公开(公告)号：KR101133341B1

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：KR1020070099213

申请日：2007-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  미즈나가사또시 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S134/902

Abstract: 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은, 상기 성막 장치의 반응실의 내면으로부터 부생성물막을 제1 클리닝 가스에 의해 제거하는 제1 클리닝 처리를 포함한다. 여기서, 상기 반응실 내에 상기 제1 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 상기 제1 클리닝 가스가 활성화하는 제1 온도 및 제1 압력으로 설정한다. 상기 사용 방법은 또한, 상기 반응실의 상기 내면으로부터 오염 물질을 제2 클리닝 가스에 의해 제거하는 제2 클리닝 처리를 포함한다. 여기서, 상기 반응실 내에 상기 제2 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 상기 제2 클리닝 가스가 활성화하는 제2 온도 및 제2 압력으로 설정한다. 상기 제2 클리닝 가스는 염소 함유 가스를 포함한다.
열처리 장치, 덮개 부재, 히터, 웨이퍼 보트, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR101436192B1

公开(公告)日：2014-09-01

申请号：KR1020110069857

申请日：2011-07-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도오아쯔시 ,  구보가즈미 ,  미즈나가사또시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C14/3414

Abstract: 본 발명의 과제는 메인터넌스 작업의 수고를 저감시키는 동시에, 다운타임을 짧게 할 수 있는 박막 형성 장치의 세정 방법 등을 제공하는 것이다.
박막 형성 장치(1)의 세정 방법은 가열 공정과 세정 공정을 구비하고 있다. 가열 공정에서는 반응관(2) 내와 배기관(16) 내 중 적어도 한쪽을 소정의 온도로 가열한다. 세정 공정에서는 가열된 반응실(2) 내와 배기관(16) 내 중 적어도 한쪽에, 산소 가스와 수소 가스를 포함하는 클리닝 가스를 공급하여 클리닝 가스를 소정의 온도로 가열함으로써, 클리닝 가스에 포함되는 산소 가스 및 수소 가스를 활성화시킨다. 그리고, 활성화한 산소 가스 및 수소 가스에 의해, 박막 형성 장치(1)의 내부에 부착된 부착물을 제거한다.

公开(公告)号：KR1020120007986A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：KR1020110069857

申请日：2011-07-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도오아쯔시 ,  구보가즈미 ,  미즈나가사또시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C14/3414

Abstract: PURPOSE: A thin film forming apparatus and a cleaning method thereof are provided to form down time short while reducing a maintenance task. CONSTITUTION: A reaction tube(2) has a dual tube structure which is composed of an inner tube(3) and an outer tube(4). A manifold(5) which is formed into a cylindrical shape is arranged in the lower side of the outer tube. A thermal insulator(11) is installed in around the reaction tube in order to surround the reaction tube. A heater(12) for temperature rising which is composed of a resistance heating body is installed in the inner wall of the thermal insulator. A plurality of processing gas induction pipes(13) is inserted in the side of the manifold.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜形成装置及其清洁方法，以减少维护任务而缩短时间。 构成：反应管（2）具有由内管（3）和外管（4）组成的双管结构。 形成为圆筒状的歧管（5）布置在外管的下侧。 为了包围反应管，安装在反应管周围的绝热体（11）。 用于温升的加热器（12）由电阻加热体构成，安装在绝热体的内壁上。 多个处理气体导入管（13）插入歧管侧。

公开(公告)号：KR1020080031634A

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：KR1020070099213

申请日：2007-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  미즈나가사또시 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S134/902

Abstract: A film formation apparatus and a method of using the same are provided to suppress diffusion of metal contaminations during film formation process by performing first and second cleaning processes for removing byproduct and metal contaminations produced from the inside of a reaction chamber. A method of using a film formation apparatus(1) comprises the step of: the first cleaning process of removing byproduct, produced from the inside of a reaction chamber(2) of the film formation apparatus, by using the first cleaning gas, wherein the reaction chamber is set at the first temperature and the first pressure where the first cleaning gas is activated; and the second cleaning process of removing metal contaminations, produced from the inside of the reaction chamber, by using the second cleaning gas, wherein the reaction chamber is set at the second temperature and the second pressure where the second cleaning gas containing chlorine-containing gas is activated.

Abstract translation: 提供一种成膜装置及其使用方法，用于通过进行第一和第二清洁处理以除去由反应室内部产生的副产物和金属污染物来抑制成膜过程中金属污染物的扩散。 使用成膜装置（1）的方法包括以下步骤：通过使用第一清洁气体从成膜装置的反应室（2）的内部除去副产物的第一清洁处理，其中 反应室设置在第一温度和第一清洗气体被激活的第一压力下; 以及通过使用第二清洗气体从反应室内部除去金属污染物的第二清洗处理，其中反应室设定在第二温度和第二压力，第二清洗气体含有含氯气体 被激活。