-
公开(公告)号：KR1019920003283A
公开(公告)日：1992-02-29
申请号：KR1019900010362
申请日：1990-07-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B15/665
Abstract: 내용없음
-
-
公开(公告)号：KR102029645B1
公开(公告)日：2019-11-18
申请号：KR1020130004046
申请日：2013-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F1/42 , H01L27/115 , H01L21/8247
-
公开(公告)号：KR1020140091962A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020130004046
申请日：2013-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F1/42 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L22/12 , G03F1/70 , G03F1/84 , H01L21/31144 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L21/0273 , G03F1/42 , H01L27/112 , H01L27/11521 , H01L27/11568
Abstract: Provided are a method of fabricating a customized mask and a method of fabricating a semiconductor device using a customized mask. The method of fabricating a customized mask comprises the steps of: forming a first pattern in a mold structure; forming a second pattern in the mold structure having the first pattern using an initial mask; measuring an overlap defect of the first pattern and the second pattern; and fabricating a customized mask by compensating for the position of the pattern of the initial mask according to the measurement result. The position of at least a portion of the pattern of the initial mask is moved in correspondence to a movement direction and a size of at least a portion of the first pattern in order to compensate for the position of the pattern of the initial mask.
Abstract translation: 提供一种制造定制掩模的方法和使用定制掩模制造半导体器件的方法。 制造定制掩模的方法包括以下步骤：在模具结构中形成第一图案; 在具有第一图案的模具结构中使用初始掩模形成第二图案; 测量所述第一图案和所述第二图案的重叠缺陷; 并通过根据测量结果补偿初始掩模的图案的位置来制造定制掩模。 初始掩模的图案的至少一部分的位置对应于第一图案的至少一部分的移动方向和尺寸移动，以便补偿初始掩模的图案的位置。
-
公开(公告)号：KR1020130109829A
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020120031881
申请日：2012-03-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/308 , H01L21/0337 , H01L27/10852 , H01L28/92 , H01L21/0273
Abstract: PURPOSE: A method of forming fine patterns of a semiconductor device forms fine patterns uniformly arranged in a zigzag by using line and space patterns. CONSTITUTION: First and second hard mask patterns are alternatively arranged on a lower film (20). A mask pattern extended in a second direction perpendicular to a first direction is formed on the first and second hard mask patterns. A first opening (65) is formed by etching the first hard mask patterns. A filled pattern (90) is filled in gaps between the first openings and the mask patterns. A spacer (95) is formed on both walls of the filled patterns. A second opening (45) is formed by etching the second hard mask patterns.
Abstract translation: 目的：形成半导体器件的精细图案的方法通过使用线和空间图案形成均匀排列成锯齿形的精细图案。 构成：第一和第二硬掩模图案交替地布置在下膜（20）上。 在第一和第二硬掩模图案上形成在垂直于第一方向的第二方向上延伸的掩模图案。 通过蚀刻第一硬掩模图案形成第一开口（65）。 填充图案（90）填充在第一开口和掩模图案之间的间隙中。 在填充图案的两个壁上形成间隔物（95）。 通过蚀刻第二硬掩模图案形成第二开口（45）。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100468668B1
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：KR1019970026738
申请日：1997-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김철홍
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: An off-axis illumination system with an annular illumination aperture is provided to improve resolution and a DOF(depth of focus) of an off-axis illumination system by increasing the intensity of light while using an oblique angle component of the light incident upon the center part of an annular illumination aperture. CONSTITUTION: A substrate is prepared. A plurality of band-type rings are formed in the center of the substrate to transmit only the light of an oblique angle component. An annular part(100a) has a cross section of a roughness type to make the incident light have a phase difference of a predetermined dimension, including an amplitude of lambda/2(n-1)(lambda is a wavelength of light and n is an index of refraction of the substrate) and a pitch(P) of n*lambda/sine*alpha(lambda is a wavelength of light, n is an index of refraction of the substrate, and alpha is a diffraction angle of the light passing through an aperture). The annular part is surrounded by a light transmitting part of a doughnut type that transmits light by a hundred percent. The light transmitting part is surrounded by a light isolating part that isolates light by a hundred percent.
