公开(公告)号：KR1020090072494A

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：KR1020070140628

申请日：2007-12-28

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박진성 ,  모연곤 ,  정종한 ,  신현수 ,  정재경 ,  이헌정

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1222 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0005

Abstract: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to reduce the number of masks by forming an organic semiconductor layer and an oxide semiconductor layer by an ink jet printing method. A first gate electrode(11) and a second gate electrode(12) are formed on a substrate(10), and are isolated each other. A gate insulation film(13) is formed on the first gate electrode and the second electrode. A first source/drain electrode(14a,14b) is formed on the gate insulation film, and is faced with the first gate electrode. A P-type organic semiconductor layer(16) is formed on the first source/drain electrode by an ink jet printing method. A second source/drain electrode(15a,15b) is formed on the gate insulation film, and is faced with the second gate electrode. An N-type oxide semiconductor layer(17) is formed on the second source/drain electrode by an ink jet printing method.

Abstract translation: 提供一种薄膜晶体管及其制造方法，以通过喷墨打印方法形成有机半导体层和氧化物半导体层来减少掩模的数量。 第一栅电极（11）和第二栅电极（12）形成在基板（10）上，彼此隔离。 在第一栅电极和第二电极上形成栅极绝缘膜（13）。 第一源极/漏极（14a，14b）形成在栅极绝缘膜上，并且面对第一栅电极。 通过喷墨打印方法在第一源极/漏极上形成P型有机半导体层（16）。 第二源极/漏极（15a，15b）形成在栅极绝缘膜上，并面向第二栅电极。 通过喷墨印刷法在第二源极/漏极上形成N型氧化物半导体层（17）。

公开(公告)号：KR1020090065951A

公开(公告)日：2009-06-23

申请号：KR1020070133508

申请日：2007-12-18

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이헌정 ,  정재경 ,  신현수 ,  정종한 ,  박진성 ,  모연곤

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/06

Abstract: A manufacturing method of a thin film transistor and a manufacturing method of an organic light emitting display including the thin film transistor are provided to prevent generation of leakage current by maintaining stably resistivity of a channel region. A gate electrode(22) is formed on an insulating substrate(20). A gate insulating layer(23) is formed on an upper part of the insulating substrate including the gate electrode. The gate insulating layer includes oxygen ions. A semiconductor layer includes a channel region, a source region, and a drain region. A source electrode and a drain electrode come in contact with the semiconductor layer of the source region and the drain region. A protective layer is formed to coat an organic material on the upper part of the insulating substrate including the semiconductor layer.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管的制造方法和包括薄膜晶体管的有机发光显示器的制造方法，以通过维持沟道区域的稳定电阻来防止漏电流的产生。 在绝缘基板（20）上形成栅电极（22）。 在包括栅电极的绝缘基板的上部形成栅极绝缘层（23）。 栅绝缘层包括氧离子。 半导体层包括沟道区，源极区和漏极区。 源电极和漏电极与源极区域和漏极区域的半导体层接触。 形成保护层，以在包括半导体层的绝缘基板的上部涂覆有机材料。

公开(公告)号：KR100889688B1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：KR1020070071150

申请日：2007-07-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정종한 ,  정재경 ,  박진성 ,  모연곤 ,  양희원 ,  김민규 ,  안태경 ,  신현수 ,  이헌정

IPC: H01L29/786

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3464 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체로 이루어진 활성층 제조 방법 및 그를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, InGaZnO로 이루어진 제 1 타겟으로부터 In, Ga 및 Zn을 포함하는 이온이 증착되어 기판 상에 IGZO층이 형성되도록 하고, InZnO로 이루어진 제 2 타겟으로부터 In을 포함하는 이온이 증착되도록 하여 In의 조성비가 증가되도록 한다. In의 조성비가 종래보다 증가된 산화물 반도체를 활성층으로 이용함으로써 박막 트랜지스터의 이동도 및 슬롭 팩터를 포함하는 전기적 특성이 향상될 수 있다.
산화물 반도체, IGZO, 타겟, 조성비, 이동도

公开(公告)号：KR1020090007921A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：KR1020070071150

申请日：2007-07-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정종한 ,  정재경 ,  박진성 ,  모연곤 ,  양희원 ,  김민규 ,  안태경 ,  신현수 ,  이헌정

IPC: H01L29/786

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3464 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: A semiconductor active layer manufacturing method, a thin film transistor manufacturing method using the same, and a thin film transistor including a semiconductor active layer are provided to use an oxide semiconductor, in which a composition ratio of In is increased, as an active layer, thereby improving electric characteristics including slope factor and mobility of the thin film transistor. A gate electrode is formed on a substrate. A gate insulating layer is formed on the gate electrode. An IGZO layer is formed on the gate insulating layer. The IGZO layer is an active layer providing source and drain regions and a channel region. Source and drain electrodes are formed in order to be contacted with the source and drain regions. At this time, the IGZO layer is formed by depositing ions including Ga and Zn from a first target(22). Ions including In are deposited from a second target(24). A composition ratio of the In of the IGZO layer is about 45 to 80%. The first target is made of InGaZnO. The second target is made of InZnO. First and second bias powers(23,25) are applied to the first target and the second target. The composition ratio of the In is controlled by the size of the second bias power.

