公开(公告)号：KR102085523B1

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：KR1020130117842

申请日：2013-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정환 ,  김현준 ,  서종범 ,  임기빈 ,  임한진

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

公开(公告)号：KR101485537B1

公开(公告)日：2015-01-23

申请号：KR1020070079060

申请日：2007-08-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정환 ,  이고운 ,  변상천

IPC: G06F3/0489 ,  G06F3/023 ,  G06F3/02

CPC classification number: G06F3/0236 ,  G06F3/04886

Abstract: 입력 수단으로 화상키보드를 사용하는 방법 및 장치가 제공된다. 입력 수단으로 화상키보드를 사용하는 방법은 화상키보드보다 키(key)의 개수가 적은 입력 키를 가진 입력 수단으로부터 선택된 제 1 키 정보를 수신하는 단계, 상기 수신된 제 1 키에 대응하여, 상기 화상키보드의 숫자가 포함된 다수의 키들로 구성되는 기 설정된 그룹 중 사전 지정된 키가 하이라이트(highlight)되는 단계 및 상기 입력 수단의 제 2 키 선택에 따라 상기 화상키보드의 하이라이트가 이동하는 단계를 포함한다.
화상키보드(On Screen Keyboard, OSK), 리모컨

公开(公告)号：KR101456976B1

公开(公告)日：2014-11-03

申请号：KR1020080053786

申请日：2008-06-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김범근 ,  김경영 ,  오정환 ,  이범석

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G11C29/56 ,  G11C29/56004

Abstract: 본 발명은 메모리 테스트 디바이스 및 메모리 테스트 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 테스트 디바이스는 소정의 일반 명령어에 의한 연산을 수행하기 위한 일반 레지스터와; 상기 일반 레지스터보다 큰 용량을 가지며, 소정의 확장 명령어에 의한 연산을 수행하기 위한 확장 레지스터와; 상기 확장 명령어를 이용하여 외부 메모리에 소정의 테스트 패턴을 라이트하고, 상기 메모리에 라이트된 테스트 패턴을 리드하고, 라이트된 테스트 패턴과 리드된 테스트 패턴의 동일성을 판단하고, 상기 일반 명령어를 이용하여 상기 메모리의 오류 여부를 판단하는 제어부를 포함한다. 이에 의해 테스트 시간을 단축시킬 수 있는 메모리 테스트 디바이스 및 메모리 테스트 방법이 제공된다.
MMX, SSE, 레지스터

公开(公告)号：KR101255323B1

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：KR1020060047750

申请日：2006-05-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정환

IPC: G02F1/133

Abstract: 본 발명은 휴대 단말의 LCD(Liquid Crystal Display) 백-라이트(Back-Light)를 이용한 절전 장치 및 방법에 관한 것으로, LCD 디스플레이부를 구비하는 휴대 단말에서 시스템의 부팅 및 종료가 진행되는 동안 LCD의 백-라이트를 자동으로 온(ON)/오프(OFF)하여 LCD 백-라이트의 소비전력을 낮춤으로써, 휴대 단말의 전체 소비전력을 줄이기 위한 것이다.
LCD, 백-라이트, 바이오스, 씨모스

公开(公告)号：KR100718837B1

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：KR1020040116453

申请日：2004-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영진 ,  이현덕 ,  남석우 ,  이용재 ,  임현석 ,  황완구 ,  이진일 ,  오정환

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/84 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: HSG 실리콘층을 구비하는 캐패시터의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법이 개시된다. 기판의 콘택 영역에 전기적으로 연결되며 폴리 실리콘을 포함하는 스토리지 전극을 형성한 후, 스토리지 전극 상으로 실리콘을 함유하는 제1 가스 및 제2 가스를 약 1：0.1∼1：5.0 정도의 유량비로 포함하는 혼합 가스를 제공하여 스토리지 전극 상에 HSG 실리콘층을 형성한다. HSG 실리콘층 상에는 유전층 및 플레이트 전극이 형성된다. HSG 실리콘층의 HSG 그레인 사이즈를 용이하게 조절하여 특히 스토리지 전극의 저부에서 HSG 그레인의 이상 성장을 억제할 수 있다. 따라서, 스토리지 전극 상에 균일한 HSG 실리콘층을 형성하여 스토리지 전극의 구조적 열화를 방지할 수 있으며, 캐패시터의 전기적 결함을 크게 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060114499A

