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公开(公告)号：KR1020150050029A
公开(公告)日：2015-05-08
申请号：KR1020130131345
申请日：2013-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/16 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 이미지센서가제공된다. 이미지센서는트렌치를갖는제 1 도전형의반도체기판, 상기트렌치아래의상기반도체기판내에형성된제 2 도전형의광전변환층, 상기트렌치내에게이트절연막을개재하여배치된제 1 및제 2 전송게이트전극들, 상기제 1 전송게이트전극일측의상기반도체기판내에형성된제 1 전하검출층, 및상기제 2 전송게이트전극타측의상기반도체기판내에형성된제 2 전하검출층을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种图像传感器。 本发明的图像传感器包括：具有沟槽的第一导电半导体衬底; 第二导电光电转换层，其形成在沟槽下方的半导体衬底中; 第一和第二传输栅电极，其通过在沟槽中插入栅极绝缘膜而布置; 第一电荷检测层，其形成在所述第一传输门的一侧上的所述半导体衬底中; 以及第二电荷检测层，其形成在所述第二传输栅电极的另一侧上的所述半导体衬底中。
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公开(公告)号：KR1020140111492A
公开(公告)日：2014-09-19
申请号：KR1020130025713
申请日：2013-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/1464
Abstract: The present invention relates to a semiconductor device. The semiconductor device according to one embodiment of the present invention includes a substrate; and a gate electrode which is arranged by interposing a gate insulating layer to the substrate. According to one embodiment of the present invention, the gate electrode includes a first gate pattern arranged on the substrate, and second gate patterns.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件。 根据本发明的一个实施例的半导体器件包括：衬底; 以及通过将栅极绝缘层插入到所述衬底而布置的栅电极。 根据本发明的一个实施例，栅电极包括布置在衬底上的第一栅极图案和第二栅极图案。
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公开(公告)号：KR1020120119279A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：KR1020110037096
申请日：2011-04-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3745 , H04N5/3696 , H04N9/045 , H04N13/254
Abstract: PURPOSE: A pixel array and a three dimensional image sensor including the same are provided to easily increase the size of distance pixels without damage to color pixels by forming the color pixels in a uniformly arranged color area and the distance pixels in a distance area. CONSTITUTION: A plurality of color pixels is formed in a color area(140). The color area is separated at first interval. The color area is separated at second interval. A plurality of distance pixels is formed in a distance area(160) in an empty area between the color areas.
Abstract translation: 目的：提供像素阵列和包括该像素阵列的三维图像传感器，以通过在均匀排列的颜色区域和距离区域中的距离像素形成彩色像素来容易地增加距离像素的尺寸而不损害彩色像素。 构成：在颜色区域（140）中形成多个彩色像素。 颜色区域以第一个间隔分开。 颜色区域以第二间隔分开。 在颜色区域之间的空白区域中的距离区域（160）中形成多个距离像素。
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公开(公告)号：KR100829565B1
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：KR1020060097412
申请日：2006-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
Abstract: A semiconductor probe having a wedge shape resistive tip and a method of fabricating the semiconductor probe is provided. The semiconductor probe includes a resistive tip that is doped with a first impurity, has a resistance region doped with a low concentration of a second impurity having an opposite polarity to the first impurity, and has first and second semiconductor electrode regions doped with a high concentration of the second impurity on both side slopes of the resistive tip. The probe also includes a cantilever having the resistive tip on an edge portion thereof, and an end portion of the resistive tip has a wedge shape.
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公开(公告)号：KR1020080031084A
公开(公告)日：2008-04-08
申请号：KR1020060097412
申请日：2006-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
Abstract: A semiconductor probe having a wedge-shaped resistive tip, and a method of fabricating the same are provided to increase the resolution of a resistance area by forming highly doped electrode areas on both sides of the resistance area of the resistive tip. A semiconductor probe comprises a resistive tip(150), and a cantilever(170). The resistive tip, doped by the first impurity, comprises a resistance area(156) which is doped by the second impurity, having an opposite polarity to that of the first impurity, in low concentration on its top portion, and has first and second semiconductor electrode areas(152,154) doped by the second impurity in high concentration on its inclined portion. The cantilever has the resistive tip on its edge portion. The end portion of the resistive tip is wedge-shaped and the length of the end portion of the tip is in a range of 20nm to 2mum.
