公开(公告)号：KR1020120029987A

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：KR1020110059090

申请日：2011-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노츠요시 ,  난바히로미츠 ,  모로즈미유이치로 ,  히시야신고 ,  하라다가츠시게 ,  하야세후미아키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23F1/08

CPC classification number: C23F1/08 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: PURPOSE: A liquid processing method and apparatus, and a recording medium recording a program for executing the liquid processing method are provided to eliminate a titanium element in a short time by supplying processing liquids having different etching rate. CONSTITUTION: A substrate supported in a supporting part is rotated with a supporting part. First processing liquid including hydrofluoric acid is provided to the rear side of the rotated substrate(S11). The rear side of the substrate is processed by the first processing liquid. Second processing liquid including ammonium hydrogen peroxide is provided to the rear side of the rotated substrate(S12). The rear side of the substrate is processed by the second processing liquid. DeIonized water is supplied to the bottom side of the substrate(S13). The substrate is dried(S14).

Abstract translation: 目的：提供液体处理方法和装置以及记录用于执行液体处理方法的程序的记录介质，以通过提供具有不同蚀刻速率的处理液来在短时间内消除钛元素。 构成：支撑在支撑部上的基板与支撑部一起旋转。 将包含氢氟酸的第一处理液体设置在旋转基板的后侧（S11）。 基板的后侧由第一处理液处理。 将包含过氧化氢铵的第二处理液体设置在旋转基板的后侧（S12）。 基板的后侧由第二处理液处理。 将去离子水供给到基板的底侧（S13）。 将基板干燥（S14）。

公开(公告)号：KR100870609B1

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：KR1020040078885

申请日：2004-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야신고 ,  아오끼기미야 ,  와따나베마사히사

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3125 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/76837 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명의 과제는 오목부에의 매립성이 양호하고 고밀도인 절연막으로서 양호한 전기적 특성이나 유전율을 갖는 폴리실라잔막을 형성하는 것이다.
폴리실라잔의 도포막이 형성된 웨이퍼(W)에 대해 수증기 분위기, 감압 분위기의 하, 200 ℃의 온도에서 열처리를 행하여(예비 처리) 도포막에 포함되는 용매 성분을 제거한다. 계속해서 수증기 분위기, 감압 분위기의 하, 390 ℃ 이상 410 ℃ 이하의 온도에서 웨이퍼에 대해 제1 열처리를 행하여 폴리실라잔막의 골격을 형성한다. 다음에 수증기 분위기, 감압 분위기의 하, 600 ℃ 이상 800 ℃ 이하의 온도에서 웨이퍼에 대해 제2 열처리를 행하여 폴리실라잔막에 포함되는 OH기에 유래하는 성분을 제거한다. 이와 같이 하여 형성된 폴리실라잔막, 오목부에의 매립성이 양호하고 고밀도이고, 또한 유전율이 낮고, 전기적 특성이 양호하며, 예를 들어 반도체 디바이스의 절연막으로서 양호한 특성을 갖는다.
웨이퍼, 폴리실라잔막, 반도체 디바이스, 가열로, 히터

公开(公告)号：KR1020030080230A

公开(公告)日：2003-10-11

申请号：KR1020037011210

申请日：2002-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야신고 ,  아키야마고지 ,  후루사와요시카즈 ,  아오키기미야

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  Y10S438/909

Abstract: 웨이퍼의 전체에 걸쳐 막두께 및 막질에 있어서 균일성이 높은 양질의 산화막을 유리하게 형성할 수 있는 산화막 형성방법을 제공하는 것. 산화막 형성방법은, 반응용기내에 배치된 웨이퍼에 대해서, 감압조건하에서, 활성산화종 또는 활성산화종을 포함하는 분위기에 의한 산화처리를 하는 것에 의해, 웨이퍼의 표면에 보호산화막을 형성하는 전처리공정과, 이 웨이퍼에 대해서, 감압조건하에서 소정의 온도로 산화처리하는 것에 의해, 산화막을 형성하는 산화막 형성공정을 갖는다. 산화막 형성공정은, 전처리공정이 행하여진 반응용기에 있어서 전처리공정에 연속하여 행하여지는 것이 바람직하다. 전처리공정은, 산화막 형성공정보다 낮은 온도로 행하여지는 것이 바람직하고, 또한, 산화막 형성공정보다 감압의 정도가 높은 감압조건하에서 행하여지는 것이 바람직하다. 이 산화막 형성방법에 의하면, 양호한 트랜지스터소자의 게이트절연막이 형성된다.