公开(公告)号：KR100767333B1

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：KR1020060046409

申请日：2006-05-24

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 강대환 ,  김인호 ,  정병기 ,  정증현 ,  이택성 ,  김원목 ,  김기범

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1675 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  G11C13/0004

Abstract: A non-volatile electrical phase-change memory device and a manufacturing method thereof are provided to make a uniform temperature and phase distribution within a phase-change material layer by reducing contact resistance between phase change material and electrode material. A first interlayer dielectric(21), a bottom electrode layer(22), a second interlayer dielectric(23), a phase-change material layer(24) and a top electrode layer(25) are sequentially formed on a silicon substrate(20). A contact hole(23') penetrates the second interlayer dielectric to connect the phase-change material layer with the bottom electrode layer, and is filled with phase change material or bottom electrode material. An interfacial control layer(23") is formed at an interface between the phase change material and the bottom electrode material.

Abstract translation: 提供了一种非易失性电相变存储器件及其制造方法，通过降低相变材料和电极材料之间的接触电阻，使相变材料层内的温度和相位分布均匀。 在硅衬底（20）上依次形成第一层间电介质（21），底电极层（22），第二层间电介质（23），相变材料层（24）和顶电极层（25） ）。 接触孔（23'）穿透第二层间电介质以将相变材料层与底部电极层连接，并填充有相变材料或底部电极材料。 在相变材料和底部电极材料之间的界面处形成界面控制层（23“）。

公开(公告)号：KR100742644B1

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：KR1020060001407

申请日：2006-01-05

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 임성수 ,  이문상 ,  김기수 ,  김기범

IPC: H01L21/20 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 양자점 형성 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 단원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)를 이용하여 양자점을 형성하는 방법에 관한 것으로, 이러한 방법을 적용하여 높은 공간 밀도를 갖고 균일한 크기를 갖는 나노미터 크기의 양자점 형성을 제어할 수 있다.
단원자층 증착법(atomic layer deposition), 핵생성 (nucleation), 양자점 (quantum dot), 나노 결정 (nanocrystal)

公开(公告)号：KR100651656B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020040098796

申请日：2004-11-29

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정병기 ,  정증현 ,  강대환 ,  이택성 ,  김인호 ,  이경석 ,  김원목 ,  안동호 ,  김기범

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

Abstract: 본 발명은 비휘발성 상변화 메모리 셀에 관한 것으로서, 금속 전극층과 상변화 재료층 사이에 열구속 기능을 갖는 전극접촉 재료로서 전기전도성이 비교적 크나 열전도성은 작으며 열안정성이 우수한 투명전도성 산화물 반도체 재료를 사용한다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 비휘발성 상변화 메모리의 데이터 기록 및 소거 동작에 필요한 전력소모의 감소에 효과적으로 적용될 수 있다.
상변화 메모리, 전극 접촉층, 투명전도성 산화물

Abstract translation: 非易失性相变存储单元技术领域本发明涉及一种非易失性相变存储单元，更具体地涉及具有导电性较高但导热系数小且热稳定性优异的透明导电氧化物半导体材料的非易失性相变存储单元 使用。 根据本发明的存储单元可以有效地应用于降低非易失性相变存储器的数据写入和擦除操作所需的功耗。

公开(公告)号：KR100607874B1

公开(公告)日：2006-08-08

申请号：KR1020040050049

申请日：2004-06-30

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  김병성

IPC: G02B21/02

Abstract: 본 발명은 투과전자 현미경용 또는 전자 빔 리소그라피 장치중에서 원자이미지를 이용한 패턴형성 장치용 대물렌즈의 조리개에 관한 것으로, 특히 시편에 조사된 전자빔이 시편을 통과하여 나오는 투과빔(transmitted beam)과 회절빔(diffracted beam)의 간섭에 의해 상이 형성되는 고분해능 이미지형성에 있어서의 배경잡음을 제거할 수 있는 투과전자 현미경용 또는 전자 빔 리소그라피 장치중에서 원자이미지를 이용한 패턴형성 장치용 대물렌즈 조리개의 구조에 관한 것이다.
대물렌즈 조리개, 배경잡음, 고분해능 이미지, 투과전자현미경, 전자빔 리소그라피 장치, 원자 이미지

公开(公告)号：KR1020060000986A

公开(公告)日：2006-01-06

申请号：KR1020040049986

申请日：2004-06-30

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  위정섭

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/7045 ,  G03F7/095 ,  G03F7/7005

