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公开(公告)号：KR1020110064704A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090121411
申请日：2009-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/66045 , B82Y30/00 , H01L51/0048 , H01L51/102
Abstract: PURPOSE: A carbon nanotube transistor array and method for manufacturing a carbon nanotube transistor are provided to control the doping type of a carbon nanotube channel by performing a simple thin film deposition process without a separate doping process. CONSTITUTION: A source(11), a drain(12), and a carbon nanotube channel(13) are formed on a substrate(10). A gate insulating layer(14) is formed on the carbon nanotube channel by an ALD(Atomic Layer Deposition) process which controls a temperature range. An ALD process temperature is 150°C. The carbon nanotube channel has a p type property. The gate insulating layer is made of AI2O3.
Abstract translation: 目的：提供碳纳米管晶体管阵列和制造碳纳米管晶体管的方法，以通过在没有单独的掺杂工艺的情况下执行简单的薄膜沉积工艺来控制碳纳米管通道的掺杂类型。 构成：在衬底（10）上形成源（11），漏极（12）和碳纳米管通道（13）。 通过控制温度范围的ALD（原子层沉积）工艺在碳纳米管通道上形成栅绝缘层（14）。 ALD工艺温度为150°C。 碳纳米管通道具有p型性质。 栅极绝缘层由Al2O3制成。
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公开(公告)号：KR100988087B1
公开(公告)日：2010-10-18
申请号：KR1020030083614
申请日：2003-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15
Abstract: 본 발명은 MRAM 특성 분석 장치 및 그 분석 방법에 관한 것이다. MRAM이 위치하는 MRAM 안착부; 상기 MRAM 안착부 주위에 형성되어 상기 MRAM 안착부에 장착되는 MRAM에 대해 외부 자장을 인가하는 자장 인가부; 상기 MRAM 안착부의 대응되는 위치 상에 형성되는 프루브 카드부; 상기 MRAM의 단위 셀을 지정하는 매트릭스 스위치부; 상기 MRAM의 단위 셀에 내부 자장을 인가하거나, 단위 셀의 저항 값을 측정하는 소스 측정 유닛; 및 상기 측정된 각 MRAM 단위 셀의 저항 값에 관한 정보를 저장하고 분석하는 컴퓨터 유닛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 MRAM 특성 분석 장치 및 이에 의한 MRAM 특성 분석 방법을 제공하여, MRAM 어레이 전체에 대해 각각의 단위 셀에 대한 특성을 비교적 간단한 구성으로 빠른 시간 내에 분석 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070091097A
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：KR1020070086282
申请日：2007-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C5/025 , G11C13/0069 , G11C16/10
Abstract: A nonvolatile memory device including one switching device and one resistor is provided to reduce fabrication cost of the product by enabling mass production using the conventional DRAM process, and to prevent memory characteristics of the resistor from being influenced by integration density. A nonvolatile memory device includes a substrate and a transistor formed on the substrate. A data storage part is connected to a drain of the transistor. The data storage part includes a data storage material layer which has different resistance characteristics on different voltage regions, especially first resistance indicating a first data state when a write voltage is applied and second resistance different from the first resistance and indicating a second data state when a write voltage is applied. The first and the second data state are read by applying a read voltage which does not change a data state of the data storage material layer.
Abstract translation: 提供了包括一个开关器件和一个电阻器的非易失性存储器件，以通过使用常规DRAM工艺进行批量生产，并且防止电阻器的存储器特性受到集成密度的影响来降低产品的制造成本。 非易失性存储器件包括衬底和形成在衬底上的晶体管。 数据存储部分连接到晶体管的漏极。 数据存储部分包括在不同电压区域具有不同电阻特性的数据存储材料层，特别是当施加写入电压时指示第一数据状态的第一电阻和与第一电阻不同的第二电阻，并且当第 施加写入电压。 通过施加不改变数据存储材料层的数据状态的读取电压来读取第一和第二数据状态。
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公开(公告)号：KR100745752B1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：KR1020050056228
申请日：2005-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/17 , H01J2201/30469 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/845
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브(CNT)로부터 탄소불순물을 선택적으로 제거하는 방법에 관한 것으로, 밀폐된 공간 내 진공에서 황(sulfur)과 합성된 탄소나노튜브(CNT)에 부착된 불순물을 황화 반응시켜 제거시키는 것을 특징으로 하며, 더욱 상세하게는 탄소나노튜브 벽은 황과 반응하지 않고, 오직 탄소나노튜브에 부착된 탄소불순물만이 황화반응(C+2S-->CS
2 )하여 비정질 탄소만을 선택적으로 제거되는 정제방법으로 디바이스에 합성된 탄소나노튜브(CNT)로부터 탄소불순물을 황화반응에 의하여 선택적으로 제거하는 방법에 관한 것이다.