公开(公告)日：2006-11-07

申请号：KR1020050036632

申请日：2005-05-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유영섭 ,  오정환 ,  형용우 ,  임헌형

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: An image sensor and its manufacturing method are provided to reduce random noise by using a gate conductive layer comprised of an oxide without containing nitrogen. A photo diode(22) is formed under a surface of a substrate(20). A gate structure(29) is formed on a side of a substrate where the photo diode is formed. The gate structure has a gate dielectric(24) comprised of oxide without containing nitrogen and a gate conductive layer(26) formed on the gate dielectric. The photo diode includes a first photo diode(22a) where a first impurity is doped and a second photo diode(22b) where a second impurity is doped on a lower part from the substrate. The first photo diode is formed on a lower part from the substrate and the second photo diode is formed on a lower part from the first photo diode.

Abstract translation: 提供一种图像传感器及其制造方法，通过使用由不含氮的氧化物构成的栅极导电层来降低随机噪声。 在基板（20）的表面下形成光电二极管（22）。 栅极结构（29）形成在形成有光电二极管的基板的一侧。 栅极结构具有由不含氮的氧化物构成的栅极电介质（24）和形成在栅极电介质上的栅极导电层（26）。 光电二极管包括其中第一杂质被掺杂的第一光电二极管（22a）和第二光电二极管（22b），其中第二杂质从衬底的下部掺杂。 第一光电二极管形成在从衬底的下部，并且第二光电二极管形成在从第一光电二极管的下部。

公开(公告)号：KR1020060109376A

公开(公告)日：2006-10-20

申请号：KR1020050031609

申请日：2005-04-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상진 ,  이공수 ,  유영섭 ,  오정환 ,  유대한 ,  김효정 ,  이창훈

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02247

Abstract: A trench isolation method is provided to prevent the generation of leakage current and to improve the reliability of device by restraining a sidewall oxide layer from being additionally oxidized under the following oxidation process using a buffer nitride layer. A trench(112) is formed on a substrate(100). A sidewall oxide layer(114) is formed at an inner surface of the trench. A buffer nitride layer(116) is formed on the sidewall oxide layer by performing plasma nitridation on the resultant structure. An isolation layer for filling the trench is then formed on the resultant structure. The plasma nitridation is performed under N2, NO or N2O gas conditions.

Abstract translation: 提供沟槽隔离方法以防止产生漏电流并且通过使用缓冲氮化物层在下面的氧化工艺中抑制侧壁氧化物层被额外地氧化来提高器件的可靠性。 在基板（100）上形成沟槽（112）。 在沟槽的内表面上形成侧壁氧化物层（114）。 通过在所得结构上进行等离子体氮化，在侧壁氧化物层上形成缓冲氮化物层（116）。 然后在所得结构上形成用于填充沟槽的隔离层。 等离子体氮化在N 2，NO或N 2 O气体条件下进行。

公开(公告)号：KR1020050038758A

公开(公告)日：2005-04-29

申请号：KR1020030073993

申请日：2003-10-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유영섭 ,  남석우 ,  고창현 ,  오정환 ,  김봉현 ,  김효정