-
公开(公告)号：KR100201309B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950038972
申请日：1995-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김철홍
IPC: G11B20/02
Abstract: 개시된 본 발명은 음성신호를 3배속 이상 고속으로 변속 재생시키고자 할때 , 음성신호의 무음부분을 삭제하여 재생하도록 함으로써, 변속재생시 음성신호의 손실량을 감소시켜 음성신호가 갖는 원래의 의미를 보존할 수 있도록 한 3배속이상 변속재생시 음성신호 처리방법에 관한 것이다.
본 발명은 기록매체에 기록된 음성신호를 3배속이상 고속으로 변속시켜 재생하는 음성신호 변속재생방법에 있어서, 기록매체로부터 검출된 음성신호의 무음부분과 유음부분을 분할하여 무음부분을 제거한 상태에서 유음부분만을 저장하였다가, N배속으로 변속 재생되는 영상신호의 길이와 일치하는 분량만큼 음성신호를 출력하도록 한 것이다.-
公开(公告)号：KR100201307B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950033518
申请日：1995-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김철홍
IPC: G11B20/02
Abstract: 본 발명은 기록매체의 음성다중신호 기록방법에 관한 것으로서, 기록매체에 기록된 하나의 영상신호에 그 종류가 상이한 복수개의 음성신호를 압축하여 기록함으로써, 일반 기록매체를 이용하여 음성다중기능을 수행할 수 있도록 하기 위하여, 오디오트랙을 소정시간을 주기로 하여 N개로 분할하고; 오디오트랙에 기록된 메인 음성신호를 1/N배로 압축하며; 별도로 기록하고자 하는 서브음성신호를 1/N배로 압축하고; 각각 1/N배로 압축된 메인 음성신호와 서브음성신호를 N개로 분할된 오디오트랙에 번갈아 기록하도록 하였다.
-
公开(公告)号：KR1019990035602A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970057428
申请日：1997-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/60
Abstract: 개시된 캡션방송 수신장치의 음성신호 출력방법은 메모리에 파일형태로 저장된 상태에서 파일을 리드하여 디스플레이부에 디스플레이되는 문자신호를 선택하는 경우 그에 해당되는 음성신호를 보조기록매체에 저장된 음성신호를 재생하여 스피커를 통해 출력되도록 한 것이다.
본 발명은 사용자에 의해 음성신호 출력모드가 선택된 경우 연속해서 입력되는 캡션신호의 간격을 검출하고, 검출한 간격과 설정된 시간을 체킹하여 문장이 나누어진 부분인지 단어가 나뉘어진 부분인지를 인지하여 그 음성신호 출력용 어드레스를 함께 기록한 후 메모리에 저장함으로써, 메모리에 저장된 캡션신호를 디스플레이하고, 특정문장이나 단어를 선택한 경우 선택된 문장이나 단어에 함께 기록된 어드레스를 리드하고, 리드한 어드레스를 이용하여 보조기록매체에 저장된 음성신호를 재생하여 스피커를 통해 출력함을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 캡션신호 중 언어에 대한 학습을 하고자 하는 경우 사용자가 선택한 문장 및 단어에 대해 이미 발음이 내장된 보조기록매체를 이용하여 선택된 문장 및 단어의 음성신호를 출력시켜줌으로써 사용자가 원하는 문장 및 단어만 선택하여 반복적으로 들을 수 있다는 효과를 제공하는데 있다.-
公开(公告)号：KR100183727B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950024298
申请日：1995-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/701 , G03F7/70108
Abstract: 사입사 조명용 어퍼쳐 및 이를 이용한 투영노광장치에 대해 기재되어 있다.
이는, 차광영역과 광 투과영역을 구비하는 사입사 조명용 어퍼쳐에 있어서, 광 투과영역이 입사광을 콘덴서렌즈의 가장자리로 회절시키는 프리즘형태인 것을 특징으로 한다.
따라서, 광 투과영역의 면적이 넓어져 광 강도를 높일 수 있으므로, 노광시간을 짧게 할 수 있고, 생산성을 향상시킬 수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
136
records
(took 0.023 seconds)