황화(Sulfidation), 탄소나노튜브(CNT), 전계효과트랜지스터(FET), 정제(Purification)-
公开(公告)号：KR1020070065277A
公开(公告)日：2007-06-22
申请号：KR1020070045511
申请日：2007-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C01B32/17 , B82B3/0009 , B82B3/008 , B82B3/0095 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B2202/30
Abstract: A method for eliminating carbonaceous impurities from carbon nano-tubes(CNT) is provided to purify CNT combined with sulfur without damage or modification of CNT by selectively removing the impurities adhered to sulfur combined CNT through sulfidization in a sealed space under vacuum condition. The method includes: first step of preparing carbon nano-tubes and sulfur in a sealed space; second step of heating the sulfur to higher than the temperature for sulfidization of carbonaceous impurities deposited on the carbon nano-tubes; and third step of removing the carbonaceous impurities from the carbon nano-tubes through sulfidization. The sulfidization temperature is higher than 150deg.C. The sulfur contained in the sealed space is a solid form of sulfur. The first step further contains formation of vacuum condition by exhausting air out of the sealed space. The second step is carried out by maintaining temperature of about 300deg.C for about 30 minutes.
Abstract translation: 提供了从碳纳米管（CNT）中除去碳质杂质的方法，通过在真空条件下的密封空间中通过硫化除去附着在硫组合CNT上的杂质，来净化CNT与硫的结合而不损坏或改性CNT。 该方法包括：在密封空间中制备碳纳米管和硫的第一步; 将硫加热到高于沉积在碳纳米管上的含碳杂质的硫化温度的第二步骤; 以及通过硫化从碳纳米管除去含碳杂质的第三步骤。 硫化温度高于150℃。 包含在密封空间中的硫是固体形式的硫。 第一步还包括通过从密封空间排出空气来形成真空状态。 第二步通过保持约300℃的温度进行约30分钟。
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公开(公告)号：KR1020070008030A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：KR1020050062931
申请日：2005-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , H05H1/46 , H05H2001/4667 , Y10S977/845 , H05H1/24 , H05H1/30
Abstract: A low temperature growth method of carbon nanotubes, which can grow single-walled carbon nanotubes of high quality in a relatively low temperature range, is provided. A low temperature growth method of single-walled carbon nanotubes comprises the steps of: preparing a vacuum chamber(10); preparing a substrate(20) on which a catalytic metal(22) is deposited within the vacuum chamber; vaporizing H2O to supply the vaporized H2O into the vacuum chamber; generating H2O plasma discharge within the vacuum chamber; and supplying a source gas into the vacuum chamber in a flux range of 20 to 60 sccm to grow carbon nanotubes(30) on the substrate in the H2O plasma atmosphere. The H2O plasma has a power controlled to 80 W or less. The carbon nanotubes are grown in a temperature range of 500 deg.C or less for 10 to 600 seconds. The catalytic metal is at least one selected from the group consisting of Fe, Ni and Co. The source gas is at least one selected from the group consisting of C2H2, CH4, C2H4, C2H6 and CO. The substrate is a substrate made of Si, SiO2 or glass.
