公开(公告)号：KR101781552B1

公开(公告)日：2017-09-27

申请号：KR1020100058604

申请日：2010-06-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성훈 ,  서순애 ,  우윤성 ,  정현종 ,  허진성

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/30 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 보론및 질소로치환된그라핀및 그제조방법과, 그를구비한트랜지스터가개시된다. 개시된그라핀에는보론및 질소가탄소원자의 1-20% 치환된다. 보론및 질소로치환된그라핀은대략 0.05 - 0.45 eV 밴드갭을가지므로, 전계효과트랜지스터의채널로사용될수 있다.

Abstract translation: 公开了硼和氮置换石墨烯，其制造方法以及包含其的晶体管。 所公开的石墨烯含有1-20％的硼和氮的碳原子。 用硼和氮取代的石墨烯具有大约0.05-0.45eV的带隙，因此可以用作场效应晶体管的沟道。

公开(公告)号：KR101736970B1

公开(公告)日：2017-05-30

申请号：KR1020100129995

申请日：2010-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현종 ,  허진성 ,  양희준 ,  서순애 ,  이성훈

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78684

Abstract: 그래핀전자소자및 제조방법이개시된다. 개시된그래핀전자소자는기판상에배치된그래핀채널층과, 상기그래핀채널층의양단상에형성된소스전극및 드레인전극과, 상기소스전극및 상기드레인전극사이에서상기그래핀채널층상의게이트옥사이드와, 상기게이트옥사이드상에배치된게이트전극을구비한다. 상기게이트옥사이드는상기소스전극및 상기드레인전극사이의상기채널층의형상과실질적으로동일하게형성된다.

Abstract translation: 本发明公开了一种石墨烯电子器件及其制造方法。 公开的石墨烯的电子设备是一个石墨烯沟道层的栅极，所述是其中两个单相源电极和漏电极，所述源电极和形成设置在基板上的鳍片的沟道层的石墨烯沟道层上的漏电极之间 氧化物和设置在栅极氧化物上的栅电极。 栅极氧化物形成为与源电极和漏电极之间的沟道层的形状基本相同。

公开(公告)号：KR101636905B1

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：KR1020090053493

申请日：2009-06-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현종

IPC: G02F1/167 ,  G02F1/00

Abstract: 전기장에의한광의흡수율이조절되는박막층을이용한디스플레이장치에관해개시되어있다. 개시된디스플레이장치는기판상에형성되며인가되는전기장에따라광의흡수율이변하는박막층광과이 박막층에전기장을인가하도록마련되어박막층에인가되는전기장을변화시키는전극을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种使用薄膜层的显示装置，其中通过电场控制光的吸收率。 所公开的显示装置被提供给电场施加到所述光学薄膜，并且根据电场被施加在基底和以改变施加到所述薄膜层中的电场的电极上形成改变光吸收该薄膜层。

公开(公告)号：KR101490111B1

公开(公告)日：2015-02-06

申请号：KR1020080050467

申请日：2008-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 우윤성 ,  서순애 ,  김동철 ,  정현종 ,  전대영

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02491 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  Y10T428/12674

Abstract: 에피택셜 그래핀(epitaxial graphene)을 포함하는 적층구조물, 상기 적층구조물의 형성방법 및 상기 적층구조물을 포함하는 전자 소자에 대해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 적층구조물은 본 발명의 일 실시예는 Si 기판, 상기 Si 기판 상에 구비된 하지층, 및 상기 하지층 상에 구비된 적어도 한 층의 에피택셜 그래핀(epitaxial graphene)을 포함하는 적층구조물을 제공한다.

公开(公告)号：KR101443215B1

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020070058009

申请日：2007-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현종 ,  정란주 ,  서순애 ,  김동철 ,  이장원

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/18 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/11807 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/7606 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869

Abstract: 앰비폴라 물질을 이용한 전계효과 트랜지스터 및 논리회로를 개시한다. 개시된 앰비폴라 물질을 이용한 전계효과 트랜지스터는: 소스 영역 및 드레인 영역과, 그 사이의 채널 영역을 포함하며 상기 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역이 일체형으로 형성된 앰비폴라층; 상기 채널 영역에 형성된 게이트 전극; 및 상기 앰비폴라층으로부터 상기 게이트 전극을 이격시키는 절연층;을 구비한다. 상기 소스 영역으로부터 상기 드레인 영역으로의 제1방향과 직교하는 제2방향에서 상기 소스 영역 및 드레인 영역의 폭이 상기 채널 영역보다 더 넓게 형성된다.

公开(公告)号：KR1020140102990A

公开(公告)日：2014-08-25

申请号：KR1020130016595

申请日：2013-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재호 ,  정현종 ,  박성준 ,  변경은 ,  서형석 ,  송현재 ,  허진성

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/40 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/788 ,  H01L51/0512 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/938 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66833

Abstract: Disclosed are a graphene memory using a graphene layer as a charge-trap layer and a method of operating the same. The graphene memory includes a source and a drain spaced apart from each other on a conductive semiconductor substrate; a graphene layer which comes into contact with the conductive semiconductor substrate and is spaced apart from the source and the drain on the substrate between the source and the drain; and a gate electrode formed on the graphene layer. A Schottky barrier is formed between the conductive semiconductor substrate and the graphene layer such that the graphene layer stores charges.

