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公开(公告)号：KR1020010019264A
公开(公告)日：2001-03-15
申请号：KR1019990035595
申请日：1999-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a non-volatile semiconductor memory device having a split floating gate is provided to obtain a good profile of a spacer for preventing a reverse tunneling. CONSTITUTION: After a gate oxide layer(11) is grown on a silicon substrate(10), the split floating gate(13) is formed on the gate oxide layer(11) and then an oxide layer(17) is formed thereon. Next, the floating gate(13) and the oxide layer(17) are covered with a tunneling oxide layer(19). After that, a nitride layer(20) is formed over the gate oxide layer(11) and the tunneling oxide layer(19), and an oxide spacer(31) is then formed near lower edges of the floating gate(13). Thereafter, the exposed nitride layer(20) is removed together with the oxide spacer(31) except a masked portion under the oxide spacer(31). Accordingly, the nitride spacer for preventing a reverse tunneling is obtained with a good profile near the lower edges of the floating gate(13).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有分离浮动栅极的非易失性半导体存储器件的方法，以获得用于防止反向隧穿的衬垫的良好轮廓。 构成：在硅衬底（10）上生长栅极氧化物层（11）之后，在栅极氧化物层（11）上形成分离浮栅（13），然后在其上形成氧化物层（17）。 接下来，用隧道氧化物层（19）覆盖浮置栅极（13）和氧化物层（17）。 之后，在栅极氧化物层（11）和隧道氧化物层（19）之上形成氮化物层（20），然后在浮动栅极（13）的下边缘附近形成氧化物隔离物（31）。 此后，除了氧化物间隔物（31）下方的掩模部分之外，与氧化物间隔物（31）一起去除暴露的氮化物层（20）。 因此，在浮动栅极（13）的下边缘附近获得用于防止反向隧穿的氮化物间隔物。
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公开(公告)号：KR1020160015095A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：KR1020140097589
申请日：2014-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 이미지센서및 그의형성방법을제공한다. 상기이미지센서는지지기판상에위치하는무기컬러필터; 상기지지기판상에위치하고, 상기무기컬러필터와이격되는유기컬러필터; 및상기무기컬러필터와상기유기컬러필터사이에위치하는금속패턴을포함한다.
Abstract translation: 提供了图像传感器及其形成方法。 图像传感器包括无机滤色器，有机滤色器和金属图案。 无机滤色器位于支撑基板上。 有机滤色器位于支撑基板上，与无机滤色器间隔开。 金属图案位于无机滤色器和有机彩色滤光片之间。 因此，图像传感器在滤色器之间形成金属图案而不损坏滤色器。
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公开(公告)号：KR1020150088633A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020140009164
申请日：2014-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L23/12
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14687
Abstract: 본발명의적층형이미지센서는제1 기판의일면에서타면으로상기제1 기판내에형성된비아분리층, 상기제1 기판의타면측의상기제1 기판및 비아분리층상에제1 절연층에의하여절연되도록형성된제1 랜딩패드, 상기제1 랜딩패드및 제1 절연층상에위치한제1 접합절연층을구비하는제1 이미지센서구성부와, 제2 기판상에제2 절연층에의하여절연되도록형성된제2 랜딩패드, 상기제2 랜딩패드및 제2 절연층상에위치하고상기제1 접합절연층과접합된제2 접합절연층을구비하는제2 이미지센서구성부와, 상기비아분리층에의해상기제1 기판과절연되고상기제1 랜딩패드와제2 랜딩패드를전기적으로연결한관통비아를포함한다.
