（28）的厚度足够大以使来自加热器（18）的热量基本饱和并从基座（16）的顶表面和侧表面辐射。

公开(公告)号：KR1020060096036A

公开(公告)日：2006-09-05

申请号：KR1020067007190

申请日：2005-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76856 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

Abstract: After cleaning the surface of a base nickel silicide film, a Ti film having a thickness of 2nm or more but less than 10nm is formed by CVD using a Ti compound gas. The Ti film is nitrided, and on the Ti film after nitriding, a TiN film is formed by CVD by using the Ti compound gas and a gas including N and H.

Abstract translation: 在清洁基底镍硅化物膜的表面之后，通过使用Ti化合物气体的CVD形成厚度为2nm以上且小于10nm的Ti膜。 将Ti膜氮化，在氮化后的Ti膜上，通过使用Ti化合物气体和包含N和H的气体通过CVD形成TiN膜。

公开(公告)号：KR1019990007278A

公开(公告)日：1999-01-25

申请号：KR1019980023861

申请日：1998-06-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명에 따른 금속막 성막 방법이 개시되는데, 이 방법에 있어서는 실리콘 반도체 웨이퍼상에 형성된 회로 소자의 확산층(전극 등)상에 금속 배선이 형성될 때, 원료 가스로서 TiCl
4 가스 및 H
2 가스를 사용한 플라즈마 CVD에 의해 피처리체의 표면상에 Ti 막이 성막된다. 상기 원료 가스에 N
2 가스를 첨가함으로써 상기 확산층의 표면상에 Ti-Si-N 막이 성막되며, 이어서 상기 Ti-Si-N 막상에 Ti 막이 성막된다. 이 Ti-Si-N 막은 반도에 웨이퍼측으로부터 실리콘이 확산되는 것을 억제한다.

公开(公告)号：KR101163277B1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：KR1020097007662

申请日：2007-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  아마노후미타카 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/3205 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843

Abstract: 저온 하에서도 양질의 Ti막을 포함하는 배리어층을 효율 좋게 형성할 수 있도록 하고, 그 Ti막과 하지의 계면 영역에 자기 정합적으로 TiSi
x 막을 형성할 수 있도록 한다.
TiSi
x 막(507)을 형성하는 공정에서는 티탄 화합물 가스를 처리실에 도입하여 티탄 화합물 가스를 Si 기판(502)의 Si 표면상에 흡착시키는 제 1 공정과, 티탄 화합물 가스의 처리실로의 도입을 정지하여, 처리실 내에 잔류하고 있는 티탄 화합물 가스를 제거하는 제 2 공정과, 수소 가스를 처리실에 도입하면서 처리실 내에 플라즈마를 생성하여, Si 표면에 흡착시킨 티탄 화합물 가스를 환원함과 동시에 Si 표면의 실리콘과 반응시켜 TiSi
x 막(507)을 형성하는 제 3 공정을 처리실에 아르곤 가스를 도입하지 않고 복수회 반복한다.