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公开(公告)号：KR1020170115142A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：KR1020160041162
申请日：2016-04-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/08 , G09G3/2003 , G09G3/32 , H01L25/0756 , H01L33/382 , H01L33/46 , H01L33/504 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/16145
Abstract: 본발명의일 실시예는, 베이스절연층과, 상기베이스절연층상에순차적으로적층되며각각제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에위치한활성층을가지며서로다른파장의광을방출하도록구성된제1 내지제3 반도체발광부와, 상기제1 및제2 반도체발광부사이에배치된제1 층간절연층과, 상기제2 및제3 반도체발광부사이에배치된제2 층간절연층;을구비한발광적층체를포함하며,상기발광적층체는, 상기제1 내지제3 반도체발광부와제1 및제2 층간절연층을관통하는격벽구조에의해정의되는복수의픽셀영역으로구분되며, 상기복수의픽셀영역은각각, 상기베이스절연층과제1 및제2 반도체발광부와제1 및제2 층간절연층을관통하며상기제1 내지제3 반도체발광부의제1 도전형반도체층들에각각접속된공통전극과, 상기베이스절연층을관통하며상기제1 반도체발광부의제2 도전형반도체층에접속된제1 개별전극과, 상기베이스절연층과상기제1 반도체발광부와상기제1 층간절연층을관통하며상기제2 반도체발광부의제2 도전형반도체층에접속된제2 개별전극과, 상기베이스절연층과상기제1 및제2 반도체발광부와상기제1 및제2 층간절연층을관통하며상기제3 반도체발광부의제2 도전형반도체층에접속된제3 개별전극을포함하는디스플레이패널을제공한다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例中，第一配置和顺序地堆叠在基底上的绝缘层和具有位于第一mitje第二导电类型半导体层之间的有源层的基底绝缘层，并且每个发射光的波长不同 至第三半导体发光部和第一mitje第二半导体发光副这种布置中，第一层间绝缘层和所述第二mitje第三半导体发光副在第二层间绝缘层设置;具有主体的发光叠层 其中发光分层体被分成由穿过第一至第三半导体发光部分以及第一和第二层间绝缘层的阻挡肋结构限定的多个像素区域， 通过半导体光发射部分和第一mitje第二层间绝缘层，并且所述第一基底绝缘层任务1 mitje 2至第三，分别连接到半导体发光的第一导电类型半导体层共用电极的部分，基底绝缘 以及第一半导体发光部分的第二自由度 连接到所述半导体层的第一独立电极，通过基底绝缘层和所述第一半导体发光部和所述第一层间绝缘层和连接到所述第二导电型半导体层2，在半导体的第二发射光延伸 包括连接到所述单独电极的第三单独电极，基底绝缘层和第一mitje第二半导体发光部，并通过所述绝缘层的第一mitje第二中间层和第二导电型半导体层3的半导体发光部 和一个显示面板。
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公开(公告)号：KR101761638B1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：KR1020110005462
申请日：2011-01-19
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의일 실시형태는, 실리콘표면을갖는기판과, 상기실리콘표면상에형성되며, 분산형브래그반사(DBR)층또는무지향성반사(ODR)층을갖는마스크패턴과, 상기마스크패턴을이용하여상기실리콘표면상에측방향과성장되며, Al 함유질화물반도체로이루어진핵생성층과, 상기핵생성층상에위치하며상기핵생성층보다격자상수가큰 물질로이루어진질화물반도체로이루어진응력보상층을포함하는다층버퍼구조와, 상기다층버퍼구조상에형성되며, 제1 도전형질화물반도체층, 활성층및 제2 도전형질화물반도체층을갖는발광적층체를포함하는질화물반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明的一个实施方案包括具有硅表面的衬底，形成在硅表面上，分布布拉格反射（DBR）层或使用掩模图案和具有（ODR）层掩模图案的非定向反射 由包含Al的氮化物半导体构成的氮化物半导体和位于该核生成层上且晶格常数比该核生成层的晶格常数大的材料构成的氮化物半导体构成的应力补偿层， 以及形成在多层缓冲结构上并包括第一导电材料层，有源层和第二导电材料层的发光叠层。
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公开(公告)号：KR1020160007987A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：KR1020140086983
申请日：2014-07-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층, 베이스층상에배치되며복수의개구를포함하는제1 물질층, 복수의개구를통해각각연장되며각각제1 도전형반도체로이루어진나노코어및 나노코어상에순차적으로배치된활성층과제2 도전형반도체쉘층(shell layer)을포함하는복수의나노발광구조물, 제1 물질층상에배치되며나노발광구조물의일부영역이노출되도록복수의나노발광구조물사이를매립하는충전층, 복수의나노발광구조물의노출된일부영역을덮도록충전층상에배치된제2 도전형반도체확장층(extension layer) 및제2 도전형반도체확장층상에배치되는콘택전극층을포함하는것을특징으로하는나노구조반도체발광소자를제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种纳米结构半导体发光器件。 根据本发明的实施例，纳米结构半导体发光器件包括：基底层，包括第一导电半导体; 包括多个开口并布置在基层上的第一物质层; 多个纳米发光结构分别延伸穿过开口并且分别包括包括第一导电半导体的纳米孔，以及依次布置在纳米孔上的有源层和第二导电半导体外壳层; 填充层，其布置在所述第一物质层上并填充所述纳米发光结构之间的间隙以暴露所述纳米发光结构的一部分区域; 布置在所述填充层上以覆盖所述纳米发光结构的暴露部分的第二导电半导体延伸层; 以及布置在第二导电半导体延伸层上的接触电极层。 纳米结构半导体发光器件提高光提取效率。
