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公开(公告)号：KR1020100062654A
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080121379
申请日：2008-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A pattern testing apparatus and a method thereof are provided to rapidly inspect the critical dimension and the height of a sample pattern with maintaining high accuracy by analyzing a detected spectrum. CONSTITUTION: A pattern testing apparatus method comprises the following steps. Light is directed on the entire area of a sample in one time(230). The topology data of the sample is created by using the reflected light from the sample(240). A spectrum is detected from the topology data of the sample(250). The detected spectrum is analyzed and the critical dimension and the height of the sample pattern are inspected(270). Light is directed on the entire area of a standard mirror in one time(200). The topology data of the standard mirror is created by using the reflected light from the standard mirror(210). A spectrum is detected from the topology data of the standard mirror(220). The spectrum of the sample is compensated by using the spectrum of the standard mirror(260).
Abstract translation: 目的：提供了一种图案测试装置及其方法，通过分析检测到的光谱，以高精度快速检查样品图案的临界尺寸和高度。 构成：图案测试装置的方法包括以下步骤。 灯一次被引导到样品的整个区域（230）。 通过使用来自样品（240）的反射光来创建样品的拓扑数据。 根据样品的拓扑数据（250）检测光谱。 分析检测到的光谱，检查样品图案的临界尺寸和高度（270）。 灯在一次（200）的指示在标准镜的整个区域。 通过使用来自标准反射镜（210）的反射光来创建标准反射镜的拓扑数据。 根据标准镜（220）的拓扑数据检测到光谱。 通过使用标准反射镜（260）的光谱来补偿样品的光谱。
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公开(公告)号：KR100928965B1
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：KR1020030070990
申请日：2003-10-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01J37/073 , H01J2237/31779
Abstract: 전자빔 프로젝션 리소그라피용 에미터와 그 작동 방법 및 제조 방법이 개시된다. 개시된 에미터는, 광도전체 기판과, 광도전체 기판의 전면에 형성된 절연층과, 절연층 위에 형성되며 상대적으로 얇은 부분과 두꺼운 부분을 가지도록 패터닝된 게이트 전극층과, 광도전체 기판의 배면에 형성되며 투명한 도전성 물질로 이루어진 베이스 전극층을 구비한다. 상기 에미터에 있어서, 베이스 전극층과 게이트 전극층 사이에 전압을 인가하고, 에미터의 배면쪽에서 광도전체 기판의 일부분에 광을 조사하여 광도전체층 기판의 일부분을 도전체로 변환시키면, 광도전체 기판 중 광이 조사된 부분에서만 전자가 방출된다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 에미터로부터 부분적인 전자 방출이 가능하므로, 전면적인 1차 패터닝 후에 부분적인 보정이나 보수가 가능하게 된다.
Abstract translation: 用于电子束投影光刻系统的发射器包括光电导体衬底，形成在光电导体衬底的前表面上的绝缘层，形成在绝缘层上的栅电极层以及形成在衬底的背面上的基底电极层 光电导体基底并由透明导电材料形成。 在发射器的操作中，在基极和栅电极层之间施加电压，光被投射到光导体衬底的一部分上，以将光导体衬底的该部分转换成导体，使得电子仅从部分 光投射的部分。 由于发射器可以部分发射电子，所以可以实现部分校正，图案化或修复主题电子抗蚀剂。
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公开(公告)号：KR1020080060000A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：KR1020060134027
申请日：2006-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J37/28 , H01J37/026 , H01J2237/0044
Abstract: An apparatus for examining a sample using an SEM(Scanning Electronic Microscope) is provided to improve quality of an image of the sample surface by reducing charge accumulation on the sample surface using a charge collector. A sample examining apparatus includes a chamber(10), an SEM(20), a stage(40), a detector(24), and a charge collector(50). The chamber contains the SEM and the stage. The SEM generates an electronic beam to radiate on a surface of a sample(30), such as a photomask, through an object lens(21). The stage holds up the sample. If the electronic beam is scanned on the sample, reactive ions(32) are reflected toward a detector. The detector obtains an image of the sample surface based on the reactive ions. The charge collector is arranged between the object lens and the sample, and collects charge accumulated on the sample surface.
