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公开(公告)号：KR1020130013512A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：KR1020110075213
申请日：2011-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/042 , G06F3/0421 , G09G3/2003
Abstract: PURPOSE: A light sensing device, a driving method, and an optical touch screen device including the same are provided to sense light by using an oxide semi-conductor transistor as a light sensing element. CONSTITUTION: A light sensing pixel array includes light sensing pixels(110). Gate lines provide gate voltages to the light sensing pixel. The light sensing pixel includes a light sensing transistor(112) for sensing light and a switch transistor(111) for outputting light sensing signals from the light sensing transistor. A gate of the light sensing transistor in the light sensing pixel is connected to the gate line arranged at other lines. [Reference numerals] (120) Gate driver; (130) Signal output unit
Abstract translation: 目的：提供一种光感测装置，驱动方法和包括该光感测装置的光学触摸屏装置，以通过使用氧化物半导体晶体管作为感光元件来感测光。 构成：光检测像素阵列包括光感测像素（110）。 栅极线向光感测像素提供栅极电压。 感光像素包括用于感测光的感光晶体管（112）和用于输出来自感光晶体管的光感测信号的开关晶体管（111）。 感光像素中的感光晶体管的栅极连接到布置在其它线上的栅极线。 （附图标记）（120）门极驱动器; （130）信号输出单元
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公开(公告)号：KR1020130000220A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：KR1020110060797
申请日：2011-06-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/14609 , G06F3/042 , G06F2203/04103 , G06F3/0412
Abstract: PURPOSE: An optical sensing device, a driving method and an optical touch screen device are provided to compose an oxide semiconductor transistor playing a role of a switch with a stable channel material having a low sensitivity for light, thereby increasing operation reliability. CONSTITUTION: An optical sensor transistor(110) is arranged on a substrate to sense light. A switch transistor outputs data from the optical sensor transistor. A transparent upper electrode(118) is arranged on an upper side of the optical sensor transistor. The transparent upper electrode applies a negative bias voltage to the optical sensor transistor. The optical sensor transistor includes a first gate electrode(112); a gate insulation film(113); a first channel film(114) formed on the gate insulation film; first and second source/drain electrodes(115a,115b) formed on both sides of the first channel film; and a transparent passivation layer(116) formed on the first and the second source/drain electrodes and the first channel film.
Abstract translation: 目的：提供一种光学感测装置，驱动方法和光学触摸屏装置，以组合具有对光的灵敏度低的稳定通道材料的开关角色的氧化物半导体晶体管，从而提高操作可靠性。 构成：光学传感器晶体管（110）布置在基板上以感测光。 开关晶体管从光学传感器晶体管输出数据。 透明上电极（118）布置在光学传感器晶体管的上侧。 透明上电极向光传感器晶体管施加负偏置电压。 光传感器晶体管包括第一栅电极（112）; 栅极绝缘膜（113）; 形成在所述栅极绝缘膜上的第一沟道膜（114） 形成在第一沟道膜的两侧的第一和第二源极/漏极（115a，115b） 以及形成在第一和第二源/漏电极和第一沟道膜上的透明钝化层（116）。
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公开(公告)号：KR1020110111110A
公开(公告)日：2011-10-10
申请号：KR1020100030509
申请日：2010-04-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/042
CPC classification number: G06F3/0386 , G06F3/0412 , G06F3/0421 , G06F3/042
Abstract: 광센서를 이용한 리모트 터치 패널 및 이를 구비하는 리모트 터치 스크린 장치가 개시된다. 개시된 리모트 터치 패널은 예컨대 광민감성 산화물 반도체(light-sensitive oxide semiconductor)와 전극을 포함하는 광센서를 이용한다. 이러한 리모트 터치 패널은, 손과 펜 등의 직접 터치가 어려운 대형 디스플레이를 원거리에서 터치하듯이 제어할 수 있다. 예를 들어, 레이저 포인터 등과 같은 간단한 광원 장치를 이용하여, 마치 모니터를 보면서 마우스로 컴퓨터를 제어하듯이 대형 디스플레이 장치를 손쉽게 제어할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100007703A
公开(公告)日：2010-01-22
申请号：KR1020090033846
申请日：2009-04-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/41725 , H01L29/42312 , H01L29/7869
Abstract: PURPOSE: A channel layer and a transistor including the same are provided to control a threshold voltage and the mobility of a transistor by comprising the channel layer with a first layer and a second layer with different carrier density and/or mobility. CONSTITUTION: A transistor includes a channel layer(C1), a source(S1), a drain(D1), and a gate(G1). The channel layer has different mobility and includes a lower layer(10) and an upper layer(20). The lower layer and the upper layer are made of the different oxide. The source and the drain are contacted with both sides of the channel layer. The gate applies the electric field to the channel layer. The closest layer to the gate among the lower layer and the upper layer determines the mobility of the transistor.
