公开(公告)号：KR101139078B1

公开(公告)日：2012-04-30

申请号：KR1020080043927

申请日：2008-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  다까기사또시 ,  손량 ,  도미따마사히꼬 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B08B5/00 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3185 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S438/905

Abstract: A method for using a film formation apparatus for a semiconductor process includes setting an idling state where a reaction chamber of the film formation apparatus accommodates no product target substrate therein, and then, performing a purging process of removing a contaminant present in an inner surface of the reaction chamber by causing radicals to act on the inner surface of the reaction chamber. The radicals are generated by activating a purging process gas containing oxygen and hydrogen as elements.

公开(公告)号：KR101133341B1

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：KR1020070099213

申请日：2007-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  미즈나가사또시 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S134/902

Abstract: 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은, 상기 성막 장치의 반응실의 내면으로부터 부생성물막을 제1 클리닝 가스에 의해 제거하는 제1 클리닝 처리를 포함한다. 여기서, 상기 반응실 내에 상기 제1 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 상기 제1 클리닝 가스가 활성화하는 제1 온도 및 제1 압력으로 설정한다. 상기 사용 방법은 또한, 상기 반응실의 상기 내면으로부터 오염 물질을 제2 클리닝 가스에 의해 제거하는 제2 클리닝 처리를 포함한다. 여기서, 상기 반응실 내에 상기 제2 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 상기 제2 클리닝 가스가 활성화하는 제2 온도 및 제2 압력으로 설정한다. 상기 제2 클리닝 가스는 염소 함유 가스를 포함한다.
열처리 장치, 덮개 부재, 히터, 웨이퍼 보트, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR100778617B1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：KR1020047000939

申请日：2002-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사까모또고이찌 ,  도네가와야마또 ,  후지따다께히꼬

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67259 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68 ,  H01L22/20 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/136

Abstract: A semiconductor process system (10) includes a measuring section (40), an information processing section (51), and a control section (52). The measuring section (40) measures a characteristic of a test target film formed on a target substrate (W) by a semiconductor process. The information processing section (51) calculates a positional correction amount of the target substrate (W) necessary for improving planar uniformity of the characteristic, based on values of the characteristic measured by the measuring section (40) at a plurality of positions on the test target film. The control section (52) controls a drive section (30A, 32A) of a transfer device (30), based on the positional correction amount, when the transfer device (30) transfers a next target substrate (W) to the support member (17) to perform the semiconductor process.

公开(公告)号：KR101174953B1

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：KR1020090021395

申请日：2009-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  도네가와야마또

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  Y10S438/905

Abstract: 반도체처리용성막장치의사용방법은메탈오염을저감시키기위해, 처리용기내의내벽및 제품용피처리체를유지하지않는유지부재의표면에대해, 클리닝가스를사용하여클리닝처리를행하는공정과, 다음에실리콘소스가스및 질화가스를교대로공급함으로써실리콘질화막의피복처리를행하여, 처리용기의내벽및 제품용피처리체를유지하지않는유지부재의표면을실리콘질화막에의해피복하는공정을구비한다.

公开(公告)号：KR1020080100784A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：KR1020080043927

申请日：2008-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  다까기사또시 ,  손량 ,  도미따마사히꼬 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B08B5/00 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3185 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S438/905

Abstract: The film forming apparatus for processing the semiconductor and the method of using the same are provided to prevent the contamination of the film. The method of use of the film forming apparatus for the semiconductor processing is provided. A process is for setting up the reaction chamber of the film forming apparatus as the idle state which does not receive the processed substrate for product. A process is for performing the fuzzy treatment to remove the contaminant existing in the inner surface of the reaction chamber. The radicals are obtained by activating the fuzzy treatment gas including the oxygen and hydrogen. The radicals are activated in the inner surface of the reaction chamber.

Abstract translation: 提供了用于处理半导体的成膜装置及其使用方法，以防止膜的污染。 提供了用于半导体处理的成膜装置的使用方法。 一种方法是将成膜装置的反应室设置为不接收用于产品的处理衬底的空闲状态。 一个过程是进行模糊处理以去除存在于反应室内表面中的污染物。 通过激活包括氧和氢的模糊处理气体获得自由基。 自由基在反应室的内表面被活化。

公开(公告)号：KR1020090098724A

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：KR1020090021395

申请日：2009-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  도네가와야마또

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  Y10S438/905

Abstract: A film-forming apparatus for a semiconductor process and a use method thereof are provided to prevent scattering of a metal component inside a process vessel. A film-forming apparatus(100) is arranged inside a process vessel(1) capable of maintaining vacuum. The process vessel has a high temperature part corresponding to a maintaining member and a low temperature part of a bottom side of the high temperature part. A heating device(40) is installed in an outer circumference of the process vessel. A surface of the maintaining member is cleaned by using a cleaning gas(25b). A covering process of a silicon nitride film is performed by supplying a silicon source gas and a nitride gas by turns. Thickness of the silicon nitride film is 18~300nm.

Abstract translation: 提供一种用于半导体工艺的成膜装置及其使用方法，以防止金属部件在处理容器内散射。 膜形成装置（100）布置在能够保持真空的处理容器（1）的内部。 处理容器具有对应于保持构件的高温部分和高温部分的底侧的低温部分。 加热装置（40）安装在处理容器的外周。 通过使用清洁气体（25b）清洁维护构件的表面。 通过依次供给硅源气体和氮化物气体来进行氮化硅膜的覆盖处理。 氮化硅膜的厚度为18〜300nm。

公开(公告)号：KR1020080031634A

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：KR1020070099213

申请日：2007-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  미즈나가사또시 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S134/902

Abstract: A film formation apparatus and a method of using the same are provided to suppress diffusion of metal contaminations during film formation process by performing first and second cleaning processes for removing byproduct and metal contaminations produced from the inside of a reaction chamber. A method of using a film formation apparatus(1) comprises the step of: the first cleaning process of removing byproduct, produced from the inside of a reaction chamber(2) of the film formation apparatus, by using the first cleaning gas, wherein the reaction chamber is set at the first temperature and the first pressure where the first cleaning gas is activated; and the second cleaning process of removing metal contaminations, produced from the inside of the reaction chamber, by using the second cleaning gas, wherein the reaction chamber is set at the second temperature and the second pressure where the second cleaning gas containing chlorine-containing gas is activated.