Abstract translation: 本发明的叠层型图像传感器包括：第一图像传感器构造部，其包括从第一基板的一侧到第一基板的另一侧形成的通孔分离层，第一着陆垫，其由第一绝缘体 位于第一绝缘层和第一着陆焊盘上的第一接合绝缘层，第二图像传感器配置部分，其包括第二着陆焊盘，第二着陆焊盘 由第二绝缘层绝缘在第二基板上，第二接合绝缘层位于第二绝缘层上并与第一接合绝缘层接合;以及通孔，其通过通孔分离与第一基板绝缘 并且电连接到第一和第二着陆焊盘。
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公开(公告)号：KR101493870B1
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：KR1020080058047
申请日：2008-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14641
Abstract: 로우 셀렉트 트랜지스터의 문턱전압을 소스 팔로워 버퍼 증폭기로 작용하는 드라이브 트랜지스터보다 낮추어 공간적 신호 대 잡음 비를 개선한 CMOS 이미지 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 반도체 기판의 포토 다이오드 영역들과 트랜지스터 영역을 한정하는 소자 분리막을 형성한다. 상기 소자 분리막에 접하는 상기 포토 다이오드 영역들의 일부분들에 제1도전형의 패시베이션 영역을 형성하고, 상기 소자 분리막에 접하되, 상기 포토 다이오드 영역들에 대향하는 상기 트랜지스터 영역의 일부분들에 상기 제1도전형의 문턱 전압 조절층을 형성한다. 상기 문턱 전압 조절층을 포함하는 상기 트랜지스터 영역의 제1부분에 제1채널 이온 주입층을 형성하고 상기 제1부분에 이격되는 제2부분에 제2채널 이온 주입층을 형성한다. 상기 패시베이션 영역을 포함하는 상기 포토 다이오드 영역들로 제2도전형의 불순물을 이온주입하여 포토 다이오드들을 형성한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120038193A
公开(公告)日：2012-04-23
申请号：KR1020100099823
申请日：2010-10-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14603 , H01L27/14618 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H01L2224/13 , H04N5/2253 , H04N5/2254 , H01L27/14687
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device with a rear light receiving image sensor is provided to shorten a signal transmission path via a first through electrode by arranging the first through electrode in a logic region or pixel region. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(20) with a photo diode(34) is formed on a support substrate(10). The semiconductor substrate includes a pixel region with the photo diode and a logic region near the pixel region. An insulation layer(40) is formed between the support substrate and the semiconductor substrate. A first conductive pattern(45) is formed in the insulation layer. A first through electrode(53) is contacted with the first conductive pattern via the support substrate.
Abstract translation: 目的：提供具有后光接收图像传感器的半导体器件，通过将第一贯通电极布置在逻辑区域或像素区域中，经由第一贯通电极来缩短信号传输路径。 构成：具有光电二极管（34）的半导体衬底（20）形成在支撑衬底（10）上。 半导体衬底包括具有光电二极管的像素区域和靠近像素区域的逻辑区域。 在支撑基板和半导体基板之间形成绝缘层（40）。 第一导电图案（45）形成在绝缘层中。 第一穿透电极（53）经由支撑基板与第一导电图案接触。
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公开(公告)号：KR1020080109453A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：KR1020070057807
申请日：2007-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14641 , H04N5/3575 , H04N5/3741 , H04N5/37457 , H04N5/378
Abstract: An image sensor with improved light receiving efficiency is provided to improve saturation signal quantity by reducing the number of charge transfer line and number of vertical signal lines. An image sensor with improved light receiving efficiency includes a plurality of photoelectric conversion elements(11), a floating diffusion area(FD), a transmission transistor(15), and a charge transfer line(TX). The photoelectric conversion element is arrayed to rows and column shape. The floating diffusion area is shared by two photoelectric conversion element which is adjacent to the column direction. The transmission transistor is corresponded with one to one, and the transmission transistor is connected between the photoelectric conversion element and floating diffusion area. The charge transfer line is commonly connected to the gate of the charge transmission transistor which is connected to the different floating diffusion area while being adjacent to the column direction of 2.