Abstract translation: 目的：提供沟道层和包括该沟道层的晶体管，以通过包括具有不同载流子密度和/或迁移率的第一层和第二层的沟道层来控制晶体管的阈值电压和迁移率。 构成：晶体管包括沟道层（C1），源极（S1），漏极（D1）和栅极（G1）。 沟道层具有不同的迁移率，并且包括下层（10）和上层（20）。 下层和上层由不同的氧化物制成。 源极和漏极与沟道层的两侧接触。 栅极将电场施加到沟道层。 下层和上层之间最靠近栅极的层决定了晶体管的迁移率。
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公开(公告)号：KR1020070102969A
公开(公告)日：2007-10-22
申请号：KR1020070051080
申请日：2007-05-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: A method for manufacturing an amorphous ZnO based thin film transistor is provided to obtain uniform on/off operation characteristics by enhancing photo sensitivity characteristics. A method for manufacturing an amorphous ZnO based thin film transistor includes the steps of: preparing a substrate(10); forming an active layer(11) including an amorphous ZnO based complex semiconductor expressed by a chemical equation that si x(Ga2O3).y(In2O3).z(ZnO) and 1.15
Abstract translation: 提供一种用于制造非晶ZnO基薄膜晶体管的方法，以通过增强光敏特性来获得均匀的开/关操作特性。 一种制造无定形ZnO基薄膜晶体管的方法包括以下步骤：制备衬底（10）; 形成由si x（Ga 2 O 3）2（In 2 O 3）z（ZnO）和1.15 <= x / z <=2.05,1.15≤y的化学方程表示的非晶ZnO基复合半导体的有源层（11） /z<=1.70; 在有源层（11）的两侧形成源电极和漏电极; 以及在有源层（11）上形成限定电场的栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100718137B1
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020050082439
申请日：2005-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 3차원 강유전체 커패시터와 이를 포함하는 불휘발성 메모리 소자와 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서 본 발명은 트랜치형 하부전극과, 상기 하부전극 둘레에 형성된 층간 절연층, 예컨대 SiO2층과, 상기 층간 절연층 상에 형성된 확산 방지막과, 상기 하부전극 및 상기 확산 방지막 상에 형성된 강유전층(PZT층) 및 상기 강유전층 상에 형성된 상부전극을 포함하고, 상기 확산 방지막은 Pb를 포함하지 않는 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 절연막인 것을 특징으로 하는 강유전체 커패시터와 이를 포함하는 불휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
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27.发明公开극자외선 리소그래피용 반사 디바이스 및 그 제조 방법 및이를 적용한 극자외선 리소그래피용 마스크, 프로젝션광학계 및 리소그래피 장치 失效用于EUVL光刻的反射装置，其制造方法和掩模，投影光学系统和使用其的EUVL装置
公开(公告)号：KR1020070016429A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050071080
申请日：2005-08-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062 , H01L21/0274
Abstract: 극자외선 리소그래피용 반사 디바이스 및 반사 디바이스 제조방법이 개시되어 있다.
개시된 반사 디바이스는, 기판과, 기판 상에 형성되고 극자외(EUV:Extreme Ultra Violet)선을 반사시킬 수 있는 재료로 이루어진 다중 반사층을 포함하며, 다중 반사층은, 제1물질층과, 제1물질층을 표면 처리한 표면처리막과, 표면 처리막 상에 형성된 제2물질층을 포함하는 층 그룹이 다수개 적층되어 형성된 다.
개시된 반사 디바이스 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판 상에 극자외(EUV:Extreme Ultra Violet)선을 반사시킬 수 있는 재료로 다중 반사층;을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 다중 반사층을 형성하는 단계는, 제1물질층을 형성하는 단계와; 상기 제1물질층을 표면 처리하는 단계와; 표면 처리된 상기 제1물질층 상에 제2물질층을 형성하는 단계;를 포함하며, 다시, 상기 제2물질층 상에 제1물질층 형성, 제1물질층 표면 처리, 제2물질층 형성과정을 복수회 반복하여 상기 다중 반사층을 형성한다.-
公开(公告)号：KR100674959B1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：KR1020050015051
申请日：2005-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70233
Abstract: 비축상 배치 관계에 있으며, 초점을 공유하는 제1 및 제2미러를 포함하며, 물체면으로부터 제1미러에 이르는 거리를 l
1 , 물체면쪽에서 제1미러로 입사되는 광의 입사각을 i
1 , 상기 제1미러로부터 공유 초점에 이르는 거리를 l
1 ', 공유 초점으로부터 상기 제2미러에 이르는 거리를 l
2 , 상기 제1미러쪽에서 제2미러에 입사되는 광의 입사각을 i
2 , 상기 제2미러로부터 상면에 이르는 거리를 l
2 '이라 할 때, 하기의 식을 만족하는 것을 특징으로 하는 비축상 프로젝션 광학계가 개시되어 있다.-
公开(公告)号：KR100630738B1
公开(公告)日：2006-10-02
申请号：KR1020050013527
申请日：2005-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G21K1/062 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G21K2201/067
Abstract: 반사 포토마스크의 제조 방법이 개시된다.
개시되는 반사 포토마스크의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 상기 기판 위에 EUVL(extreme ultra violet light)을 반사시킬 수 있는 반사층을 형성하는 단계; 상기 반사층 위에 산화물층(oxide layer)을 형성하는 단계; 상기 산화물층을 패터닝하여, 산화물 패턴체와 그에 의해 정의되는 산화물 윈도우(window)로 이루어지는 산화물 패턴을 형성하는 단계; 상기 산화물 윈도우에 EUVL을 흡수할 수 있는 흡수물질을 채워, 흡수체 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 산화물 패턴체를 제거하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 반사 포토마스크의 제조 방법에 의하면, 설계된 패턴이 실리콘 웨이퍼에 제대로 구현될 수 있는 장점이 있다. -
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