Abstract translation: 提供一种成膜装置及其使用方法，用于通过进行第一和第二清洁处理以除去由反应室内部产生的副产物和金属污染物来抑制成膜过程中金属污染物的扩散。 使用成膜装置（1）的方法包括以下步骤：通过使用第一清洁气体从成膜装置的反应室（2）的内部除去副产物的第一清洁处理，其中 反应室设置在第一温度和第一清洗气体被激活的第一压力下; 以及通过使用第二清洗气体从反应室内部除去金属污染物的第二清洗处理，其中反应室设定在第二温度和第二压力，第二清洗气体含有含氯气体 被激活。

公开(公告)号：KR1020040030835A

公开(公告)日：2004-04-09

申请号：KR1020047000939

申请日：2002-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사까모또고이찌 ,  도네가와야마또 ,  후지따다께히꼬

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67259 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68 ,  H01L22/20 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/136

Abstract: 반도체 처리 시스템(10)은 측정부(40), 정보 처리부(51) 및 제어부(52)를 포함한다. 측정부(40)는 반도체 처리가 실시된 피처리 기판(W) 상의 테스트 대상막의 특성을 측정한다. 정보 처리부(51)는 테스트 대상막 상의 복수 위치에 있어서 측정부(40)에 의해 측정된 특성의 값을 기초로 하여, 특성의 면내 균일성을 향상시키는 데 필요한 피처리 기판(W)의 위치 보정량을 산출한다. 제어부(52)는 후속의 피처리 기판(W)을 반도체 처리를 행하기 위해 이동 적재 장치(30)에 의해 지지 부재(17)로 이동 적재할 때, 위치 보정량을 기초로 하여 이동 적재 장치(30)의 구동부(30A, 32A)를 제어한다.

Abstract translation: 半导体处理系统（10）包括测量部分（40），信息处理部分（51）和控制部分（52）。 测量部分（40）通过半导体工艺测量在目标衬底（W）上形成的测试目标膜的特性。 信息处理部（51）基于测定部（40）在测定时的多个位置测定的特性的值，计算为了提高特性的面内均匀性所需的对象基板（W）的位置修正量 目标电影。 当转印装置（30）将下一个目标基板（W）转印到支撑部件（30）上时，控制部分（52）基于位置校正量控制转印装置（30）的驱动部分（30A，32A） 17）来执行半导体工艺。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR101242274B1

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：KR1020090032026

申请日：2009-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가도나가겐따로오 ,  도네가와야마또 ,  주파오화 ,  하세베가즈히데 ,  시바따데쯔야

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31612 ,  H01L29/792

Abstract: 반도체 처리용 성막 방법은, 실리콘 소스 가스와 금속 소스 가스가 선택적으로 공급 가능한 처리 용기의 처리 영역 내에서, 피처리 기판 상에 금속 도프된 실리콘 함유 절연막을 형성하는 성막 처리를 행한다. 성막 처리는 상기 금속 소스 가스의 공급의 차단을 유지하는 동시에, 상기 실리콘 소스 가스를 화학적으로 반응시켜 제1 절연 박층을 형성하는 공정과, 다음에 상기 실리콘 소스 가스의 공급의 차단을 유지하는 동시에, 상기 금속 소스 가스를 화학적으로 반응시켜 제1 금속 박층을 형성하는 공정과, 다음에 상기 금속 소스 가스의 공급의 차단을 유지하는 동시에, 상기 실리콘 소스 가스를 화학적으로 반응시켜 제2 절연 박층을 형성하는 공정을 구비한다.
절연 박층, 금속 박층, 실리콘 소스 가스, 금속 소스 가스, 성막 장치

公开(公告)号：KR1020120066617A

公开(公告)日：2012-06-22

申请号：KR1020120057537

申请日：2012-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  도네가와야마또

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  Y10S438/905

Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus for processing a semiconductor, and a method for using the same, and a computer readable medium are provided to easily deal with the narrowness of a scattering amount tolerance range by controlling the scattering of metal components within a treatment container. CONSTITUTION: A manifold(3) supports a bottom portion of a treatment container(1). A wafer boat(5) is loaded on a table(8) by interposing a heat insulating tube(7) made of quartz. A magnetic fluid seal(11) is installed in a through part of a rotary shaft(10). A seal member(12) is interposed between a peripheral portion of a cover part(9) and a bottom portion of the manifold. A fuzzy gas supply tool(16a) includes a fuzzy gas supply source(25a) and a nozzle.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理半导体的成膜装置及其使用方法以及计算机可读介质，通过控制处理容器内的金属成分的散射，容易地处理散射量容差范围的狭窄。 构成：歧管（3）支撑治疗容器（1）的底部。 通过插入由石英制成的绝热管（7）将晶片舟（5）装载在工作台（8）上。 磁性流体密封件（11）安装在旋转轴（10）的贯通部分中。 密封构件（12）插入在盖部分（9）的周边部分和歧管的底部之间。 模糊气体供给工具（16a）包括模糊气体供应源（25a）和喷嘴。