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公开(公告)号：KR1020140099803A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020130013113
申请日：2013-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/24 , H01L31/0232 , H01L2224/48137 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012
Abstract: The present invention relates to a semiconductor light emitting device that includes a first conductive semiconductor base layer formed on a substrate; an insulation film which is formed on the first conductive semiconductor base layer and has a plurality of openings through which the first conductive semiconductor base layer is exposed; and a plurality of light emitting nanostructures which include a first conductive semiconductor core formed on an area where the first conductive semiconductor base layer is exposed, an active layer and a second conductive semiconductor layer which are formed on the surface of the first conductive semiconductor core in order. A lower corner of a side of the light emitting nanostructure is located at a side wall of the opening of the insulation film.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件，其包括在基板上形成的第一导电半导体基底层; 绝缘膜，其形成在所述第一导电半导体基底层上并且具有多个开口，所述第一导电半导体基底层暴露于所述多个开口; 以及多个发光纳米结构，其包括形成在第一导电半导体基底层露出的区域上的第一导电半导体芯，形成在第一导电半导体芯的表面上的有源层和第二导电半导体层， 订购。 发光纳米结构的一侧的下角位于绝缘膜的开口的侧壁上。
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公开(公告)号：KR1020140096970A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020130147783
申请日：2013-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0095 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: The present invention provides a manufacturing method of a nanostructure semiconductor light emitting device. According to an aspect of the present invention, the manufacturing method includes the steps of: forming a mask having a plurality of openings on a base layer; forming a plurality of nanocores by growing a first conductive semiconductor on an exposed area of the base layer so as to fill the openings; partially removing the mask to expose side surfaces of nanocores; treating the nanocores with heat after partially removing the mask; forming a plurality of nanostructure light emitting diodes by growing an active layer and a second conductive semiconductor layer in order on surfaces of the nanocores after the heat treatmemt; and flattening tops of the light emitting nanostructures to expose tops of the nanocores.
