公开(公告)号：KR1020010027005A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990038560

申请日：1999-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박동진 ,  안승현 ,  임광신 ,  고용균

IPC: C09K13/00

CPC classification number: C09K13/00 ,  B81C1/0092 ,  H01L21/02057

Abstract: PURPOSE: An organic compound used for manufacturing semiconductor element is provided by excluding the use of acidic compounds for etching the surface. The compound makes possible to etch only copper without affecting other coat materials. CONSTITUTION: An organic compound used for manufacturing semiconductor element is characterized by including 5wt%-50wt% of hydroxylamine, 10wt%-80wt% of at least one alkanol amine, which can be miscible with the hydroxylamine, and about 30wt% of a compound selected from the following three compounds of formulae (1), (2) and (3): in the compound of formula (1), R1 and R2 is a group selected from H, t-butyl, OH or COOH; in the compound of formula (2), R3 is a group selected from either OH or COOH; and in the compound of formula (3), which is an ethylene diamine tetracarboxylic acid, each R4, R5, R6, and R7 is a group selected from H or NH4 or ammonium salts.

Abstract translation: 目的：通过排除使用用于蚀刻表面的酸性化合物来提供用于制造半导体元件的有机化合物。 该化合物使得只能蚀刻铜而不影响其它涂层材料成为可能。 构成：用于制造半导体元件的有机化合物的特征在于包括5重量％-50重量％的羟胺，10重量％-80重量％的至少一种可与羟胺混溶的链烷醇胺，和约30重量％的选自 由式（1），（2）和（3）的三种化合物组成：式（1）化合物中R 1和R 2为选自H，叔丁基，OH或COOH的基团; 在式（2）的化合物中，R 3是选自OH或COOH的基团; 在作为乙二胺四羧酸的式（3）化合物中，R 4，R 5，R 6和R 7为选自H或NH 4或铵盐的基团。

公开(公告)号：KR1020160086631A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：KR1020150004210

申请日：2015-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  동우 화인켐 주식회사

Inventor： 이안호 ,  안승현 ,  양진석 ,  김상태 ,  성시진 ,  이경호

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/38

CPC classification number: G03F7/168 ,  G03F7/091 ,  G03F7/162 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/266 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  G03F7/422 ,  G03F7/38

Abstract: 씬너조성물은조성물의총 중량대비, 아세테이트(acetate) 계열화합물 30 중량% 내지 70 중량%, 락테이트(lactate) 계열화합물 1 중량% 내지 20 중량%, 프로피오네이트(propionate) 계열화합물 30 중량% 내지 60 중량%, 및에테르계열첨가제 10 ppm 내지 500 ppm을포함하며, 포토레지스트물질에대해우수한 EBR 특성및 RRC 특성을갖는다.

Abstract translation: 更薄的组合物包含：基于组合物的总重量，30-70重量％的乙酸酯基化合物; 1-20重量％的乳酸盐基化合物; 30-60重量％的丙酸酯基化合物; 和10-500ppm的醚基添加剂。 更薄的组成对于光致抗蚀剂材料具有优异的EBR特性和RRC特性。

公开(公告)号：KR1020040033526A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：KR1020020062652

申请日：2002-10-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현 ,  전상문 ,  정회식 ,  최백순 ,  임영철 ,  배은미 ,  장옥석

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A thinner composition and a stripping method of photoresist using the same are provided to be capable of obtaining excellent stripping characteristics and reducing the cost of thinner composition. CONSTITUTION: A thinner composition for stripping photoresist is mainly made of propylene glocol monomethyl ether acetate, ethyl 3-ethoxy propionate, and gamma-butyrolactone. Preferably, the contents of the propylene glocol monomethyl ether acetate, the ethyl 3-ethoxy propionate, and the gamma-butyrolactone are 50-80 weight%, 10-45 weight%, and 1-12 weight%, respectively. Preferably, the contents are 53-75 weight%, 12-30 weight%, and 2-10 weight%, respectively. Preferably, the thinner composition further contains surfactant.

