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21.发明授权전류 공유 방식의 적분기, 전류 공유 방식의 시그마 델타 아날로그 디지털 변환기 및 전류 공유 방식의 센서 장치 有权具有电流共享的积分器，具有电流共享的Sigma-delta模拟数字转换器，具有电流共享的传感器装置
公开(公告)号：KR101196403B1
公开(公告)日：2012-10-30
申请号：KR1020100060057
申请日：2010-06-24
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: 전류 공유 방식의 적분기, 전류 공유 방식의 시그마 델타 아날로그 디지털 변환기 및 전류 공유 방식의 센서 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 공유 방식의 적분기는 적분 주기마다 최초 입력신호를 샘플링한 제1 입력신호를 출력하는 제1 샘플링 커패시터부; 상기 제1 샘플링 커패시터부가 샘플링 주기에 있을 때, 제1 신호를 샘플링한 제2 입력신호를 출력하는 제2 샘플링 커패시터부; 상기 제1 입력신호에 따라 적분된 상기 제1 신호를 상기 제2 샘플링 커패시터부에 인가하는 제1 증폭부; 상기 제2 입력신호에 따라 적분된 제2 신호를 출력하는 제2 증폭부; 및 상기 제1 샘플링 커패시터부의 적분 주기에 상기 제1 증폭부에 공유 전류를 인가하고, 상기 제1 샘플링 커패시터부의 샘플링 주기에 상기 제2 증폭부에 상기 공유 전류를 인가하는 전류 스위칭부를 포함한다. 본 발명의 실시 예들에 따르면, 적분기에 사용되는 증폭기에서 성능은 유지하되 전체 사용 전류량을 기존의 절반 수준으로 줄일 수 있으므로, 고효율의 고성능, 저전력 기기를 제작할 수 있게 한다.
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公开(公告)号：KR1020120078107A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020100140298
申请日：2010-12-31
Applicant: 서강대학교산학협력단
CPC classification number: B23H1/02 , B23H9/008 , B23H2500/20
Abstract: PURPOSE: An EDM(Electric Discharge Machine) and a controlling method thereof are provided to control a distance by analyzing a correlation between the distance and a signal size by using an amplitude change of signals, thereby multiplying the processing accuracy of an EDM. CONSTITUTION: A EDM machining using a discharge effect between a specimen surface and an electrode comprises a signal generator(201), a signal analyzer(202), and a distance calculating engine(203). The signal generator generates signals being input to an electrode. The signal analyzer measures signals being transmitted to a specimen surface. The distance calculating engine calculates a distance between the electrode and the specimen surface by using the signals measured by the signal analyzer.
Abstract translation: 目的：提供EDM（放电加工机）及其控制方法，通过使用信号幅度变化分析距离与信号尺寸之间的相关性来控制距离，从而将EDM的处理精度相乘。 构成：使用在试样表面和电极之间的放电效应的电火花加工包括信号发生器（201），信号分析器（202）和距离计算引擎（203）。 信号发生器产生输入到电极的信号。 信号分析仪测量传输到样品表面的信号。 距离计算引擎通过使用由信号分析仪测量的信号来计算电极和样品表面之间的距离。
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公开(公告)号：KR101800783B1
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：KR1020160133720
申请日：2016-10-14
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01L21/8238 , H01L29/16 , H01L27/092 , H01L29/24
CPC classification number: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/16 , H01L29/24
Abstract: 본발명은실리콘카바이드기반의트랜지스터및 이를제조하는방법에관한것으로, 실리콘카바이드기반의트랜지스터는기판, 상기기판의상부에서상호맞닿는제1 및제2 타입의웰들(wells) 및상기제1 및제2 타입의웰들의상호맞닿는부위에서각 타입에따른수직고농도도핑영역들을통해정의되는항복전압개선영역을포함한다.
