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公开(公告)号：KR1020160098655A
公开(公告)日：2016-08-19
申请号：KR1020150020255
申请日：2015-02-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/6656 , H01L29/401 , H01L29/4232 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/78 , H01L2924/13091
Abstract: 반도체소자의제조방법은기판상에게이트전극, 상기게이트전극의측벽상에제1 스페이서, 상기제1 스페이서상에제2 스페이서를형성하고, 및상기게이트전극의상면상에제공되고상기제1 스페이서및 상기제2 스페이서의상면들상으로연장되는캐핑패턴을형성하는것을포함한다. 상기제2 스페이서의외측벽은상기캐핑패턴의일 측벽에정렬된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成栅电极; 在所述栅电极的侧壁上形成第一间隔物; 在所述第一间隔物上形成第二间隔物; 以及在所述栅电极的顶部上形成覆盖图案以在所述第一和第二间隔物的顶部上延伸。 第二间隔件的外侧壁与封盖图案的侧壁垂直对齐。
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公开(公告)号：KR1020160067625A
公开(公告)日：2016-06-14
申请号：KR1020140173242
申请日：2014-12-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G10L25/78
CPC classification number: G10L25/93 , G10L15/02 , G10L15/20 , G10L15/285 , G10L15/30 , G10L21/0208 , G10L25/18 , G10L25/78 , G10L2025/783 , G10L2025/786
Abstract: 소리신호를처리하는방법이개시된다. 소리신호처리방법은, 디바이스의외부로부터소리신호를수신하고, 상기소리신호를제 1 주파수도메인신호로변환하고, 상기변환으로획득된제 1 주파수도메인신호를이용하여상기소리신호가음성신호인지여부를결정하고, 상기결정에기초하여상기제 1 주파수도메인신호를제 2 주파수도메인신호로변환하고, 상기변환으로획득된제 2 주파수도메인신호를이용하여상기소리신호를인식하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种处理声音信号的方法。 一种用于处理声音信号的方法包括：从设备的外部接收声音信号的步骤，将声音信号转换为第一频域信号的步骤，通过以下步骤确定声音信号是否为语音信号 使用通过转换获得的第一频域信号，基于该确定将第一频域信号转换为第二频域的步骤，以及通过使用通过转换获得的第二频域信号来识别声音信号的步骤。 因此，可以有效地执行处理声音信号的操作。
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公开(公告)号：KR1020160056124A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：KR1020140156114
申请日：2014-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/205 , H01L21/02312 , H01L21/6719
Abstract: 기판처리장치는측벽및 상기측벽을커버하는덮개를가지며기판상에반도체공정을수행하기위한공간을제공하는공정챔버, 공정챔버의측벽에설치되며공정챔버내로제1 방향으로제1 공정가스를분사하기위한제1 노즐, 공정챔버의측벽에제1 노즐과인접하게설치되며공정챔버내로제1 방향과다른제2 방향으로제2 공정가스를분사하기위한제2 노즐, 및제1 노즐및 제2 노즐로부터분사되는제1 및제2 공정가스들의유량을제어하기위한제어부를포함한다.
Abstract translation: 提供了能够控制供给到基板的处理气体的方向的半导体基板处理装置。 基板处理装置包括：具有侧壁和盖的处理室，用于覆盖侧壁，并且在基板上提供执行半导体处理的空间; 安装在处理室的侧壁上的第一喷嘴，并且在第一方向上将第一处理气体喷射到处理室的内部; 第二喷嘴，其安装成与处理室的侧壁上的第一喷嘴相邻，并且在不同于第一方向的第二方向上将第二处理气体喷射到处理室的内部; 以及控制单元，用于控制从第一喷嘴和第二喷嘴喷射的第一气体和第二气体的流量。
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公开(公告)号：KR1020160015613A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140098104
申请日：2014-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H02J7/00
CPC classification number: H02J7/0029 , H02J7/0047 , H02J7/0052 , H02J7/007 , H02J2007/0096
Abstract: 접속된충전장치와통신을수행하는동작, 상기충전장치의비정상충전동작을검출하는동작, 상기비정상충전동작발생시, 상기충전장치초기화를제어하거나또는상기충전장치와연결되는입출력인터페이스를초기화하는동작전자장치의충전제어방법이개시된다. 이외에도명세서를통해파악되는다양한실시예가가능하다.