Abstract: 본 발명은 원자이미지를 이용한 패턴형성방법인 원자이미지 투사 전자빔 리소그라피(AIPEL: atomic image projection electron beam lithography) 기술에 관한 것이며, 특히 AIPEL공정에서 다층감광막을 사용하여 미세패턴을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 순차적으로 전자빔용 감광막(electron beam resist)과 포토레지스트(photoresist)를 도포하여 다층 감광막을 형성한 후, 미세 패턴(AIPEL 패턴)이 필요한 지점의 영역과 영역의 형태 등을 포토리소그래피 공정을 통하여 선택적으로 결정하며, 이렇게 선택된 영역에서만 드러나는 전자빔용 감광막의 표면에 투사방식의 원자이미지를 이용한 전자빔 리소그래피 공정을 진행하고 현상을 하게 되면, 원하는 위치에 원하는 형태의 최종의 미세 패턴(AIPEL 패턴)을 얻을 수 있다.
원자이미지, 다층감광막, AIPEL, 포토리소그라피, 전자빔리소그라피

Abstract translation: 本发明是使用原子图像形成原子图像投影电子束光刻的方法的模式：其通过在AIPEL过程，使用所述多层光敏膜涉及（AIPEL原子图像投影电子束光刻）技术，尤其涉及一种用于形成精细图案 。 通过顺序地通过光刻工艺将电子束施加光致抗蚀剂（电子束抗蚀剂）和精细图案（AIPEL图案）的光致抗蚀剂（光致抗蚀剂）型区域和所述点的所需要的区域，例如通过选择性地形成的多层光敏膜之后 决定，因此，当使用投影系统的原子图像的电子束光致抗蚀剂的表面上，用于仅在所选择的区域和的现象揭示了前进的电子束光刻工艺，能够在期望的位置，以获得所期望的形状的最终的精细图案（AIPEL图案） 。

公开(公告)号：KR1020040079451A

公开(公告)日：2004-09-16

申请号：KR1020030014204

申请日：2003-03-07

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  강대환 ,  안동호 ,  이경우 ,  정병기

IPC: H01L27/10

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an electrical phase change memory device is provided to perform a phase change process in low operating current by using a heat generation and isolation layer. CONSTITUTION: An active region as a source and a drain and a cell selection transistor are formed on a silicon substrate(20). An interlayer dielectric(23) is deposited thereon. A contact is formed by performing a photoresist process and an etch process. Conductive contact materials(24) such as tungsten and titanium nitride are deposited thereon. A heat generation and isolation layer(25,25-1) is formed on the contact materials. Phase change materials(26,26-1) are deposited on the heat generation and isolation layer. A unit cell memory structure is formed by patterning the heat generation and isolation layer, the phase change materials, and a metal electrode formed on the phase change materials.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电相变存储器件的方法，通过使用发热和隔离层来执行低工作电流的相变过程。 构成：在硅衬底（20）上形成作为源极的有源区和漏极以及电池选择晶体管。 在其上沉积层间电介质（23）。 通过进行光致抗蚀剂工艺和蚀刻工艺形成接触。 诸如钨和氮化钛的导电接触材料（24）沉积在其上。 在接触材料上形成发热隔离层（25,25-1）。 相变材料（26,26-1）沉积在发热隔离层上。 通过图案化形成在相变材料上的发热隔离层，相变材料和金属电极来形成单元存储结构。

公开(公告)号：KR101061526B1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020080132248

申请日：2008-12-23

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤도영 ,  김기범

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0757 ,  G03F7/0758

Abstract: 본 발명은 전자빔 리소그래피용 레지스트에 관한 것으로서 더욱 구체적으로는 두 종류의 유기 실록산 화합물을 공중합한 네가티브형 레지스트에 관한 것이다. 본 발명의 전자빔 리소그래피용 레지스트를 이용하면, 전자빔에 대한 감도가 높을 뿐만 아니라 제조가 용이하고 장기간 보관하여도 레지스트 특성이 보다 균일하여 더욱 우수한 품질의 반도체 소자의 제조가 가능한 효과가 있다.
리소그래피, 네가티브, 레지스트, 알콕시실란, 공중합

Abstract translation: 用于电子束光刻的抗蚀剂技术领域本发明涉及用于电子束光刻的抗蚀剂，并且更具体地涉及其中共聚两种有机硅氧烷化合物的负型抗蚀剂。 与电子束光刻抗蚀剂本发明的，不仅电子束的高灵敏度以及易于制造，并且具有能够制造更加优良的品质，并且还更均匀的特性的半导体装置以抵抗长期储存的效果。

公开(公告)号：KR1020070102295A

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：KR1020060034258

申请日：2006-04-14

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이경우 ,  김기범 ,  박영욱 ,  이태연

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004

Abstract: A unit cell of a multi-bit phase changeable memory device is provided to control independently each state of one unit cell according to the phase change of a phase changeable material in spite of the same CDs(Critical Dimensions) of phase changeable layers by forming a parallel structure together with the phase changeable material using a predetermined material with a proper electric resistivity between first resistivity of a crystalline phase of the phase changeable material and a second resistivity of an amorphous phase of the phase changeable material. A unit cell of a phase changeable memory device includes a phase changeable layer(112) and an auxiliary resistive layer. The auxiliary resistive layer(111) is arranged parallel with the phase changeable layer in the same layer as that of the phase changeable layer. A plurality of phase changeable layers and auxiliary resistive layers are capable of being alternately arranged in the same layer. The auxiliary resistive layer has a predetermined resistivity between a first resistivity and a second resistivity. The first resistivity is obtained from the phase changeable layer of a crystalline phase. The second resistivity is acquired from the phase changeable layer of an amorphous phase.

