公开(公告)号：KR100901053B1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：KR1020050025304

申请日：2005-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  니시무라도시하루 ,  엔도오아쯔시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명의 과제는 장치 내부에 부착된 부착물을 제거하는 동시에, 장치 내부를 평탄화시킬 수 있는 박막 형성 장치의 세정 방법 및 박막 형성 장치를 제공하는 데 있다.
열처리 장치(1)의 제어부(100)는 장치 내부에 부착물이 부착되면, 반응관(2) 내를 소정의 온도로 가열하는 동시에 처리 가스 도입관(17)으로부터 클리닝 가스를 공급하여 부착물을 제거한다. 계속해서, 반응관(2) 내를 450 ℃로 유지하는 동시에 처리 가스 도입관(17)으로부터 불소와 불화수소를 포함하는 평탄화 가스를 공급한다.
열처리 장치, 제어부, 가스 도입관, 반응관, 웨이퍼 보트, 배기관

公开(公告)号：KR1020080031634A

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：KR1020070099213

申请日：2007-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  미즈나가사또시 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S134/902

Abstract: A film formation apparatus and a method of using the same are provided to suppress diffusion of metal contaminations during film formation process by performing first and second cleaning processes for removing byproduct and metal contaminations produced from the inside of a reaction chamber. A method of using a film formation apparatus(1) comprises the step of: the first cleaning process of removing byproduct, produced from the inside of a reaction chamber(2) of the film formation apparatus, by using the first cleaning gas, wherein the reaction chamber is set at the first temperature and the first pressure where the first cleaning gas is activated; and the second cleaning process of removing metal contaminations, produced from the inside of the reaction chamber, by using the second cleaning gas, wherein the reaction chamber is set at the second temperature and the second pressure where the second cleaning gas containing chlorine-containing gas is activated.

Abstract translation: 提供一种成膜装置及其使用方法，用于通过进行第一和第二清洁处理以除去由反应室内部产生的副产物和金属污染物来抑制成膜过程中金属污染物的扩散。 使用成膜装置（1）的方法包括以下步骤：通过使用第一清洁气体从成膜装置的反应室（2）的内部除去副产物的第一清洁处理，其中 反应室设置在第一温度和第一清洗气体被激活的第一压力下; 以及通过使用第二清洗气体从反应室内部除去金属污染物的第二清洗处理，其中反应室设定在第二温度和第二压力，第二清洗气体含有含氯气体 被激活。

公开(公告)号：KR100246119B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019920006980

申请日：1992-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  미쓰비시덴키 가부시키가이샤

Inventor： 진다떼신이찌 ,  오까모또요시히꼬 ,  니시무라도시하루 ,  호사까아쓰시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B31/16 ,  Y10S438/925

Abstract: 본 발명의 도프트 박막의 성막방법은 반응실과, 이 반응실내에 성막용 가스를 공급하는 수단과, 반응실내에 도판트를 포함하는 도프용 가스를 공급하는 공급원과, 반응실내를 배기하는 드라이펌프와, 폐가스중에 포함되는 미반응성분을 연소시키는 연소장치를 준비하며, 복수매의 기판을 대면하는 면의 상호간의 간격이 실질적으로 동일하게 되도록 반응실내에 배열하며, 반응실내를 배기하여 감압상태로 하며, 반응실내의 기판은 500~600℃의 온도 범위로 가열하며, 반응실내을 배기하면서, 성막용 가스를 기준 1로 할때에 도프용 가스가 1.625×10
-3 ~2.125×10
-3 의 범위가 되는 비율로, 도프용 가스 및 성막용 가스의 공급량을 각각 제어하며, 도프용 가스 및 성막용 가스를 기판에 반응시키는 도프트 박막의 성막방법이다.

公开(公告)号：KR1019950704811A

公开(公告)日：1995-11-20

申请号：KR1019950701981

申请日：1994-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호사카아쓰시 ,  이와시타미쓰아키 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/3205

Abstract: 반도체 웨이퍼(W) 등의 피처리체 표면에 불순물이 도프된 막을 형성하기 위한 성막장치는, 그 길이방향을 연직으로 해서 배치되고, 복수의 반도체 웨이퍼(W)가 배치되는 영역을 반응관(2,20)을 갖고, 반응관(2,20)내의 그 영역에는 복수의 반도체 웨이퍼(W)가 피처리체가 간격을 두고 연직방향으로 겹쳐진 상태로 배열되고, 이 반응관(2,20)내에 성막가스도입관(6,61)을 통해서 성막가스가 도입되며, 이 장치는 가스유출구(76,77,77a,77b)가 반응관(2,20)내의 상기 피처리체 배치영역보다 하방에 위치하고, 거기에서 상방을 향해 도프가스를 도입하기 위한 주도프가스도입관(71)과; 가스유출구(76,77,77a,77b)가 주도프가스도입관(71)의 유출구보다 상기 반응관(2,20)의 상방에 설치되고, 주도프가스도입관(71)으로부터의 도프가스의 공급을 보충하기 위해 도프가스를 도입하는 적어도 1개의 부도프가스도입관(27,72a,72b)과; 상기 반응관(2,20)내의 가스를 배출하기 위한 배기계와; 반응관(2,20)내를 가열하기 위한 가열수단을 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1019920020608A

公开(公告)日：1992-11-21

申请号：KR1019920006980

申请日：1992-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  미쓰비시덴키 가부시키가이샤

Inventor： 진다떼신이찌 ,  오까모또요시히꼬 ,  니시무라도시하루 ,  호사까아쓰시

IPC: H01L21/20

Abstract: 내용 없음