公开(公告)号：KR1020150023504A

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：KR1020147036571

申请日：2013-04-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가타야마다이스케 ,  혼다미노루 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/263 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/02315

Abstract: 일 실시형태의 플라즈마 처리 방법은, (a) 피처리 기체(基體) 상에 다결정 실리콘층을 성장시키는 공정과, (b) 다결정 실리콘층이 성장한 피처리 기체를 수용한 처리 용기 내에 수소를 함유하는 가스를 포함하는 처리 가스를 공급하고, 처리 용기 내에 마이크로파를 방사함으로써 수소 라디칼을 생성하며, 수소 라디칼에 다결정 실리콘층을 노출시키는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120048031A

公开(公告)日：2012-05-14

申请号：KR1020127008081

申请日：2010-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  고노마사유키 ,  나카니시토시오

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28282

Abstract: (과제) 트랩이 풍부하게 존재하고, 불휘발성 반도체 메모리 장치의 전하 축적층으로서 유용한 질화규소막을 플라즈마 CVD법에 의해 성막하는 방법을 제공한다.
(해결 수단) 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 생성하여 성막을 행하는 플라즈마 CVD 장치에 있어서 실리콘 원자와 염소 원자로 이루어지는 화합물의 가스와 질소 가스를 포함하는 처리 가스를 이용하고, 처리 용기 내의 압력을 0.1Pa 이상 8Pa 이하의 범위 내로 설정하여 플라즈마 CVD를 행함으로써, 많은 트랩을 포함하는 질화규소막을 성막한다.

公开(公告)号：KR1020110063790A

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：KR1020117007195

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  나카니시토시오 ,  고노마사유키 ,  미야하라준야

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/792

Abstract: 2차 이온 질량 분석(SIMS)에 의해 측정되는 막 중의 수소 원자 농도가 9.9×10
20 atoms/㎤ 이하인 이산화 규소막을 형성하기 위해, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 생성하여 성막을 행하는 플라즈마 CVD 장치를 이용하여, 그 처리 용기 내의 압력을 0.1Pa 이상 6.7Pa 이하의 범위 내로 설정하고, 실리콘 원자와 염소 원자로 이루어지는 화합물의 가스와 산소 함유 가스를 포함하는 처리 가스를 이용하여 플라즈마 CVD를 행한다.

公开(公告)号：KR1020110055703A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020117007198

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오타오슈이치로 ,  혼다미노루 ,  고노마사유키

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/792

Abstract: 본 발명은, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 처리 용기(1)에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 CVD 장치(100)에 있어서, 처리 용기(1) 내의 압력을 10Pa 이상 133.3Pa 이하의 범위 내로 설정하고, 고주파 전원(9)으로부터, 웨이퍼(W)를 올려놓는 재치대(2)의 전극(7)에 웨이퍼(W)의 면적당 0.009W/㎠ 이상 0.64W/㎠ 이하의 범위 내의 출력 밀도로 고주파 전력을 공급하여, 웨이퍼(W)에 RF 바이어스를 인가하면서, 실리콘 함유 화합물 가스와 질소 가스를 포함하는 성막 가스를 이용하여 플라즈마 CVD를 행하는 공정을 구비한 질화 규소막의 성막 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020110055700A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020117007190

申请日：2009-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  나카니시토시오 ,  고노마사유키 ,  미야하라준야

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/308 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3145

Abstract: 0.5％ 희(希)불산 용액에 의한 에칭 레이트가 0.11nm/초 이하인 치밀하고 절연성이 우수하여, 고품질인 산화 규소막(SiO
2 막, SiON막)을 형성하기 위해, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 CVD 장치를 이용하여, 처리 용기 내의 압력을 0.1Pa 이상 6.7Pa 이하의 범위 내로 설정하고, SiCl
4 가스 또는 Si
2 H
6 가스와 산소 함유 가스를 포함하는 처리 가스를 이용하여 플라즈마 CVD를 행한다.