Abstract translation: 公开了一种电子设备的充电控制方法，包括以下步骤：与连接的充电设备进行通信; 检测充电装置的异常充电操作; 以及控制充电装置的初始化或初始化连接到充电装置的输入和输出接口。 此外，通过说明书找出的各种实施例是可能的。
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公开(公告)号：KR1020160004174A
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：KR1020140103864
申请日：2014-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F1/76
Abstract: 반도체소자의패턴형성방법이제공된다. 반도체소자의패턴형성방법은, 기판상에물질막을형성하고, 물질막상에하드마스크를형성하고, 하드마스크상에제1 몰드마스크패턴과제2 몰드마스크패턴을형성하고, 제1 몰드마스크패턴의양 측벽을덮는한 쌍의제1 스페이서와, 제2 몰드마스크패턴의양 측벽을덮는한 쌍의제2 스페이서를형성하고, 제1 몰드마스크패턴및 제2 몰드마스크패턴을제거하여하드마스크를노출하는제1 갭및 제2 갭을형성하되, 제1 갭은한 쌍의제1 스페이서사이에형성되고, 제2 갭은한 쌍의제2 스페이서사이에형성되고, 하드마스크상에마스크패턴을형성하되, 마스크패턴은제1 갭을덮고제2 갭을노출하고, 제2 갭을덮는보조패턴을형성하고, 마스크패턴을제거하고, 제1 스페이서, 제2 스페이서및 보조패턴을마스크로하여하드마스크를패터닝하여하드마스크패턴을형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供了形成半导体器件的图案的方法。 形成半导体器件的图案的方法包括以下步骤：在衬底上形成材料层; 在材料层上形成硬掩模; 在硬掩模上形成第一模具掩模图案和第二模具掩模图案; 形成覆盖所述第一模具掩模图案的两个侧壁的一对第一间隔件和覆盖所述第二模具掩模图案的两个侧壁的一对第二间隔件; 通过去除第一模具掩模图案和第二模具掩模图案来形成第一间隙和第二间隙暴露出硬掩模，其中第一间隙形成在该对第一间隔件之间，并且第二间隙形成在该对第二间隔件之间 间隔; 在所述硬掩模上形成掩模图案，其中所述掩模图案覆盖所述第一间隙并暴露所述第二间隙; 形成覆盖所述第二间隙的辅助图案; 去除掩模图案; 以及通过使用第一间隔件，第二间隔件和辅助图案作为掩模对硬掩模进行图案化来形成掩模图案。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020150081148A
公开(公告)日：2015-07-13
申请号：KR1020140000834
申请日：2014-01-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F9/38
CPC classification number: G06F15/76 , G06F9/30145 , G06F9/3877 , G06F15/167 , G06F15/7867
Abstract: 기재된실시예는프로세서에포함된코어들이병렬적으로동작하도록할 수있는프로세서및 프로세서제어방법에관한것으로서, 페치(fetch)된제1명령어(instruction)를처리하고, 제1명령어에대응하는명령(command)을생성하는제1 프로세싱코어, 제1 프로세싱코어로부터명령을수신하여저장하는명령버퍼, 및명령버퍼로부터명령을수신하는제2 프로세싱코어를포함하고, 명령은명령의종류에대한정보및 명령이처리되는데에필요한파라미터를포함하고, 제2 프로세싱코어는파라미터를이용하여명령을처리하는프로세서가제공될수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，本发明涉及一种处理器，能够并行地操作包括在该过程中的核心; 及其控制方法。 所述处理器包括：第一处理核心，处理所取得的指令并产生与所述指令相对应的命令; 命令缓冲器，接收并存储来自第一处理核心的命令; 以及从命令缓冲器接收命令的第二处理核心。 这些命令包括处理命令所需的参数和关于命令类型的信息。 第二个处理核心使用该参数处理命令。
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公开(公告)号：KR1020150049936A
公开(公告)日：2015-05-08
申请号：KR1020130131141
申请日：2013-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/048 , G06F3/017 , G06F3/0481 , G06F3/0482 , G06F3/0488 , G06F3/04883 , G06F3/14
