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公开(公告)号：KR100836132B1
公开(公告)日：2008-06-09
申请号：KR1020060102506
申请日：2006-10-20
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광다이오드에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 제1 n형 질화물 반도체층과, 상기 제1 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 전류확산층과, 상기 전류확산층 상에 형성된 제2 n형 질화물 반도체층과, 상기 제2 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극 및 상기 제2 n형 질화물 반도체층이 형성되는 않은 상기 제1 n형 질화물 반도체층 상에 위치하며, 그 일부가 상기 전류확산층의 일부와 직접적으로 접촉되게 형성된 n형 전극을 포함하는 질화물계 반도체 발광다이오드에 관한 것이다.
LED, 수평, 전류확산, n형 전극-
公开(公告)号：KR1020080041796A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：KR1020060109851
申请日：2006-11-08
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A method for forming a GaN type semiconductor light emitting device is provided to reduce defects by re-growing a second n type GaN layer on an etched surface. A substrate(100) for growing a GaN type semiconductor material is prepared. A first n type GaN layer(120a) is formed on the substrate. An etch process is performed to etch an upper surface of the first n type GaN layer. A second n type GaN layer(120b) is formed by performing a re-grow process on the etched part of the first n type GaN layer. An active region(130) is formed on the second n type GaN layer. A p type GaN layer(140) is formed on the active layer. A buffer layer forming process is performed to form a buffer layer(110) on the substrate before the first n type GaN layer is formed on the substrate.
Abstract translation: 提供一种用于形成GaN型半导体发光器件的方法，以通过在蚀刻表面上再生长第二n型GaN层来减少缺陷。 制备用于生长GaN型半导体材料的衬底（100）。 在基板上形成第一n型GaN层（120a）。 执行蚀刻工艺以蚀刻第一n型GaN层的上表面。 通过对第一n型GaN层的蚀刻部分进行再生长工序来形成第二n型GaN层（120b）。 在第二n型GaN层上形成有源区（130）。 在有源层上形成p型GaN层（140）。 在衬底上形成第一n型GaN层之前，进行缓冲层形成工艺以在衬底上形成缓冲层（110）。
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公开(公告)号：KR100809228B1
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060114674
申请日：2006-11-20
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device is provided to improve light emitting efficiency and to lower an operation voltage by using a current distribution layer in which plural grading layers are stacked. An active layer(15) is formed between an n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer(16). One or more quantum well layers and one or more quantum barrier layers are alternatively stacked to configure the active layer. The n-type nitride semiconductor layer includes a current distribution layer(13) on which plural grading layers(14) are laminated. An n-type impurity concentration in the grading layers is progressively decreased in a direction of the active layer. A minimum value of the n-type impurity concentration in the grading layers is identical to a concentration of an n-type impurity which is not intentionally doped.
Abstract translation: 提供一种氮化物半导体发光器件，用于通过使用层叠有多个分级层的电流分布层来提高发光效率和降低工作电压。 在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层（16）之间形成有源层（15）。 替代地堆叠一个或多个量子阱层和一个或多个量子势垒层以配置有源层。 n型氮化物半导体层包括层叠有多个分级层（14）的电流分布层（13）。 分级层中的n型杂质浓度在活性层的方向上逐渐降低。 分级层中的n型杂质浓度的最小值与没有有意掺杂的n型杂质的浓度相同。
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公开(公告)号：KR100803246B1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：KR1020060092872
申请日：2006-09-25
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A nitride semiconductor device is provided to improve a current diffusion effect by depositing InGaN layer doped with different conductive impurities to form a current diffusion layer. An n-type nitride semiconductor layer(120) is formed on a substrate(100). A GaN layer(130a) and an InGaN layer(130b) are deposited on a portion of the n-type nitride semiconductor layer to form a current diffusion layer(130). An active layer(140) is formed on the current diffusion layer, and a p-type nitride semiconductor layer(150) is formed on the active layer. A p-type electrode(170) is formed on the p-type nitride semiconductor layer, and an n-type electrode(180) is formed on the n-type nitride semiconductor layer with no the current diffusion layer.