公开(公告)号：KR101028625B1

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：KR1020077022205

申请日：2006-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/3211 ,  H01L29/518 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 처리실내에서 실리콘 기판에 대해 질소함유 플라즈마를 작용시켜 질화 처리하는 기판의 질화 처리 방법으로서, 플라즈마 생성 영역에 있어서의 플라즈마 포텐셜(V
p )과 기판에 있어서의 플로팅 포텐셜(V
f )의 전위차(V
p -V
f )인 기판 근방의 쉬스 전압(V
dc )을 3.5[V] 이하로 제어하여 질소함유 플라즈마에 의한 질화 처리를 실행하는 기판의 질화 처리 방법이 개시된다.
기판, 질소함유 플라즈마, 질화 처리

公开(公告)号：KR1020100123889A

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：KR1020107021780

申请日：2009-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 엔도테츠오 ,  고노마사유키 ,  오타오슈이치로 ,  혼다미노루 ,  나카니시토시오

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792 ,  H01L29/66833

Abstract: 서로 이웃하는 절연막의 밴드갭의 크기가 상이한 절연막 적층체를 갖는 MOS형 반도체 메모리 장치를 제조하기 위해, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 챔버(1)에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하여, 적어도 인접하는 절연막을 형성할 때의 압력 조건과는 상이한 압력 조건으로 플라즈마 CVD를 행하여, 절연막 적층체를 구성하는 서로 이웃하는 절연막의 밴드갭의 크기를 변경하여 차례대로 형성한다.

公开(公告)号：KR101188574B1

公开(公告)日：2012-10-05

申请号：KR1020097013433

申请日：2007-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  사토요시히로 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115

Abstract: 절연막의 형성방법은, 표면에 실리콘이 노출된 피처리기판을 준비하는 공정과, 표면의 실리콘에 대하여 산화처리를 실시하고, 실리콘 표면에 실리콘산화막의 박막을 형성하는 공정과, 실리콘 산화막 및 그 기초인 실리콘에 대하여 제 1 질화처리를 실시하고, 실리콘산질화막을 형성하는 공정과, 실리콘산질화막에 대하여 N
2 O 분위기에서 제 1 열처리를 실시하는 공정을 포함한다. 이 방법은, 제 1 열처리 후, 실리콘산질화막에 대하여 제 2 질화처리를 실시하는 것을 또한 포함하도록 해도 좋고, 이에 더해 제 2 질화처리후의 상기 실리콘산질화막에 대하여 제 2 열처리를 실시하는 것을 또한 포함하도록 해도 좋다.

公开(公告)号：KR1020120059593A

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020127008193

申请日：2010-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가타야마다이스케 ,  혼다미노루 ,  고노마사유키 ,  나카니시토시오

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H05H1/46

Abstract: 플라즈마 CVD법에 의해 양질인 결정성 규소막을 높은 성막 레이트로 성막하는 방법을 제공한다. 복수의 홀을 가지는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내로 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 CVD 장치를 이용하고, 식 Si
n H
2n
＋2 (여기서, n은 2 이상의 수를 의미함)로 나타나는 규소 화합물을 포함하는 성막 가스를 상기 마이크로파에 의해 여기하여 플라즈마를 생성시키고, 상기 플라즈마를 이용하여 플라즈마 CVD를 행함으로써 피처리체의 표면에 결정성 규소막을 퇴적시킨다.

公开(公告)号：KR101153310B1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020107021780

申请日：2009-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 엔도테츠오 ,  고노마사유키 ,  오타오슈이치로 ,  혼다미노루 ,  나카니시토시오

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 서로이웃하는절연막의밴드갭의크기가상이한절연막적층체를갖는 MOS형반도체메모리장치를제조하기위해, 복수의구멍을갖는평면안테나(31)에의해챔버(1)에마이크로파를도입하는플라즈마처리장치(100)를이용하여, 적어도인접하는절연막을형성할때의압력조건과는상이한압력조건으로플라즈마 CVD를행하여, 절연막적층체를구성하는서로이웃하는절연막의밴드갭의크기를변경하여차례대로형성한다.