Abstract translation: 公开了使用石墨烯层作为电荷捕获层的石墨烯存储器及其操作方法。 石墨烯存储器包括在导电半导体衬底上彼此间隔开的源极和漏极; 石墨烯层，其与导电半导体衬底接触并且与源极和漏极之间的衬底上的源极和漏极间隔开; 以及形成在石墨烯层上的栅电极。 在导电半导体衬底和石墨烯层之间形成肖特基势垒，使得石墨烯层存储电荷。

公开(公告)号：KR1020140075460A

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：KR1020120143825

申请日：2012-12-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 변경은 ,  박성준 ,  서형석 ,  송현재 ,  이재호 ,  정현종 ,  허진성

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78618 ,  B82Y99/00

Abstract: An electronic device is disclosed. The disclosed electronic device includes a semiconductor layer, graphene which is directly in contact with the preset region of the semiconductor layer, and a metal layer which is formed on the graphene. The semiconductor layer has a totally uniform doping concentration or has a preset region of a doping concentration of 10^19 cm^-3 or less.

Abstract translation: 公开了一种电子设备。 所公开的电子器件包括半导体层，直接与半导体层的预设区域接触的石墨烯和形成在石墨烯上的金属层。 半导体层具有完全均匀的掺杂浓度或者具有10 ^ 19cm -3 -3或更小的掺杂浓度的预设区域。

公开(公告)号：KR1020140045841A

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：KR1020120112087

申请日：2012-10-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허진성 ,  박성준 ,  변경은 ,  서형석 ,  송현재 ,  이재호 ,  정현종

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/16 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7376

Abstract: Disclosed is a tunneling field effect transistor including a graphene channel. The disclosed tunneling field effect transistor comprises a first electrode on a substrate, a semiconductor layer on the first electrode, a graphene channel which is extended in a first region which is separated from the first electrode on the semiconductor layer, a second electrode on the graphene channel disposed on the first region, a gate insulating layer which covers the graphene channel, and a gate electrode on the gate insulating layer. The first electrode and the graphene channel face the semiconductor layer in the second region.

Abstract translation: 公开了包括石墨烯通道的隧道场效应晶体管。 所公开的隧道场效应晶体管包括衬底上的第一电极，第一电极上的半导体层，在与半导体层上的第一电极分离的第一区域中延伸的石墨烯通道，石墨烯上的第二电极 设置在第一区域上的通道，覆盖石墨烯通道的栅极绝缘层和栅极绝缘层上的栅电极。 第一电极和石墨烯通道面向第二区域中的半导体层。

公开(公告)号：KR1020120048241A

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：KR1020100109778

申请日：2010-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 정현종 ,  이재호 ,  이재홍 ,  신형철 ,  서순애 ,  이성훈 ,  허진성 ,  양희준

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778 ,  H01L29/66431

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve applicability of a high speed operation element by forming an inter layer dielectric and a gate insulating layer by using different material. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed on a substrate(10). The gate electrode comprises a projected gate finger. A gate insulating layer(13) is formed on the gate electrode. An inter-layer insulating film(11) is formed on the side of the gate insulating layer and the gate electrode. The inter-layer insulating film comprises a material having dielectric permittivity lower than the gate insulating layer. A graphene layer(14) is formed on the gate insulating layer and the inter-layer insulating film. A source(15a) and a drain(15b) are formed on the graphene layer. Graphene is formed in the lower side of the graphene layer between the source and drain.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过使用不同的材料形成层间电介质和栅绝缘层来提高高速工作元件的适用性。 构成：在基板（10）上形成栅电极（12）。 栅极电极包括投影的栅极指状物。 栅极绝缘层（13）形成在栅电极上。 在栅极绝缘层和栅电极的一侧形成层间绝缘膜（11）。 层间绝缘膜包括具有低于栅极绝缘层的介电常数的材料。 在栅极绝缘层和层间绝缘膜上形成石墨烯层（14）。 源极（15a）和漏极（15b）形成在石墨烯层上。 在源极和漏极之间的石墨烯层的下侧形成石墨烯。

公开(公告)号：KR1020110138611A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：KR1020100058604

申请日：2010-06-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성훈 ,  서순애 ,  우윤성 ,  정현종 ,  허진성

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/30 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: PURPOSE: Graphene, a method for manufacturing the same, and a transistor including the same are provided to substitute boron and nitrogen in the graphene at the same ratio using borazine or ammonia borane as a precursor. CONSTITUTION: Band gap is formed in graphene by substituting a part of carbon atoms with boron and nitrogen. 1-20% of the carbon atoms in the graphene are substituted. The density difference of the boron and the nitrogen is 1013cm^-2 or less. When the graphene is formed through a chemical vapor deposition method, borazine or ammonia borane is used as the precursor of the boron and the nitrogen.

Abstract translation: 目的：提供石墨烯及其制造方法以及包含该石墨烯的晶体管以使用环硼氮烷或氨硼烷作为前体以相同的比例代替石墨烯中的硼和氮。 构成：通过用硼和氮代替一部分碳原子在石墨烯中形成带隙。 石墨烯中1-20％的碳原子被取代。 硼和氮的密度差为1013cm ^ -2以下。 当通过化学气相沉积法形成石墨烯时，使用硼氮烷或氨硼烷作为硼和氮的前体。