Abstract translation: 目的：提供更薄的组合物和使用其的光致抗蚀剂的剥离方法，以能够获得优异的剥离特性并降低较薄组合物的成本。 构成：用于剥离光刻胶的较薄组合物主要由丙烯甘油单甲醚乙酸酯，3-乙氧基丙酸乙酯和γ-丁内酯制成。 丙烯·甘油单甲醚乙酸酯，3-乙氧基丙酸乙酯，γ-丁内酯的含量优选分别为50〜80重量％，10-45重量％，1-12重量％。 优选的含量分别为53-75重量％，12-30重量％和2-10重量％。 优选地，较薄的组合物还含有表面活性剂。

公开(公告)号：KR1020000007554A

公开(公告)日：2000-02-07

申请号：KR1019980026955

申请日：1998-07-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현 ,  변광선

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A method of etching an aluminum layer is provided to make temperature control unnecessary by effectively removing the aluminium layer on a high temperature using a tetramethyl ammonium hydroxide dilute solution as an etchant. CONSTITUTION: The method comprises the steps of filling a chemical bath of a wet station with tetramethyl ammonium hydroxide having a concentrate of 1 to 20 weight percent; depositing a wafer in the chemical bath under high temperature and atmospheric pressure, wherein an aluminum layer is formed in the wafer. Using tetramethyl ammonium hydroxide as an etchant, the aluminium layer is effectively etched at a high temperature.

Abstract translation: 目的：提供一种蚀刻铝层的方法，通过使用四甲基氢氧化铵稀溶液作为蚀刻剂，在高温下有效地除去铝层，从而不需要温度控制。 方案：该方法包括以浓度为1至20重量％的四甲基氢氧化铵填充湿站的化学浴的步骤; 在高温和大气压下将晶片沉积在化学浴中，其中在晶片中形成铝层。 使用四甲基氢氧化铵作为蚀刻剂，铝层在高温下被有效地蚀刻。

公开(公告)号：KR1019980041525A

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019960060828

申请日：1996-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 청정실내로 반입되는 물건에 대한 살균 및 수분조절기능을 갖는 반도체 청정실용 패스박스에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 청정실용 패스박스는, 본체(1)에 미생물을 살균하기 위한 살균등(5)과 건조한 질소가스를 유입시키는 다수의 질소가스인입구(6) 및 배기를 위한 배기구(7)가 더 형성되어 이루어진다.
따라서, 물품에 부착된 미생물의 살균으로 미생물에 의한 웨이퍼의 재오염을 방지하고, 또 수분의 조절에 의하여 청정실내의 환경을 일정하게 유지시켜 반도체 장치의 수율을 높이는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970053231A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950051499

申请日：1995-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현 ,  정경희

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 웨이퍼상에 형성된 폴리실리콘막내에 있는 금속성분의 량을 측정하여 금속오염의 정도를 측정하는 방법에 관한 것으로서, 시약을 사용하여 상기 폴리실리콘막을 용해하는 단계와; 상기 시약을 전처리하여 매트릭스를 제거하는 단계와; 상기 매트릭스가 제거된 시약을 정량분석하여 극미량의 금속성분을 측정하는 단계를 포함한다. 상술한 측정방법에 의하면, 웨이퍼상에 형성된 폴리실리콘막에 대해서 웨이퍼레벨의 금속오염정도를 극히 정밀하게 분석할 수 있다.

