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公开(公告)号：KR1020080064547A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：KR1020070001578
申请日：2007-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: A method for etching a thin film is provided to improve etch efficiency of Ga-In-Zn-O layer and to obtain an etch surface having an excellent etch slope. A method for etching a thin film includes: forming Ga-In-Zn-O layer(110) on a substrate(100); forming a mask layer covering a part of the Ga-In-Zn-O layer; and etching the Ga-In-Zn-O layer by using the mask layer as an etch barrier. An etch gas used during etching is a first gas containing chlorine. The Ga-In-Zn-O layer is formed by a sputtering process. A target material used during sputtering includes In2O3, Ga2O3, and ZnO. The Ga-In-Zn-O layer is Gax+yInx+zZnxO(1
Abstract translation: 提供蚀刻薄膜的方法以提高Ga-In-Zn-O层的蚀刻效率，并获得具有优异蚀刻斜率的蚀刻表面。 蚀刻薄膜的方法包括：在基板（100）上形成Ga-In-Zn-O层（110）; 形成覆盖Ga-In-Zn-O层的一部分的掩模层; 并通过使用掩模层作为蚀刻阻挡层蚀刻Ga-In-Zn-O层。 在蚀刻期间使用的蚀刻气体是含有氯的第一气体。 Ga-In-Zn-O层通过溅射法形成。 溅射中使用的靶材料包括In2O3，Ga2O3和ZnO。 Ga-In-Zn-O层是Gax + yInx + zZnxO（1 <= y <= 1.7,1 <= z <= 1.5）层。 第一种气体是Cl2，BCl3和CCl3之一。 蚀刻气体还包括含有CnH2n + 2的第二气体。 蚀刻气体还包括H 2气体。
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公开(公告)号：KR100707643B1
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1020030087110
申请日：2003-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B6/02
Abstract: 본 발명은 고분자 광학요소의 처리 방법에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 (a) 고분자 광학요소를 채임버 내에 장착하는 단계; (b) 상기 채임버 내로 어닐링 매질인 압축가스를 투입하여 고분자 광학요소를 어닐링하는 단계; 및 (c) 상기 어닐링 매질을 채임버로부터 제거하는 단계로 이루어지는 고분자 광학요소의 처리 방법에 관한 것이며, 본 발명에 의해 광통신용 또는 디스플레이용 비정질 투과성 고분자 광학요소를 어닐링하여 광학 물성 저하의 원인이 되는 분자 배향 및 잔류응력을 제거하는 새로운 방법을 제공할 수 있다.
고분자 광학요소, 압축 가스, 어닐링, 초임계 유체, 이산화탄소, 광손실, 플라스틱 광섬유-
公开(公告)号：KR100682946B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050046127
申请日：2005-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/143 , G11C2213/52 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 상전이 램(PRAM) 및 그 동작 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 스위칭 소자에 연결된 하부전극, 상기 하부전극 상에 형성된 하부전극 콘택층, 상기 하부전극 콘택층 상에 구비되고, 밑면의 일부 영역이 상기 하부전극 콘택층의 상부면과 접촉된 상전이층 및 상기 상전이층 상에 형성된 상부전극을 포함하되, 상기 하부전극 콘택층은 씨백 계수가 -11~-3000(㎶/K)이고, 열전도도가 0.0001-0.29(W/cm.K)이며, 전기 저항이 1-10(mOhm.cm)인 물질층인 것을 특징으로 하는 PRAM과 그 동작 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100532590B1
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：KR1020020068850
申请日：2002-11-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/004
CPC classification number: C08G73/1017 , C08G73/101 , C08G73/1014 , C08G73/1039 , C08G73/1064 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/115 , Y10S430/12 , Y10S430/122 , Y10S430/126 , Y10S525/928
Abstract: 본 발명은 감광성 폴리이미드 전구체용 가용성 폴리이미드 및 이를 포함한 감광성 폴리이미드 전구체 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 측쇄에 히드록시기와 아세탈기를 포함하고, 한 쪽 또는 양 쪽 말단에 반응성 봉쇄기를 포함한 가용성 폴리이미드, 및, 상기 가용성 폴리이미드, 한 쪽 또는 양 쪽 말단에 반응성 봉쇄기를 포함한 폴리아믹산, 광에 의한 산발생제(Photo Acid Generator: PAG) 및 필요에 따라 용해억제제를 포함하는 감광성 폴리이미드 전구체 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 가용성 폴리이미드는 산의 존재하에 알칼리 수용액에 대한 용해성의 변화가 크고, 코팅시 매우 평탄한 필름을 수득할 수 있으며, 말단 반응성 봉쇄기의 존재로 이어지는 열경화시 중합체 간 가교가 형성될 수 있는 바, 감광성 폴리이미드에 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 경우, 코팅시 평탄성이 우수하며, 노광부와 비노광부 간의 용해속도의 차가 커서, 적은 양의 감광제로도 고해상도의 패턴을 수득할 수 있을 뿐만 아니라 두꺼운 폴리이미드층의 제조가 가능하며, 후속의 경화공정에 있어 필름의 막 수축률이 낮고, 수득된 폴리이미드 필름의 물성이 우수하다.-
公开(公告)号：KR1020040087643A
公开(公告)日：2004-10-15
申请号：KR1020030021667
申请日：2003-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B6/00
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a preform of a plastic optical fiber is provided to diffuse easily a monomer of a high refractive index by using supercritical fluid or high-pressure fluid as a diffusion medium. CONSTITUTION: A cylinder(1) is used for supplying a reacting medium. A control unit(4) is used for monitoring a pressure controller(2) and a temperature controller(3). An input unit(5) mixes a monomer with the reacting medium and inputs a mixture of the monomer and the reacting medium. A cylindrical rotating reactor(6) is used for polymerizing the mixture and forming a polymer. A driving shaft(7) is used for rotating the cylindrical rotating reactor. A heating source and a light source(8) are used for performing a monomer polymerization process.