Abstract translation: 本发明提供一种纳米结构半导体发光器件的制造方法。 根据本发明的一个方面，所述制造方法包括以下步骤：在基底层上形成具有多个开口的掩模; 通过在所述基底层的暴露区域上生长第一导电半导体以填充所述开口而形成多个纳米孔; 部分去除掩模以暴露纳米孔的侧表面; 部分去除掩模后，用热处理纳米孔; 通过在热处理之后依次生长活性层和第二导电半导体层，形成多个纳米结构发光二极管; 和平坦的发光纳米结构的顶部以露出纳米孔的顶部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101330176B1
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：KR1020110084829
申请日：2011-08-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/12
Abstract: 발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 발광소자 제조방법은 제1기판 상에, n형 반도체층과 활성층과 p형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층에 전압을 인가하기 위해 상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층 각각에 연결된 제1전극부 및 제2전극부를 구비하는 발광구조물을 형성하는 단계; 희생층이 형성된 제2기판을 마련하는 단계; 상기 제2기판을 상기 발광구조물에 접합하는 단계; 상기 발광구조물로부터 상기 제1기판을 제거하는 단계; 상기 제2기판 상에 상기 발광구조물을 고정하는 하나 이상의 포스트를 형성하는 단계; 상기 희생층을 선택적 식각하여, 상기 발광구조물을 상기 제2기판으로부터 분리하는 단계;를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101309112B1
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020120029407
申请日：2012-03-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/36 , H01L21/76817 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a light emitting device is provided to reduce costs by reducing the number of processes and processing time. CONSTITUTION: A light emitting structure (L10) is formed on a substrate. The light emitting structure includes a first conductive semiconductor, a second conductive semiconductor, and an active layer. An electrode layer (500) is formed on the light emitting structure. A resin layer (600) is formed on the electrode layer. A first groove and a second groove are formed on the resin layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造发光器件的方法，通过减少处理次数和处理时间来降低成本。 构成：在基板上形成发光结构（L10）。 发光结构包括第一导电半导体，第二导电半导体和有源层。 在发光结构上形成电极层（500）。 在电极层上形成树脂层（600）。 第一凹槽和第二凹槽形成在树脂层上。
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公开(公告)号：KR101269053B1
公开(公告)日：2013-06-04
申请号：KR1020110116471
申请日：2011-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/24 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/387 , Y10S977/932
Abstract: 나노 로드 발광 소자 및 그 제조 방법이 개시된다.
개시된 나노 로드 발광 소자는 적어도 하나의 질화물 반도체층과, 상기 적어도 하나의 질화물 반도체층 상에 구비된 것으로, 관통홀들을 포함하는 마스크층과, 광이 발광되는 복수 개의 발광 나노 로드와, 상기 복수 개의 발광 나노 로드를 그루핑하고, 그루핑된 발광 나노 로드들을 서로 이격되게 도전체로 덮은 나노 로드 클러스터들을 포함할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020120067158A
公开(公告)日：2012-06-25
申请号：KR1020100128612
申请日：2010-12-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/50 , H01L51/5072 , H01L51/5076 , H01L51/52
Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting device is provided to increase quantum efficiency with a surface Plasmon effect by forming a light emitting layer into a multilayer structure including a quantum dot layer. CONSTITUTION: An electron transport layer(13) is formed on a substrate(10). A light emitting layer(20) is formed on the electron transport layer. The light emitting layer emits light having a certain wavelength by bonding electrons and holes. The light emitting layer includes a graphene quantum dot layer(15) and an inorganic quantum dot layer(17). A hole transport layer(25) is formed on the light emitting layer.
Abstract translation: 目的：提供量子点发光器件，通过将发光层形成为包括量子点层的多层结构，通过表面等离子体效应来提高量子效率。 构成：在基板（10）上形成电子传输层（13）。 在电子传输层上形成发光层（20）。 发光层通过键合电子和空穴发射具有一定波长的光。 发光层包括石墨烯量子点层（15）和无机量子点层（17）。 在发光层上形成空穴传输层（25）。
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公开(公告)号：KR1020120029173A
公开(公告)日：2012-03-26
申请号：KR1020100091104
申请日：2010-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/50 , H01L51/5203 , H01L51/5265 , H01L2251/305 , H01L2251/56
Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting device which uses a graphene structure is provided to improve quantum efficiency by preventing defects such as dislocation and etc. by selectively forming a quantum dot using a patterned graphene layer. CONSTITUTION: An electron transport layer(130) is arranged on a substrate(110). A quantum dot light emitting layer(150) is arranged on the electron transport layer. The quantum dot light emitting layer comprises a quantum dot(154) which is formed within a graphene layer(152) and a plurality of nano holes. The graphene layer comprises one or more graphene sheets. A hole transport layer(170) is arranged on the quantum dot light emitting layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用石墨烯结构的量子点发光器件，以通过使用图案化的石墨烯层选择性地形成量子点来防止诸如位错等的缺陷来提高量子效率。 构成：电子传输层（130）布置在衬底（110）上。 量子点发光层（150）布置在电子传输层上。 量子点发光层包括在石墨烯层（152）内形成的量子点（154）和多个纳米孔。 石墨烯层包括一个或多个石墨烯片。 在量子点发光层上配置空穴传输层（170）。
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