Abstract translation: 提供半导体有源层制造方法，使用该半导体活性层的薄膜晶体管制造方法和包括半导体有源层的薄膜晶体管，以使用其中In的组成比增加的氧化物半导体作为有源层， 从而改善包括薄膜晶体管的斜率和迁移率的电特性。 在基板上形成栅电极。 在栅电极上形成栅极绝缘层。 在栅极绝缘层上形成IGZO层。 IGZO层是提供源极和漏极区域以及沟道区域的有源层。 形成源极和漏极以便与源极和漏极区域接触。 此时，通过从第一靶（22）沉积包括Ga和Zn的离子形成IGZO层。 包括In的离子由第二个目标（24）存放。 IGZO层的In的组成比为约45〜80％。 第一个目标是由InGaZnO制成。 第二个目标是由InZnO组成。 第一和第二偏置功率（23,25）被施加到第一目标和第二目标。 In的组成比由第二偏置功率的大小控制。

公开(公告)号：KR101084173B1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：KR1020090102282

申请日：2009-10-27

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정현중 ,  박진성 ,  정종한 ,  정재경 ,  모연곤 ,  김민규 ,  안태경 ,  양희원 ,  김광숙 ,  김은현 ,  강제욱 ,  임장순

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5346

Abstract: 본 발명은 외부로부터의 수분이나 산소 등의 침투를 방지하고 대형 표시장치에의 적용이 용이하며 양산성이 뛰어난 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 절연된 활성층, 상기 게이트 전극과 절연되고 상기 활성층에 콘택되는 소스 및 드레인 전극, 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 활성층의 사이에 개재된 절연층을 포함하는 박막 트랜지스터; 및 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 유기 발광 소자;를 포함하고, 상기 절연층은, 상기 활성층에 접하는 제1절연층; 및 상기 제1절연층 상에 금속 산화물로 구비된 제2절연층;을 포함하는 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明防止水或氧从外部和易于应用到大尺寸的显示装置，具有优异的量产的有机发光显示装置以及旨在提供制造方法，栅电极，栅电极和绝缘的方法 的有源层，一个薄膜晶体管，包括源极和漏极电极之间的绝缘层，并且源电极和漏电极，并接触所述栅电极和所述有源层上的绝缘有源层; 以及与所述薄膜晶体管电连接的有机发光器件，其中所述绝缘层包括：与所述有源层接触的第一绝缘层; 以及在第一绝缘层上由金属氧化物形成的第二绝缘层及其制造方法。

公开(公告)号：KR1020110072908A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：KR1020090130020

申请日：2009-12-23

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 강제욱 ,  박진성

IPC: H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3272 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/3262

Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a method for manufacturing the same are provided to improve the reliability of the active layer of a thin film transistor by preventing external light from being radiated to the active layer. CONSTITUTION: A gate electrode is formed on a substrate. An active layer(23) is insulated from the gate electrode. A source and drain electrode are insulated from the gate electrode and is in contact with the active layer. An insulating layer is interposed between the source and drain electrode and the active layer. A light blocking layer(29) blocks light in a specific wavelength radiated to the active layer by being formed on the upper side of the active layer. An organic light emitting element(3) is in electric connection with the source and drain electrode.

Abstract translation: 目的：提供有机发光显示装置及其制造方法，以通过防止外界光辐射到有源层来提高薄膜晶体管的有源层的可靠性。 构成：在基板上形成栅电极。 有源层（23）与栅电极绝缘。 源极和漏极与栅电极绝缘并与有源层接触。 在源电极和漏电极和有源层之间插入绝缘层。 遮光层（29）通过形成在有源层的上侧上而阻挡辐射到有源层的特定波长的光。 有机发光元件（3）与源电极和漏电极电连接。

公开(公告)号：KR1020110045628A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：KR1020090102282

申请日：2009-10-27

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정현중 ,  박진성 ,  정종한 ,  정재경 ,  모연곤 ,  김민규 ,  안태경 ,  양희원 ,  김광숙 ,  김은현 ,  강제욱 ,  임장순

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5346

Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and manufacturing method thereof are provided to cover an active layer by an insulating layer to increase the barrier effect for the active layer, thereby sufficiently protecting the active layer from moisture and oxygen. CONSTITUTION: A gate electrode is formed on a substrate. A gate insulating layer covers the gate electrode. A patterned active layer(23) is formed on the gate insulating layer. An insulating layer(24) is formed on the gate insulating layer to cover the active layer. A source electrode(25) and a drain electrode(26) contacts the active layer. The source electrode and the drain electrode are formed on the insulating layer.

Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其制造方法，以通过绝缘层覆盖有源层，以增加有源层的屏障效果，从而充分保护有源层免受湿气和氧气的侵害。 构成：在基板上形成栅电极。 栅极绝缘层覆盖栅电极。 在栅极绝缘层上形成有图案的有源层（23）。 绝缘层（24）形成在栅绝缘层上以覆盖有源层。 源电极（25）和漏电极（26）接触有源层。 源电极和漏电极形成在绝缘层上。

公开(公告)号：KR1020110019883A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：KR1020090077485

申请日：2009-08-21

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 양희원 ,  모연곤 ,  박진성 ,  김민규 ,  안태경 ,  정현중

IPC: H01L51/50 ,  G09G3/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L31/022475 ,  H01L2027/11879

Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device is provided to form an oxide semiconductor layer between a scanning line and a data line, thereby reducing parasitic capacitance between the scanning line and the data line. CONSTITUTION: A substrate(210) is defined by a pixel area(220) and a non pixel area(230) surrounding the pixel area. A plurality of scanning lines(224) is arranged in the first direction. A plurality of data lines(226) is arranged in the second direction crossing the scanning lines. A pixel(300) is located at each intersection of the scanning lines and the data lines. The pixel includes a plurality of thin film transistors and an organic light emitting device.

Abstract translation: 目的：提供有机发光显示装置，以在扫描线和数据线之间形成氧化物半导体层，从而减少扫描线与数据线之间的寄生电容。 构成：衬底（210）由围绕像素区域的像素区域（220）和非像素区域（230）限定。 多个扫描线（224）沿第一方向布置。 多条数据线（226）沿与扫描线交叉的第二方向排列。 像素（300）位于扫描线和数据线的每个交点处。 像素包括多个薄膜晶体管和有机发光器件。

公开(公告)号：KR100976456B1

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：KR1020070141094

申请日：2007-12-29

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박진성 ,  모연곤 ,  김혜동

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 금속 촉매층; 상기 금속 촉매층 상에 위치하는 반도체층; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며 상기 반도체층과 대응되게 위치하는 게이트 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 층간 절연막; 및 상기 층간 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 금속 촉매층은 탄소, 질소 또는 할로겐 원소 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터에 관한 것이다.
또한, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층과 대응되게 위치하며, 상기 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 상기 게이트 전연막을 절연시키는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 반도체층 내에는 탄소, 질소 또는 할로겐 원소 중 어느 하나가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터에 관한 것이다.
박막트랜지스터, 원자막증착법, 니켈실리사이드

公开(公告)号：KR1020090083087A

公开(公告)日：2009-08-03

申请号：KR1020080009046

申请日：2008-01-29

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박진성 ,  모연곤

IPC: H01L29/786 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L29/4908 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/78603

Abstract: A thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flexible display device having the thin film transistor are provided to prevent the damage of a thin film and reduce tact time by forming a gate electrode by using a carbon nanotube of ductility. The gate electrode(12) made of the carbon nanotube of conductivity is formed on a flexible printed circuit board(10). The gate insulating layer(14) is coated on the upper portion including the gate electrode. The semiconductor layer(16) having a channel region, and a source and drain region is formed on the gate insulating layer. A metal is printed to contact the source and drain region and then the source electrode(18a) and drain electrode(18b) are formed. The source electrode and drain electrode are made of a metal selected in the group consisting of gold(Au), and silver(Ag) and platinum(Pt).

Abstract translation: 提供薄膜晶体管，制造薄膜晶体管的方法和具有薄膜晶体管的柔性显示装置，以通过使用具有延展性的碳纳米管形成栅电极来防止薄膜的损坏并减少触控时间。 由导电性碳纳米管制成的栅电极（12）形成在柔性印刷电路板（10）上。 栅极绝缘层（14）涂覆在包括栅电极的上部。 具有沟道区的半导体层（16）以及源极和漏极区形成在栅极绝缘层上。 打印金属以接触源极和漏极区域，然后形成源电极（18a）和漏电极（18b）。 源电极和漏电极由金（Au）和银（Ag）和铂（Pt）组成的组中选择的金属制成。