Abstract translation: 提供具有楔形电阻端头的半导体探针及其制造方法，以通过在电阻尖端的电阻区域的两侧形成高度掺杂的电极区域来提高电阻区域的分辨率。 半导体探针包括电阻尖端（150）和悬臂（170）。 由第一杂质掺杂的电阻尖端包括由第二杂质掺杂的具有与第一杂质相反的极性的电阻区域（156），其顶部部分的浓度低，并且具有第一和第二半导体 在其倾斜部分上由高浓度的第二杂质掺杂的电极区域（152,154）。 悬臂在其边缘部分具有电阻尖端。 电阻尖端的端部是楔形的，并且尖端的端部的长度在20nm至2μm的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100718140B1
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020050108294
申请日：2005-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 반도체 탐침과 이를 이용한 기록재생방법이 개시된다. 개시된 반도체 탐침은 하부면에 전극층이 마련된 강유전성 매체에 정보를 기록 또는 기록된 정보를 재생하는 반도체 탐침으로서, 저항성 팁;과 매체와 대향하는 면에, 전극층과의 사이에 전압을 온, 오프 함으로써 매체와 팁 간의 접촉력을 조절하는 정전력 형성 전극부가 구비된 캔티레버;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또 개시된 기록재생방법은 본 발명에 의한 반도체 탐침을 이용하는 기록재생방법으로서, 매체의 전극층과 반도체 탐침의 정전력 형성 전극부간에 전압을 인가하여 매체와 팁간의 접촉력에 정전력을 포함되게 하는 기록단계;와 전극층과 정전력 형성 전극부간에 전압을 인가하지 않아 매체와 팁간의 접촉력에 정전력이 포함되지 않게 하는 재생단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 公开了一种半导体探针和使用其的记录/再现方法。 所公开的半导体探针是用于再现被记录在所述电极层或记录上设置铁电体介质的信息到下表面，电阻性尖端的信息的半导体探针;可以通过和一个面在面对介质介质，在电极层之间的电压，该关 并且具有用于调节尖端和尖端之间的接触力的静电力产生电极部分的悬臂。 还公开了记录和再现使用半导体探针被包含在记录和再现方法之间的接触力的静电力方法记录步骤，将电压施加在静电电极形成根据本发明的介质层的一部分和所述半导体探针介质和尖端之间施加 ;不将电压施加在电极层和所述静电电极形成用于再生步骤不包括恒定功率到介质和尖端之间的接触力部之间施加; [0015]
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公开(公告)号：KR100624434B1
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：KR1020040071221
申请日：2004-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G11B9/1409 , G01Q60/30 , Y10S977/875 , Y10S977/878 , Y10S977/879
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 제조방법은 제1불순물을 도핑한 기판의 상면에 스트라이프형의 마스크막을 형성하고, 상기 마스크막을 제외한 상기 기판의 영역에 제2불순물을 고농도로 도핑하여 제1 및 제2반도체 전극영역을 형성하는 단계와, 상기 기판을 열처리하여 상기 제1 및 제2 반도체 전극영역의 외곽에 상기 제2분순물이 저농도로 도핑된 저항영역을 형성하는 단계와, 상기 마스크막과 직교하는 방향으로 스트라이프 형상의 제1감광제를 형성하고, 식각공정을 수행하여 상기 마스크막을 사각형상으로 형성하는 단계와, 상기 제1감광제의 일부를 덮으며 캔티레버 영역을 한정하는 제2감광제를 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2감광제를 제외한 영역을 식각하여 상기 캔티레버 영역을 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2감광제를 제거하고, 상기 마스크막을 제외한 상기 기판을 식각하여 반사각뿔 형상의 저항성 팁을 형성하는 단계를 구비한다.
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公开(公告)号：KR100612884B1
公开(公告)日：2006-08-14
申请号：KR1020040117010
申请日：2004-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L27/105
Abstract: 자기 논리 소자와 그 제조 및 동작 방법이 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 제1 배선 상에 적층되어 자기 분극 방향이 주어진 방향으로 고정된 하부 자성막과, 상기 하부 자성막 상에 적층된 비자성막과, 상기 비자성막 상에 적층되어 자기 분극 방향이 상기 하부 자성막의 자기 분극 방향과 동일하거나 반대인 상부 자성막과, 상기 상부 자성막 상에 형성된 제2 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 논리 소자와 그 제조 및 동작 방법을 제공한다. 상기 제1 배선의 일단과 상기 제2 배선의 일단사이에 제1 전류원이 구비되고, 상기 제1 배선의 타단과 상기 제2 배선의 타단사이에 제2 전류원이 구비될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060037937A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040087040
申请日：2004-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/1409 , G11B9/1472
Abstract: 이방성 전도층을 구비하는 강유전체 기록 매체, 그것이 구비되는 기록 장치 및 그 기록 방법이 개시된다.
강유전체 기록 매체는 강유전체 기록층과 상기 강유전체 기록층을 덮는 보호층을 구비하는 것으로서, 상기 강유전체 기록층은 극성 반전(polarization reversal)되는 강유전성 물질(ferroelectric material)로 형성되고, 상기 보호층은 외부 에너지에 의해 도체, 부도체로 전이되는 전기적 이방성 전도층(anisotropic conduction layer)인 것을 특징으로 한다.
개시된 강유전체 기록 매체에 의하면, 헤드 팁과 강유전체 기록층 사이에 작은 전압을 인가하면서 읽기/쓰기 작업을 수행할 수 있고, 강유전체 기록층이 긁히거나 헤드 팁이 손상/파손되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020060019365A
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020040068007
申请日：2004-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법이 개시된다. 개시된 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법은, 제1 및 제2마스크막을 기판의 상면에 사각형상으로 형성하고, 상기 기판의 상면을 1차적으로 식각한 다음, 상기 제1마스크막을 식각하여 팁 네크의 폭에 해당하는 제3마스크막을 형성한다. 상기 제3마스크막으로 상기 기판을 2차적으로 식각하여 팁 네크의 폭이 소정의 폭으로 되게 한다. 상기 제3마스크막을 제거한 후 상기 기판을 열처리하여 팁의 첨두부를 형성한다. 이에 따르면, 팁 네크의 폭이 일정해지고 따라서 팁의 높이가 일정한 반도체 탐침을 제조할 수 있다.
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