Abstract translation: 提供氮化物半导体器件以通过沉积掺杂有不同导电杂质的InGaN层来形成电流扩散层来改善电流扩散效应。 在基板（100）上形成n型氮化物半导体层（120）。 在n型氮化物半导体层的一部分上淀积GaN层（130a）和InGaN层（130b），形成电流扩散层（130）。 在电流扩散层上形成有源层（140），在有源层上形成p型氮化物半导体层（150）。 p型电极（170）形成在p型氮化物半导体层上，n型电极（180）形成在n型氮化物半导体层上，没有电流扩散层。
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公开(公告)号：KR100795178B1
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：KR1020060047480
申请日：2006-05-26
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L2224/16245 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014
Abstract: 본 발명은 백라이트 유니트용 LED 패키지에 관한 것으로서, 한 쌍의 리드 단자로 형성된 리드프레임과, 상기 리드프레임의 일부를 내측에 수용하고, 빛이 방사되도록 오픈된 방사창을 가지도록 형성된 패키지와, 상기 패키지 내부의 리드프레임 상에 실장되되, 플립 칩(flip-chip) LED와 탑 이미팅(top emitting) LED가 상기 리드프레임 표면으로부터 순차 적층되어 이루어진 적층식 LED 칩과, 상기 적층식 LED 칩과 상기 리드프레임의 통전을 위한 통전 와이어 및 상기 패키지 내부에 충진되어 상기 적층식 LED 칩과 상기 통전 와이어를 보호하는 몰딩재를 포함하는 백라이트 유니트용 LED 패키지에 관한 것이다.
백라이트, LED, 패키지, 휘도, 고출력-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070093653A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：KR1020060023747
申请日：2006-03-14
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A method for manufacturing an LED is provided to improve a light extraction efficiency and a light emissive efficiency by increasing the amount of an extracted lateral light using a convexo-concave portion. A light emissive structure composed of an N type semiconductor layer(103), an active layer(105) and a P type semiconductor layer(107) is formed on a substrate(101) with a plurality of device regions. An isolation trench(110) is formed at the light emissive structure by etching the N type semiconductor layer at a boundary between the device regions. A plurality of chips are separated from the substrate by cutting the substrate at the isolation trench. A convexo-concave portion(109) is formed at a lateral portion of the trench to supply the roughness to the N type semiconductor layer.
Abstract translation: 提供了一种用于制造LED的方法，以通过使用凸凹部分增加提取的侧向光量来提高光提取效率和发光效率。 在具有多个器件区域的衬底（101）上形成由N型半导体层（103），有源层（105）和P型半导体层（107）构成的发光结构。 通过在器件区域之间的边界处蚀刻N型半导体层，以发光结构形成隔离沟槽（110）。 通过在隔离沟槽处切割衬底，将多个芯片与衬底分离。 在沟槽的横向部分处形成凹凸部（109），以将粗糙度提供给N型半导体层。
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公开(公告)号：KR100730082B1
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：KR1020050097412
申请日：2005-10-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 전류확산층과, 상기 전류확산층 상에 두 개의 p형 가지 전극을 가지고 형성되어 있는 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 한 개의 n형 가지 전극을 가지고 형성되어 있는 n형 전극을 포함하고, 상기 n형 가지 전극은 상기 두 개의 p형 가지 전극 사이에 삽입된 구조로 형성되어 있으며, 상기 n형 전극과 인접한 투명전극의 최외각 변으로부터 그와 인접한 p형 전극까지의 거리가 동일한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물, 반도체, p형 전극, 전류확산, 구동전압Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物系半导体发光元件，特别是，在基板和形成在基板，其上的预定的n型氮化物半导体层区形成的有源层，在有源层上的n型氮化物半导体层 和形成在p型氮化物半导体层，形成在层，p型电极的p型氮化物半导体和电流扩散层和形成在有源层具有上形成电流扩散层的两个p型分支电极 包括：在所述氮化物没有n型的n型电极与所述半导体层上的单个n型分支电极形成不是，并且具有n型分支电极在两个p型分支电极之间的结构形成， 其中从与n型电极相邻的透明电极的最外边缘到与其相邻的p型电极的距离相同。 它提供了设备。
