Abstract:
본 발명의 기판을 처리하는 기판 처리 시스템의 복수의 가열 장치는, 처리 레시피에 설정된 기판의 처리 순서로 가열 장치를 승온하는 룰, 상하 방향으로 적층하여 배치된 가열 장치의 아래에서부터 위의 순으로 승온하는 룰, 승온 시작에서 승온 완료까지의 제정 시간이 짧은 가열 장치에서부터, 제정 시간이 긴 가열 장치의 순으로 승온하는 룰 중의 적어도 어느 하나 또는 2개 이상을 조합시킨 룰에 따라서 승온된다. 가열 장치의 승온은, 하나의 가열 장치가 승온됨에 따라 그 하나의 가열 장치로부터 방산되는 열을, 다른 가열 장치에 전달시키면서 이루어진다.
Abstract:
본 발명은 도포·현상장치에 관한 것으로서 캐리어블럭에 반입된 기판을 처리 블럭에 반송해 도포막을 형성한 후 인터페이스 블럭을 개재하여 노광 장치에 반송하고 상기 인터페이스 블럭을 개재하여 돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블럭에서 현상 처리하고 캐리어블럭에 반송하는 도포·현상 장치에 있어서 상기 도포막 형성용의 블럭 및 현상용의 블럭에 대해서 적층되고 캐리어 블럭과 인터페이스블럭의 사이에 도포막이 형성된 기판을 캐리어 블럭측으로부터 인터페이스 블럭 측에 직통 반송하는 반송 수단을 설치한다. 이와 같이 구성하는 것으로 도포막 형성용의 블럭과 현상용의 블럭이 메인터넌스안에서도 검사용 기판을 노광 장치에 반송할 수 있으므로 노광 장치의 상태를 검사 할 수 있는 노광 장치의 메인터넌스를 원하는 타이밍으로 실시하는 할 수 있는 도포·현상 장치의 기술을 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: A coating and developing apparatus is provided to reduce the occupied area of a process block by arranging unit blocks while laminating a unit block for spreading drug solution for a reflection preventing film on a substrate and a unit block for spreading resist liquid. CONSTITUTION: A carrier block(S1) includes a placement board(21) which mounts a carrier(20) and a transfer arm(C). A process block(S2), which surrounds a frame body(24), is connected with the inside of the carrier block. The processing block is composed by vertically arranging five unit blocks. A main arm(A4) is arranged in a carrier range(R1). A shelf unit(U5) is arranged in a location where being accessed to the transfer arm and the main arm in a wafer accepting range(R2).
Abstract:
본 발명은 도포처리방법 및 도포처리장치에 관한 것으로서 도포·현상 장치는 기판의 반송 경로를 따라 처리측내에 반송 상류단으로부터 차례로 재치대 모듈 기판의 온도를 설정 온도로 조정하는 온조모듈 ; 온도 조정된 기판에 도포액을 도포하는 도포 모듈 및 도포액이 도포된 기판을 가열하는 가열 모듈을 배치하고 상하에 설치되어 서로 독립해 진퇴 자유로운 상부 아암 및 하부 아암을 가지는 기판 반송 기구에 의해 상부 아암 및 하부 아암을 교대로 동작시켜 상류측의 모듈로부터 차례로 기판을 한개씩 하류측의 모듈에 반송하는 것에 있어서 온조모듈로부터 도포 모듈에 반송하는 아암과 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 도포 모듈과 가열 모듈의 사이에 더미 재치대를 배치하고 상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당해 온조모듈이 우수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 상기 상부 아암에 의해 수취하도록 하고 온조모듈이 기수 번째의 모듈이 될 때는 1번째� � 재치대 모듈상의 기판을 하부 아암에 의해 수취하도록 하는 기술을 제공한다.