Abstract: 디스플레이장치의기능수행방법을개시한다. 본발명의일 실시예에따른디스플레이장치의기능수행방법은, 제1사용자입력이수신되면, 디스플레이장치를멀티레벨입력모드로설정하는단계와, 멀티레벨입력모드에서제1 레벨의사용자제스처입력이수신되면, 디스플레이장치를제1 레벨의기능으로설정하는단계와, 제1 레벨의사용자제스처입력이최종레벨의사용자입력이라고판단되면, 설정된제1 레벨의기능에대응되는화면을출력하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种执行显示装置的功能的方法。 根据本发明的实施例的方法包括以下步骤：当接收到第一用户输入时，设置用于显示设备的多级模式; 当从多电平输入模式接收到第一级用户手势输入时，为显示装置设置第一级功能; 以及当所述第一级用户手势输入被确定为最终级用户输入时，输出与所设置的第一级功能相对应的屏幕。
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公开(公告)号：KR1020150049167A
公开(公告)日：2015-05-08
申请号：KR1020130129376
申请日：2013-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/02296 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/762 , H01L21/764 , H01L21/76802 , H01L21/76849 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L21/76885
Abstract: 본발명은반도체장치및 그제조방법을제공한다. 본발명의반도체장치제조방법은장치기판상에개구부들을갖는층간절연막을형성하는것; 상기개구부들내에제공되며, 측부보다두꺼운바닥부를가지는금속막을형성하는것; 상기금속막을리플로우시켜, 상기개구부들내에금속패턴들을각각형성하는것; 및상기개구부들내에캐핑패턴들을형성하여, 상기금속패턴들을덮는것을포함하되, 상기금속패턴들의상면은상기층간절연막의최상면보다낮은레벨을가질수 있다.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成具有开口的层间绝缘膜; 形成设置在所述开口中并且具有比所述侧更厚的底部部分的金属膜; 回流金属膜并在开口中分别形成金属图案; 在开口中形成覆盖图案并覆盖金属图案，其中金属图案的上表面可以具有比层间绝缘膜的最上表面更低的水平。
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公开(公告)号：KR1020150027359A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：KR1020130104326
申请日：2013-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/04 , G09G5/008 , G09G2350/00 , H04N21/4305
Abstract: 회로 구성이 간단한 픽셀 클럭 발생기가 개시된다. 픽셀 클럭 발생기는 위상동기루프(PLL) 회로 및 주파수/위상 조절회로를 포함할 수 있다. PLL 회로는 수십 MHz의 제 1 주파수를 갖는 발진신호를 사용하여 수 GHz의 제 2 주파수를 갖는 다중 위상(multi-phase) 발진신호를 발생한다. 주파수/위상 조절회로는 다중 위상 발진신호를 수평동기 신호(HSYNC)와 동기화하여 제 1 발진신호를 발생하고, 제 1 발진신호를 분주하여 제 3 주파수를 갖는 제 2 발진신호를 발생하고, 제 2 발진신호의 위상을 조절하여 픽셀 클럭을 발생한다. 따라서, 픽셀 클럭 발생기는 칩 사이즈가 작고 전력소모가 적으며 지터 노이즈가 적다.
Abstract translation: 公开了具有简单电路结构的像素时钟发生器。 像素时钟发生器可以包括锁相环（PLL）电路和频率相位调节电路。 PLL电路通过使用具有几十兆赫兹的第一频率的振荡信号来产生具有几千兆赫兹的第二频率的多相振荡信号。 频率/相位调节电路使多相振荡信号与水平同步信号（HSYNC）同步，以产生第一振荡信号，通过划分第一振荡信号产生具有第三频率的第二振荡信号，并通过 调节第二振荡信号的相位。 因此，像素时钟发生器具有小的芯片尺寸和小的抖动噪声。
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