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公开(公告)号：KR1020070041847A
公开(公告)日：2007-04-20
申请号：KR1020050097412
申请日：2005-10-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 전류확산층과, 상기 전류확산층 상에 두 개의 p형 가지 전극을 가지고 형성되어 있는 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 한 개의 n형 가지 전극을 가지고 형성되어 있는 n형 전극을 포함하고, 상기 n형 가지 전극은 상기 두 개의 p형 가지 전극 사이에 삽입된 구조로 형성되어 있으며, 상기 n형 전극과 인접한 투명전극의 최외각 변으로부터 그와 인접한 p형 전극까지의 거리가 동일한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물, 반도체, p형 전극, 전류확산, 구동전압-
公开(公告)号：KR100631840B1
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020040040355
申请日：2004-06-03
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/44
Abstract: 본 발명은 우수한 전기적 특성과 우수한 휘도를 갖는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 발명은, 상기 기술적 과제를 달성하기 위해 본 발명은, 질화물 단결정 성장을 위한 투광성 기판; 상기 투광성 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층; 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되며 상기 p형 질화물 반도체층이 노출된 다수의 오픈영역을 갖는 메쉬(mesh)구조로 이루어진 메쉬형 유전체층; 상기 메쉬형 유전체층 및 상기 p형 질화물 반도체층이 노출된 오픈영역 상에 형성된 고반사성 오믹콘택층; 및 상기 고반사성 오믹콘택층 및 상기 n형 질화물 반도체층 상에 각각 형성된 p측 본딩전극 및 n측 전극을 포함하는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자를 제공한다. 본 발명에 따른 플립칩용 질화물 반도체 발광소자는, 보다 낮은 순방향 전압과 높은 발광효율을 가질 뿐만 아니라, 열화현상을 효과적으로 방지함으로써 신뢰성이 크게 향상되며, 보다 높은 휘도특성을 갖는다.
플립칩(flip-chip), 질화물 반도체 발광소자(nitride semiconductor light emitting diode), 전류크라우딩(current crowding), 메쉬(mesh)Abstract translation: 本发明涉及具有优异的电特性和优异的亮度的用于倒装芯片的氮化物半导体发光器件。 为了实现上述目的，本发明提供了一种用于生长氮化物单晶的透光衬底; 形成在透明基板上的n型氮化物半导体层; 形成在n型氮化物半导体层上的有源层; 形成在有源层上的p型氮化物半导体层; 形成在所述p型氮化物半导体层上并具有网状结构的网状电介质层，所述网状结构具有暴露所述p型氮化物半导体层的多个开放区域; 在暴露出网状介电层和p型氮化物半导体层的开口区上形成高反射欧姆接触层; 以及分别形成在高反射欧姆接触层和n型氮化物半导体层上的p侧接合电极和n侧电极。 根据本发明的用于倒装芯片的氮化物半导体发光器件不仅具有较低的正向电压和较高的发光效率，而且还有效地防止了劣化，由此大大提高了可靠性并具有较高的亮度特性。
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公开(公告)号：KR100586937B1
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：KR1020030049190
申请日：2003-07-18
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01S5/22
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저 제조방법에 관한 것으로서, 제1 도전형 기판을 마련하는 단계와, 상기 제1 도전형 기판 상에 제1 도전형 클래드층, 활성층 및 제2 도전형 클래드층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제2 도전형 클래드층 상에 인(P)를 함유한 제2 도전형 캡층을 형성하는 단계와, 상기 제2 도전형 캡층 및 상기 제2 도전형 클래드층을 선택적으로 에칭하여 상기 제2 도전형 클래드층에 리지구조를 형성하는 단계와, 상기 리지구조 측부에 해당하는 상기 제2 도전형 클래드층 상에 비소(As)를 포함한 제1 도전형 전류차단층을 형성하는 단계와, AsH
3 가스와 PH
3 가스를 공급하면서, 상기 제1 도전형 전류차단층과 상기 제2 도전형 캡층 상에 제2 도전형 콘택층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 레이저 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 3차 성장공정에서 우수한 결정성 및 표면형상을 갖는 제2 도전형 콘택층을 형성할 수 있어, 반도체 레이저의 동작 신뢰성 및 신뢰성 산포을 획기적으로 개선할 수 있다.
반도체 레이저, PH3가스, AsH3가스, AlGaInP계 반도체 레이저
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