Abstract translation: 目的：提供一种制造塑料光纤预成型体的方法，通过使用超临界流体或高压流体作为扩散介质容易地扩散高折射率的单体。 构成：气瓶（1）用于提供反应介质。 控制单元（4）用于监视压力控制器（2）和温度控制器（3）。 输入单元（5）将单体与反应介质混合并输入单体和反应介质的混合物。 使用圆柱形旋转反应器（6）聚合混合物并形成聚合物。 驱动轴（7）用于旋转圆柱形旋转反应器。 使用加热源和光源（8）进行单体聚合过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040020300A
公开(公告)日：2004-03-09
申请号：KR1020020051875
申请日：2002-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C08J5/00
CPC classification number: B29D11/00721
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method for a plastic optical fiber preform by which the processing and preform property are improved, compared with a conventional method using one of thermal polymerization or photopolymerization, is provided by adopting both thermal polymerization and photopolymerization. The method can prevent disadvantages such as bubble generation or clogging of an input hole of reactor when using only thermal polymerization initiator, such as increase in optical loss, low mechanical strength, and generation of crack when using only photopolymerization initiator. CONSTITUTION: The manufacturing method for a plastic optical fiber preform comprises the steps of: charging a reactor with reactants including a thermal polymerization initiator and photopolymerization initiator; and carrying out thermal polymerization and photopolymerization simultaneously or alternately while rotating the reactor.
Abstract translation: 目的：与使用热聚合或光聚合的常规方法相比，通过采用热聚合和光聚合来提供与塑料光纤预制品相比，改善了处理和预型性能的制造方法。 当仅使用热聚合引发剂时，如仅使用光聚合引发剂时，可以防止诸如增加光损耗，低机械强度和产生裂纹的反应器的输入孔的气泡产生或堵塞等缺点。 构成：塑料光纤预制棒的制造方法包括以下步骤：用包含热聚合引发剂和光聚合引发剂的反应物装入反应器; 并在旋转反应器的同时或交替进行热聚合和光聚合。
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公开(公告)号：KR1020170087049A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：KR1020170009162
申请日：2017-01-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/301 , H01L51/42 , H01L51/441 , H01L51/448 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/552 , Y02E10/549
Abstract: 서로마주하는제1 전극과제2 전극상기제1 전극과제2 전극사이에위치하는광전변환층및 상기광전변환층과상기제2 전극사이에위치하는버퍼층을포함하고, 상기버퍼층은실리콘나이트라이드(SiN, 0
Abstract translation: 以及位于所述光电转换层与所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层由选自以下的材料制成：氮化硅（SiN ，0
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公开(公告)号：KR1020160084162A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：KR1020150000725
申请日：2015-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L51/44 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L51/107 , H01L2251/303 , H01L51/447 , H01L27/14665 , H01L51/442
Abstract: 광이입사하는측에위치하는제1 투광전극, 상기제1 투광전극과마주보는제2 투광전극, 상기제1 투광전극과제2 투광전극사이에위치하는활성층, 및상기제1 투광전극상부에위치하는자외선차단층을포함하며, 상기자외선차단층은 380 nm 이하광의투과율이 75% 이하인 1종이상의금속산화물을포함하는유기광전소자, 및상기유기광전소자를포함하는이미지센서를제공한다.
Abstract translation: 提供了使用有机光电装置的有机光电装置和图像传感器。 有机光电装置包括位于光入射侧的第一透光电极，与第一透光电极相对的第二透光电极，位于第一透光电极与第二透光电极之间的有源层 以及位于第一透光电极的上部的紫外线阻挡层。 紫外线阻挡层包括光的透射率等于或大于380nm的至少一种金属氧化物为75％以下。
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公开(公告)号：KR1020150039052A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：KR1020130117592
申请日：2013-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/30625 , H01L21/31051 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/1606 , H01L29/24 , H01L29/42364 , H01L29/4238 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/66045 , H01L29/7781 , H01L29/513 , H01L29/4232 , H01L29/7802
Abstract: 반도체소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된반도체소자는소오스, 드레인및 이들사이의반도체요소와, 상기소오스와반도체요소상에상기드레인과이격된그래핀층을포함할수 있다. 상기반도체요소는상기소오스와이격될수 있고, 상기드레인과접촉될수 있다. 상기그래핀층은평탄한구조를가질수 있다. 상기그래핀층상에게이트절연층및 게이트가구비될수 있다. 상기반도체소자는트랜지스터일수 있다. 상기반도체소자는배리스터(barristor) 구조를가질수 있다. 상기반도체소자는평면형(planar type) 그래핀배리스터일수 있다.
Abstract translation: 公开了一种半导体器件及其制造方法。 所公开的半导体器件包括：源极和漏极; 它们之间的半导体元件; 以及与源极和半导体元件上的漏极分离的石墨烯层。 半导体元件可以与源分离并与漏极接触。 石墨烯层可以具有平坦的结构。 栅极绝缘层和栅极可以形成在石墨烯层上。 半导体层可以是晶体管。 该半导体器件可以具有防结构的结构。 半导体器件可以是平面型石墨烯阻尼器。
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