Abstract translation: 提供具有改善的光接收效率的图像传感器，通过减少电荷传输线的数量和垂直信号线的数量来改善饱和信号量。 具有提高的光接收效率的图像传感器包括多个光电转换元件（11），浮动扩散区（FD），透射晶体管（15）和电荷传输线（TX）。 光电转换元件排列成行和列的形状。 浮动扩散区域由与列方向相邻的两个光电转换元件共享。 传输晶体管与一对一对应，并且传输晶体管连接在光电转换元件和浮动扩散区域之间。 电荷传输线通常连接到电荷传输晶体管的栅极，该栅极连接到不同的浮动扩散区，同时与列方向2相邻。
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公开(公告)号：KR1020080050850A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020060121671
申请日：2006-12-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L31/02165
Abstract: A back illuminated image sensor is provided to reduce the reflectance of light that penetrates into a substrate and reaches an interface between the substrate and an interlayer dielectric by forming an anti-reflective layer between the substrate and the interlayer dielectric. A photodiode(52) is formed on a substrate(50'). A dielectric layer(56) is formed on a first surface of the substrate. A wire layer(58) is formed in the dielectric layer. An anti-reflective layer is disposed between the substrate and the dielectric layer. Plural color filters(60) are formed on a second surface of the substrate opposite to the first surface. A micro lens(62) is formed on the color filter. First material layers and second material layers, which have different refractive indexes, are laminated in turn to form the anti-reflective layer. The first material is a silicon oxide layer. The second material is a silicon nitride layer. A refractive index of the first material layer is less than that of the second material index.
Abstract translation: 提供背照明图像传感器以通过在基板和层间电介质之间形成抗反射层来减少穿透到基板中并到达基板与层间电介质之间的界面的光的反射率。 在基板（50'）上形成光电二极管（52）。 介电层（56）形成在基板的第一表面上。 在电介质层中形成导线层（58）。 抗反射层设置在基板和电介质层之间。 多个滤色器（60）形成在与第一表面相对的基板的第二表面上。 在滤色器上形成微透镜（62）。 具有不同折射率的第一材料层和第二材料层依次层叠以形成抗反射层。 第一种材料是氧化硅层。 第二种材料是氮化硅层。 第一材料层的折射率小于第二材料指数的折射率。
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公开(公告)号：KR1020080030845A
公开(公告)日：2008-04-07
申请号：KR1020060097299
申请日：2006-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L27/146 , H01L31/10 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L31/112 , H01L27/14609 , H01L29/42324 , H01L29/7883 , H01L29/792 , H01L31/18 , H01L21/28273
Abstract: A semiconductor device and a driving method thereof are provided to improve data holding time of the semiconductor device by using a photosensitive layer including a material whose electron affinity is high. A tunnel dielectric(110) is formed on a semiconductor substrate. A photosensitive layer(120) is formed on the tunnel dielectric. A blocking dielectric(130) is formed on the photosensitive layer. A gate electrode(140) is formed on the blocking dielectric. The photosensitive layer includes a charge trapping layer. The photosensitive layer includes a material whose electron affinity is greater than that of the semiconductor substrate. The photosensitive layer includes GaN or ZnO. The photosensitive layer includes a nano crystalline. The blocking dielectric includes SiO2, HfO, ZrO, LaAlO, or AlO. The gate electrode includes a light transmitting material. The light transmitting material includes ITO or ZnO.
Abstract translation: 提供半导体器件及其驱动方法，以通过使用包括电子亲和力高的材料的感光层来改善半导体器件的数据保持时间。 隧道电介质（110）形成在半导体衬底上。 在隧道电介质上形成感光层（120）。 在感光层上形成阻挡电介质（130）。 在阻挡电介质上形成栅电极（140）。 感光层包括电荷捕获层。 感光层包括其电子亲和力大于半导体衬底的电子亲和力的材料。 感光层包括GaN或ZnO。 感光层包括纳米结晶。 阻挡电介质包括SiO 2，HfO，ZrO，LaAlO或AlO。 栅电极包括透光材料。 透光材料包括ITO或ZnO。
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公开(公告)号：KR100809323B1
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060009372
申请日：2006-01-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14625 , H01L27/14629
Abstract: 크로스토크가 감소하고 감도가 증가된 이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서는 기판, 상기 기판 표면으로부터 이격되어 상기 기판 내에 형성된 제1 도전형의 불순물층, 기판 표면으로부터 제1 도전형의 불순물층까지 연장되어 형성된 제1 분리 영역, 제1 분리 영역보다 깊이가 얕은 제2 분리 영역, 제1 분리 영역에 의해 서로 분리된 다수의 광전 변환 소자 및 제2 분리 영역에 의해 광전 변환 소자와 분리된 독출 소자 및 플로팅 확산 영역을 포함한다.
이미지 센서, 전기적 크로스토크, 광학적 크로스토크, 감도
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