Abstract translation: 提供了一种使用SEM（扫描电子显微镜）检查样品的装置，以通过使用电荷收集器减少样品表面上的电荷累积来提高样品表面的图像质量。 样品检查装置包括室（10），SEM（20），载物台（40），检测器（24）和电荷收集器（50）。 房间包含SEM和舞台。 SEM产生电子束，通过物镜（21）辐射到诸如光掩模的样品（30）的表面上。 舞台举起样品。 如果电子束在样品上扫描，反应离子（32）将朝检测器反射。 检测器基于反应离子获得样品表面的图像。 电荷收集器布置在物镜和样品之间，并收集在样品表面上积累的电荷。
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公开(公告)号：KR100601978B1
公开(公告)日：2006-07-18
申请号：KR1020040108820
申请日：2004-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J2237/31793
Abstract: 본 발명은 전자빔 리소그래피 시스템의 전자기 포커싱 방법을 개시한다. 본 발명의 한 유형에 따르면, 전자빔 리소그래피 시스템의 전공챔버 내에서 이미터로부터 웨이퍼로 소정 패턴의 전자빔을 투사하기 위한 전자기 포커싱 방법은, 전자기 포커싱을 위한 초기 조건을 설정하는 제 1 단계; 상기 이미터로부터 방출되는 전자들의 초기 방출속도 및 방출각도 차이로 인한 전자빔 퍼짐 현상을 보정하는 제 2 단계; 전기장과 자기장이 평행하지 않아 발생하는 전자빔의 편이를 보정하는 제 3 단계; 자기장의 미소변위로 인한 전자빔의 편이를 보정하는 제 4 단계; 및 상기 이미터로부터 방출된 전자들 사이의 쿨롱 상호력으로 인한 전자빔의 반경 증가를 보정하는 제 5 단계;를 포함하며, 포커싱 오차가 허용 오차 범위 내에 있는지 확인하고, 허용 오차 범위를 벗어나는 경우 상기 제 1 단계 내지 제 5 단계를 반복하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020060070167A
公开(公告)日：2006-06-23
申请号：KR1020040108820
申请日：2004-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J2237/31793 , G03F7/2051 , G03F7/70383
Abstract: 본 발명은 전자빔 리소그래피 시스템의 전자기 포커싱 방법을 개시한다. 본 발명의 한 유형에 따르면, 전자빔 리소그래피 시스템의 전공챔버 내에서 이미터로부터 웨이퍼로 소정 패턴의 전자빔을 투사하기 위한 전자기 포커싱 방법은, 전자기 포커싱을 위한 초기 조건을 설정하는 제 1 단계; 상기 이미터로부터 방출되는 전자들의 초기 방출속도 및 방출각도 차이로 인한 전자빔 퍼짐 현상을 보정하는 제 2 단계; 전기장과 자기장이 평행하지 않아 발생하는 전자빔의 편이를 보정하는 제 3 단계; 자기장의 미소변위로 인한 전자빔의 편이를 보정하는 제 4 단계; 및 상기 이미터로부터 방출된 전자들 사이의 쿨롱 상호력으로 인한 전자빔의 반경 증가를 보정하는 제 5 단계;를 포함하며, 포커싱 오차가 허용 오차 범위 내에 있는지 확인하고, 허용 오차 범위를 벗어나는 경우 상기 제 1 단계 내지 제 5 단계를 반복하는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060026549A
公开(公告)日：2006-03-24
申请号：KR1020040075330
申请日：2004-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 최창훈
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/162 , H01L21/6715 , H01L21/67253
Abstract: 스핀 코팅 장치에 유입되는 공기의 속도를 측정하는 장치가 구비된 스핀 코팅 장치를 개시한다. 본 발명에 의한 스핀 코팅 장치는 웨이퍼를 진공흡착하는 진공척과, 상기 진공척과 결합하여 모터의 회전력을 상기 진공척에 공급하여 회전시키는 스핀들과, 상기 웨이퍼에 감광액을 디스펜싱하는 감광액 공급노즐과, 상기 공급되는 감광액이 스핀들의 원심력에 의해 외부로 비산되는 것을 방지하는 바울과, 상기 진공척 상부에 위치하는 공기 유입부와, 상기 바울의 하부에 설치되어 유입되는 공기가 배출되는 배기라인과, 상기 공기 유입구의 공기가 유입되는 통로 상에 공기의 속도를 측정하는 센서를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다. 따라서 유입되는 공기의 풍속을 측정하여 스핀 코팅의 불량 발생을 미연에 방지하는 스핀 코팅 장치를 제공할 수 있으며 따라서 포토레지스트가 균일하게 도포되게 하는 효과를 얻는다.
스핀 코팅 장치, 도포, 포토레지스트-
公开(公告)号：KR1020060024074A
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：KR1020040072928
申请日：2004-09-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 최창훈
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/47 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/6704 , B05C11/1002 , C02F1/045 , H01L21/67242 , H01L22/12
Abstract: 본 발명은 탈이온수의 오염여부를 알 수 있는 반도체 소자 제조를 위한 탈이온수 공급장치에 관한 것으로, 본발명에 따른 반도체 소자 제조를 위한 탈이온수 공급 장치는, 탈이온수를 공급하기 위한 탈 이온수 공급부와; 상기 탈이온수 공급부에서 공급되는 탈이온수를 필터링하는 필터부와; 상기 필터부에서 필터링된 탈이온수의 오염여부를 계측하는 계측부를 구비한다. 본 발명에 따르면, 탈이온수의 오염여부를 알 수 있게 되어 반도체 소자의 불량을 방지 또는 최소화할 수 있다.
포토, 현상, 탈이온수, 필터, 유기탄소, 계측-
公开(公告)号：KR100141169B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019950000850
申请日：1995-01-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05F3/04
Abstract: 반도체 기판에 형성된 소오스, 드레인, 및 게이트를 구비하는 NMOS 트랜지스터에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 사이의 실리콘 기판내에 상기 실리콘 기판보다 낮은 전위를 갖는 물질층을 구비하는 것을 특징으로 하는 정전방전(ESD) 보호소자에 관하여 기재되어 있다.
본 발명에 의하면, 소오스기판드레인으로 형성되는 기생 바이폴라 트랜지스터를 빨리 구동시켜 과전류가 흐를 수 있는 경로를 기판 내에 형성시킨다. 따라서, 과전류가 칩내로 유입되는 것을 방지하고, ESD에 의해 발생된 과전류로부터 칩이 보호된다.-
公开(公告)号：KR102242559B1
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：KR1020140169975
申请日：2014-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N21/956 , G02B21/00
Abstract: 본발명의기술적사상에따른광학검사장치는제1 광을출사하는제1 광원(light source); 상기제1 광을투과하거나반사하는광 분할기(beam splitter); 상기제1 광이포토마스크의투명기판을투과하여상기투명기판의상면또는상기투명기판상에형성된포토마스크패턴의상면에제1 초점을형성시키는대물렌즈(objective lens); 상기투명기판의상면또는상기포토마스크패턴의상면으로부터반사되는반사광을검출하는광 검출기(light detector); 및상기광 검출기앞에배치되고, 상기반사광중 노이즈를제거하도록배치되는핀홀판(pinhole plate);을포함할수 있다.
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