Abstract translation: 提供了一种能够在较低温度范围内生长高质量单壁碳纳米管的碳纳米管的低温生长方法。 单壁碳纳米管的低温生长方法包括以下步骤：制备真空室（10）; 制备在真空室内沉积有催化金属（22）的基底（20）; 蒸发H 2 O以将蒸发的H 2 O供应到真空室中; 在真空室内产生H 2 O等离子体放电; 并在20〜60sccm的通量范围内将原料气体供给到真空室中，以在H 2 O等离子体气氛中在基板上生长碳纳米管（30）。 H2O等离子体的功率控制在80W以下。 碳纳米管在500℃以下的温度范围内生长10〜600秒。 催化剂金属是选自Fe，Ni和Co中的至少一种。源气体是选自由C 2 H 2，CH 4，C 2 H 4，C 2 H 6和CO组成的组中的至少一种。衬底是由Si ，SiO2或玻璃。
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公开(公告)号：KR100668355B1
公开(公告)日：2007-01-12
申请号：KR1020060015153
申请日：2006-02-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/335 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , D01F11/121 , H01L51/002 , H01L51/0545
Abstract: A unipolar carbon nanotube having a carrier trapping material and a unipolar field effect transistor are provided to convert amipolar property into bipolar property by encapsulating the carrier trapping material in a carbon nanotube. An insulating layer(21) separates a gate from source and drain electrodes(23,24). A carbon nanotube(29) is electrically contacted to the source and the drain electrodes. The carbon nanotube functions as a channel region of a field effect transistor. A carrier trapping material is encapsulated in the carbon nanotube. The carbon nanotube is doped with the carrier trapping material. The carrier trapping material is a halogen molecule and the field effect transistor is a P-type transistor.
Abstract translation: 提供具有载流子俘获材料和单极场效应晶体管的单极碳纳米管，通过将载流子捕获材料封装在碳纳米管中，将双极性质转化为双极性质。 绝缘层（21）将栅极与源极和漏极（23,24）分离。 碳纳米管（29）与源电极和漏电极电接触。 碳纳米管用作场效应晶体管的沟道区。 载体捕获材料被包封在碳纳米管中。 碳纳米管掺杂有载体捕获材料。 载流子捕获材料是卤素分子，场效应晶体管是P型晶体管。
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公开(公告)号：KR100668301B1
公开(公告)日：2007-01-12
申请号：KR1020040055617
申请日：2004-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , Y10S977/742 , Y10S977/777
Abstract: 본 발명은 실리콘 산화물 상에 형성된 나노 도트 구조체 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성된 실리콘 산화층; 상기 실리콘 산화층 상에 균일하게 정렬 형성된 다수의 나노 도트; 및 상기 나노 도트와 대응되는 영역의 상기 실리콘 기판과 상기 실리콘 산화층 사이에 형성된 금속 나노 도트;를 포함하는 실리콘 산화물 상에 형성된 나노 도트 구조체 및 그 제조 방법을 제공함으로써, 광학 소자 또는 반도체 소자의 문턱 전류를 낮추거나, 리텐션 특성을 향상시킬 수 있게 한다.
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公开(公告)号：KR1020060094862A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：KR1020060009821
申请日：2006-02-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/28 , H01L29/8605
CPC classification number: H01L21/02603 , H01L21/28026 , H01L29/0669 , H01L29/8605
Abstract: 본 발명은 실리콘 나노 와이어, 실리콘 나노 와이어를 포함하는 반도체 소자 및 실리콘 나노 와이어의 제조 방법에 관한 것이다. (가) 실리콘 기판 표면에 규칙적으로 형성된 다수의 마이크로 캐버티 형태를 포함하는 마세 굴곡을 형성시키는 단계; (나) 상기 기판 상에 나노 와이어 형성을 위한 촉매 작용을 하는 물질을 증착하여 금속층을 형성시키는 단계; (다) 상기 금속층을 가열함으로써, 상기 기판 표면의 미세 굴곡 내에 상기 금속층을 덩어리화하여 촉매를 형성시키는 단계; 및 (라) 상기 촉매와 상기 기판 사이에 나노 와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 실리콘 나노 와이어 제조 방법과 이에 의해 제조된 실리콘 나노 와이어 및 실리콘 나노 와이어를 포함하는 반도체 소자를 제공한다.
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