公开(公告)号：KR102018293B1

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：KR1020120009555

申请日：2012-01-31

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  동우 화인켐 주식회사

Inventor： 강동민 ,  김성훈 ,  강인구 ,  김태성 ,  명중재 ,  김상태 ,  성시진 ,  송인각 ,  안승현 ,  조규철

IPC: C08L93/04 ,  C08K5/09 ,  H01B1/12 ,  H01L21/60

公开(公告)号：KR101829399B1

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：KR1020100019538

申请日：2010-03-04

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  솔브레인 주식회사

Inventor： 이안호 ,  임정훈 ,  홍영택 ,  김현탁 ,  박성환 ,  최백순 ,  안승현 ,  이병일

IPC: G03F7/42 ,  C11D11/00

CPC classification number: G03F7/42

Abstract: 본발명은감광성수지제거제조성물및 이를이용하는반도체제조방법을제공한다. 이감광성수지제거제조성물은아민화합물과탈이온수를포함하되탈이온수의함량이 45~99 중량%이다. 이감광성수지제거제조성물은제거촉진제를더 포함한다. 이감광성수지제거제조성물은경화되거나변성된감광성수지및 그부산물을효과적으로짧은시간안에제거할수 있다. 또한이 감광성수지제거제조성물은금속에대한부식을최소화할수 있다.이감광성수지제거제조성물은물의함량이 45~99 중량%로높아서, 후속의세정공정에서이소프로필알콜없이증류수만을이용하는것이가능하다. 이로써전체공정을단순화시킬수 있다.

Abstract translation: 本发明提供一种光敏树脂去除剂组合物及使用其的半导体制造方法。 光敏剂树脂去除剂组合物含有胺化合物和去离子水，其中去离子水含量为45至99重量％。 光敏剂树脂去除剂组合物还包含去除促进剂。 光敏剂去除树脂组合物可以在短时间内有效地去除固化或改性的光敏树脂及其副产物。 的感光性树脂除去剂组合物也可以被最小化金属的腐蚀。Yigam光成分去除树脂组合物也能够在清洗过程中的水含量为仅使用蒸馏水，而不异丙醇是高的，随后以45至99％（重量）。 这简化了整个过程。

公开(公告)号：KR1020130088360A

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：KR1020120009555

申请日：2012-01-31

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  동우 화인켐 주식회사

Inventor： 강동민 ,  김성훈 ,  강인구 ,  김태성 ,  명중재 ,  김상태 ,  성시진 ,  송인각 ,  안승현 ,  조규철

IPC: C08L93/04 ,  C08K5/09 ,  H01B1/12 ,  H01L21/60

CPC classification number: B23K35/362 ,  B23K35/3612 ,  B23K35/3613 ,  B23K35/3618 ,  H01L24/11 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A flux composition for solder bumps is provided to have the flux composition in which flux reflow profile and copper corrosion property are excellent, thereby having the excellent bump shape and forming the solder bump in which the defective product is not generated. CONSTITUTION: A flux composition for forming solder bumps includes resin, activator and solvent; and the resin comprises gum rosin and rosin ester; a mass ratio of the gum rosin versus rosin ester is 60:40 ~ 90:10. In addition, a semiconductor device manufacturing method comprises: a step of forming a bump (15) on the substrate (1); a step of providing the flux composition to cover the bump; a step of reflowing the bump; a step of removing a residual flux composition.

Abstract translation: 目的：提供焊锡凸块用助焊剂组合物，其具有焊剂组成，其中焊剂回流曲线和铜腐蚀性能优异，从而具有优异的凸块形状并形成不产生缺陷产物的焊料凸块。 构成：用于形成焊料凸块的焊剂组合物包括树脂，活化剂和溶剂; 树脂包括松香和松香酯; 松香与松香酯的质量比为60:40〜90:10。 此外，半导体器件制造方法包括：在衬底（1）上形成凸块（15）的步骤; 提供焊剂组合物以覆盖凸块的步骤; 回流的一个步骤; 去除残余焊剂组合物的步骤。

公开(公告)号：KR100793241B1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：KR1020060054995

申请日：2006-06-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 동진쎄미켐

Inventor： 김은정 ,  안승현 ,  김정은 ,  나영임 ,  최백순 ,  이동준 ,  김성배 ,  김병욱 ,  윤석일 ,  신성건

IPC: G03F7/32

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C03C17/30 ,  C03C23/008 ,  C03C2218/328 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133

Abstract: 실리콘 고분자 및 포토레지스트 제거용 조성물, 이를 이용한 막 제거 방법 및 패턴 형성 방법에서, 수산화 제4암모늄, 설폭사이드 화합물, 디알킬렌글리콜알킬에테르 및 물을 포함하는 조성물을 실리콘 고분자막 및 포토레지스트막에 적용하여 제거한다. 하부막의 손상을 방지하고 파티클을 발생시키지 않으면서 하드 마스크막으로 사용되는 실리콘 고분자막 및 포토레지스트막을 인-시튜로 제거할 수 있다.