Abstract:
본 발명은 도포·현상장치 및 도포·현상방법에 관한 것으로서 도포막 형성용의 블럭과 현상 처리용의 블럭을 적층 함과 동시에 각 처리 블럭마다 블럭용의 반송 수단과의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 수수 스테이지를 캐리어블럭 측에 설치해 선반 형상의 수수 스테이지군을 구성하고 이들 수수 스테이지군의 수수 스테이지의 사이에 기판을 반송하는 상하 반송 수단을 설치한다. 그리고 캐리어 블럭의 상부의 빈공간에 기판 검사 유니트를 배치함과 동시에 상하 반송 수단을 개재시켜 직접 혹은 수수 스테이지군중의 수수 스테이지를 개재시켜 해당 기판 검사 유니트에 반송한다. 또 기판 검사 유니트는 수수 스테이지군중에 배치해도 좋은 기판 검사 유니트를 조립에 있어서 설치 스페이스에 대해서 불리하지 않은 구조 예를 들면 도포·현상 장치 본체의 옆으로부터 튀어나오지 않는 구조를 갖춘 도포·현상 장치의 기술을 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: An applying device, developing device, applying method, developing method, and recording medium are provided to reduce a load of each main arm, thereby increasing a yield. CONSTITUTION: A processing block(S2) includes a resist film forming unit and a substrate inspecting unit(43). A carrier block(S1) includes a transfer device for a carrier block. The resist film forming unit and a substrate inspecting unit are overlapped in the processing block. The resist film forming unit includes a plurality of processing units and a transfer device for a forming unit. The substrate inspecting unit includes a substrate inspecting unit and a transfer device for inspecting a substrate.
Abstract:
PURPOSE: A substrate processing system is provided to improve the amount of processed wafers by controlling the transfer of a wafer at each transfer line. CONSTITUTION: A transfer device(50) transfers a loaded substrate(W) in one direction. The transfer device includes a sheet(101) for loading the substrate and a plurality of transfer rolls(100) which is rotatably installed to support and move the sheet. A processing device processes the substrate loaded on the transfer device.
Abstract:
A coating-developing apparatus, a coating-developing method, and a storage medium are provided to reduce the number of interface arms and a footprint of the coating-developing apparatus by installing a retreating module on a unit module for forming a coating layer. A temperature control module(CPL3) for controlling the temperature of a substrate, a liquid process module, and a heating and cooling module(LHP3) for heating and cooling the substrate are installed in a unit block for forming a coating layer. A retreating module(BF3) is installed on the unit block and retreats the substrates greater than the number of the liquid process modules by n numbers. A controller controls a substrate transfer unit in the unit block to transfer the substrate from the temperature control module toward the retreating module. In case a process speed of an exposing apparatus is slow than that of the unit block, the controller controls the substrate transfer unit to increase the number of the substrates placed on a lower module of the temperature control module than the number of total modules on a transfer path by n numbers.
Abstract:
본 발명은 도포 현상장치 및 그 방법에 관한 것으로서 처리 블럭 (S2)에 도포막 형성용의 단위 블럭인 TCT층 (B3) ; COT층 (B4); BCT층 (B5)와 현상 처리용의 단위 블럭인 DEV층 (B1 ; B2)를 서로 적층하여 설치한다. 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 경우에 있어서도 TCT층 (B3); COT층 (B4) ;BCT층 (B5) 중 사용하는 단위 블럭을 선택함으로써 대응할 수 있고 이 때 반송 프로그램의 복잡화를 억제하여 소프트웨어의 간이화를 도모 할 수 있다. 레지스트막 형성용의 단위 블럭과 반사 방지막 형성용의 단위 블럭을 적층해 설치하는 것으로 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 것에 있어 공간절약화를 도모하는 것과 또 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 것에도 대응하는 것이 가능하고 이 때 소프트웨어의 간이화를 도모하는 기술을 제공한다.
Abstract:
A coating and developing apparatus comprises a process block which forms a resist film on a wafer, then transfers the wafer to an exposure apparatus, and performs a developing process on the wafer after exposure, and an interface transfer mechanism provided between the process block and the exposure apparatus. The process block includes unit blocks for coating-film formation and unit blocks for development laid out in a stacked manner. When an abnormality occurs in the interface transfer mechanism, an ordinary process in the unit block for coating-film formation is performed on those substrates which are present in that unit block for coating-film formation, after which processed wafers are retreated to a retaining unit and transfer of any wafer into the unit block for coating-film formation is inhibited.