IPC: H01L27/108

Abstract: 복수 형태로 된 하부전극을 갖는 반도체 장치를 제공한다. 이 장치는 점점 가속화되는 디자인 룰의 축소에 대응해서 하부 전극의 쓰러짐을 방지하고 동시에 하부전극의 면적이 증가된 커패시터를 갖는다. 이를 위해서, 반도체 기판의 상부에 식각 저지막이 덮이고, 상기 식각 저지막을 갖는 반도체 기판의 상부에 하부전극이 배치된다. 상기 하부 전극은 식각 저지막을 관통해서 그 막의 상면으로부터 돌출되며, 차례로 적층된 스토리지 바 노드 및 스토리지 주형 노드로 이루어진다. 계속해서. 상기 스토리지 바 노드, 스토리지 주형 노드 및 식각 저지막에 유전막이 덮이고, 상기 유전막의 상면에 상부전극이 덮인다. 이때에, 상기 스토리지 주형 노드 및 스토리지 바 노드는 각각이 실린더 형태(Cylinder Shape) 및 바 형태(Bar Shape)를 가지며, 상기 스토리지 주형 노드는 스토리지 바 노드보다 작은 두께를 갖는다. 이로써, 상기 하부 전극을 갖는 반도체 장치는 복수 형태로 된 하부전극을 통해서 증가된 정전용량을 갖는 커패시터를 가지고 아울러서 하부전극의 쓰러짐으로 인한 그 장치 내의 불량 셀의 발생을 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050001219A

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：KR1020030042794

申请日：2003-06-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정환 ,  황기현 ,  신원식 ,  이현덕 ,  고창현 ,  남석우

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal oxide layer by an ALD(atomic layer deposition) method is provided to reduce impurities in a metal oxide layer and improve an electrical characteristic by increasing an ozone density to 300-500 Ng in forming the metal oxide layer. CONSTITUTION: Metal reactant is injected to a reaction chamber including a semiconductor substrate to make the metal reactant chemically absorbed into the substrate(25). The first purging process is performed on the reaction chamber by using inert gas to eliminate physically absorbed metal reactant(27). An ozone oxide agent of 300-500 Ng is injected to the reaction chamber to make the chemically absorbed metal reactant react with the ozone oxide agent so that a metal oxide layer of a unit of an atomic layer is formed(29). The second purging process is performed on the reaction chamber by using inert gas to eliminate the physically absorbed reactant(31).

Abstract translation: 目的：提供一种通过ALD（原子层沉积）方法形成金属氧化物层的方法，以减少金属氧化物层中的杂质，并且通过在形成金属氧化物层时将臭氧密度提高到300-500Gu而提高电特性 。 构成：将金属反应物注入到包括半导体衬底的反应室中，以使金属反应物被化学吸收到衬底（25）中。 通过使用惰性气体在反应室上进行第一次净化处理以消除物理吸收的金属反应物（27）。 向反应室注入300-500Wo的臭氧氧化剂，使化学吸收的金属反应物与臭氧氧化剂反应，形成原子层单元的金属氧化物层（29）。 通过使用惰性气体在反应室上进行第二次净化处理以消除物理吸收的反应物（31）。

公开(公告)号：KR1020040100568A

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：KR1020030032976

申请日：2003-05-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정환

IPC: G06F1/00

Abstract: PURPOSE: A computer system recording a sound with one record key input and a controlling method thereof are provided to record all sounds including the sound inputted through a microphone or offered through the Internet in real-time by one manipulation. CONSTITUTION: A sound selector(23) selects an object sound from the sounds inputted to a sound input part or output to a sound output part. A controller(21) makes the sound selector select all sounds inputted to the sound input part or output to the sound output part as the object sounds if a recording signal is transferred from a record key(51). A sound recorder(25) records the object sounds selected from the sound selector.

Abstract translation: 目的：提供用一个记录键输入及其控制方法记录声音的计算机系统，通过一次操作来实时记录包括通过麦克风输入的声音或通过因特网提供的所有声音。 构成：声音选择器（23）从输入到声音输入部分的声音或输出到声音输出部分中选择对象声音。 如果从记录键（51）传送记录信号，则控制器（21）使声音选择器选择输入到声音输入部分的所有声音或输出到声音输出部分。 录音机（25）记录从声音选择器中选择的对象声音。