Abstract translation: 提供多位相位可变存储器件的单位单元，用于根据可相变材料的相位变化来独立地控制一个单元电池的每个状态，尽管通过形成相变层可以具有相同的CD（临界尺寸） 使用具有在相变材料的结晶相的第一电阻率和可相变材料的非晶相的第二电阻率之间具有适当电阻率的预定材料的相变材料。 相变存储器件的单元单元包括相变层（112）和辅助电阻层（112）。 辅助电阻层（111）与相变层平行地设置在与相变层相同的层中。 多个相变层和辅助电阻层能够交替布置在同一层中。 辅助电阻层在第一电阻率和第二电阻率之间具有预定的电阻率。 第一电阻率是从结晶相的相变层获得的。 从非晶相的相变层获取第二电阻率。

公开(公告)号：KR1020070073464A

公开(公告)日：2007-07-10

申请号：KR1020060001407

申请日：2006-01-05

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 임성수 ,  이문상 ,  김기수 ,  김기범

IPC: H01L21/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/0228 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02046

Abstract: A quantum dot forming method is provided to control a spacious density of quantum dots and to improve the uniformity of size of the quantum dots by using an ALD(Atomic Layer Deposition). A material precursor is supplied into a chamber in order to form a material precursor layer on a substrate(102). Quantum dots are formed on the substrate by reducing or reacting ligand of the material precursor layer. An aiming quantum dot layer with high spacious density and a uniform quantum dot size is formed on the substrate by performing repeatedly the material precursor layer forming process and the quantum dot forming process.

Abstract translation: 提供量子点形成方法来控制量子点的宽度密度，并通过使用ALD（原子层沉积）来提高量子点尺寸的均匀性。 将材料前体供应到室中以在基板（102）上形成材料前体层。 通过还原或反应材料前体层的配体，在衬底上形成量子点。 通过重复进行材料前体层形成工艺和量子点形成工艺，在衬底上形成具有高空间密度和均匀量子点尺寸的瞄准量子点层。

公开(公告)号：KR1020070036499A

公开(公告)日：2007-04-03

申请号：KR1020050091588

申请日：2005-09-29

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  박상현

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B82B3/0038

Abstract: 본 발명은 양극산화를 통해 물질층을 산화시킬 때 형성되는 나노 포어의 크기 및 깊이 균일도를 확보할 수 있는 나노 구조체의 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 실리콘웨이퍼 상에 실리콘산화막을 형성하는 단계; 상기 실리콘산화막을 선택적으로 식각하여 완만한 곡률의 측벽 모양을 갖는 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치를 포함한 실리콘산화막 상에 전도성막을 형성하는 단계; 상기 전도성막 상에 나노 포어 어레이가 형성될 알루미늄박막을 형성하는 단계; 상기 알루미늄박막의 표면을 화학적기계적연마를 통해 평탄화시키는 단계; 양극산화 공정을 통해 상기 표면이 평탄화된 알루미늄박막을 산화시켜 나노 포어어레이를 갖는 알루미나를 형성하는 단계; 상기 나노포어어레이 아래의 알루미나를 제거하도록 상기 양극산화를 과잉으로 더 진행하여 상기 나노포어어레이 아래에 상기 전도성막의 표면을 드러내는 단계; 및 상기 표면이 노출된 전도성막을 이용하여 상기 나노포어 어레이 각각의 나노포어 내부에 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함하고, 상술한 본 발명은 알루미늄박막을 증착하고 화학적기계적연마(CMP)를 통해 알루미늄박막의 표면거칠기를 개선하므로써 후속 양극산화에 의해 형성되는 양극산화 알루미늄의 포어의 깊이 및 크기 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있으며, 또한, 본 발명은 실리콘기판에 다양한 패턴으로 인해 굴곡이 있는 경우에도 평탄한 양극산화 알루미늄의 포어어레이를 균일한 깊이, 크기 및 간격으로 구현할 수 있는 효과가 있다.
나노포어, AAO, 양극산화, 나노와이어, 트렌치, 전도성막

Abstract translation: 制造纳米结构的方法包括在衬底上形成氧化硅层，选择性地蚀刻氧化硅层以形成具有逐渐倾斜的侧壁的沟槽，在沟槽的氧化硅层之上形成导电层，在其上形成铝层 导电层，使用化学机械抛光（CMP）对铝层的表面进行平坦化，阳极氧化铝层以形成具有纳米孔阵列的氧化铝层，通过执行阳极氧化过程去除纳米孔下面的阻挡型氧化铝层 从而将导电层暴露在纳米孔下方，并使用暴露的导电层在单个纳米孔内生长纳米线。