Abstract translation: 本发明中，基于碳化硅的晶体管基板，相互邻接第一mitje的在衬底（阱）和第一mitje第二类型涉及一种方法，用于生产基于碳化硅的晶体管的顶部第二型阱，并且这 在阱的相互邻接部分根据每种类型形成重掺杂区域。
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公开(公告)号：KR101669987B1
公开(公告)日：2016-10-27
申请号：KR1020140172044
申请日：2014-12-03
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01L29/872 , H01L21/265
Abstract: 본발명은실리콘카바이드트렌치모스장벽쇼트키다이오드및 그의제조방법에관한것으로, 기판위에 N형에피층(epilayer)을성장시키고, 마스크(mask)를사용하여에피층을식각(etching)함으로써트렌치(trench) 구조를형성하고, 마스크를유지한채로트렌치구조의내측벽면에도핑층을형성하고, 도핑층을포함하여트렌치구조의내측벽면과바닥면을감싸도록산화막을증착하고, 트렌치구조의노출된상단과산화막을감싸도록전하인가층을증착하며, 전하인가층의상단과기판하단에각각애노드(anode) 금속접합과캐소드(cathode) 금속접합을형성한다.
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公开(公告)号：KR1020150078759A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130168450
申请日：2013-12-31
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/872 , H01L21/326 , H01L29/47
Abstract: 실리콘카바이드쇼트키다이오드및 그의제조방법이개시된다. 실리콘카바이드쇼트키다이오드의제조방법은, N형 SiC 기판위에 N형에피층을성장시키고, 이온주입을이용하여 N형에피층위에 N형도핑층을형성하고, N형도핑층을포함하여 N형에피층을에칭함으로써트렌치구조를형성하고, 이온주입을이용하여트렌치구조의바닥영역에 P형도핑층을형성하며, 에칭한트렌치구조를감싸도록금속을증착시킨다.
Abstract translation: 公开了一种SiC肖特基势垒二极管及其制造方法。 制造SiC肖特基势垒二极管的方法包括在N型SiC衬底上生长N型外延层，通过使用离子注入在N型外延层上形成N型掺杂层，通过蚀刻N型外延形成沟槽结构 层，包括N型掺杂层，通过使用离子注入在沟槽结构的底部区域中形成P型掺杂层，并且沉积金属以包围蚀刻的沟槽结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150078132A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130167249
申请日：2013-12-30
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01L21/336
Abstract: 측면확산 MOS 소자및 그의제조방법이개시된다. 측면확산 MOS 소자의제조방법은, 제 1 도전형반도체기판에이온주입(ion implantation)을수행하여제 1 도전형반도체기판의상단에제 2 도전형소스(source) 영역과제 2 도전형드레인(drain) 영역을각각형성하고, 제 1 도전형반도체기판에이온주입을수행하여제 2 도전형드레인영역의일측에제 2 도전형드리프트영역을형성하고, 제 2 도전형소스영역과제 2 도전형드리프트(drift) 영역간에위치한제 1 도전형반도체기판의상부에제 1 도전형도핑(doping)을수행하고, 제 2 도전형소스영역과제 2 도전형드리프트영역간에위치한제 1 도전형반도체기판의상부에산화막을형성하고, 제 1 도전형반도체기판과산화막간의계면에어닐링(annealing)을수행하며, 산화막상단에금속의게이트를형성한다.
Abstract translation: 公开了横向扩散MOS器件及其制造方法。 制造横向扩散MOS器件的方法分别通过在第一导电半导体衬底上注入离子而在第一导电半导体衬底的上侧形成第二导电源区域和第二导电漏极区域; 通过在第一导电半导体衬底上注入离子，在第二导电漏极区的一侧上形成第二导电漂移区; 在第二导电源区域和第二导电漂移区域之间的第一导电半导体衬底的上侧执行第一导电掺杂操作; 在位于第二导电源区域和第二导电漂移区域之间的第一导电半导体衬底的上侧形成氧化物膜; 退火氧化膜和第一导电半导体衬底之间的界面; 并且在氧化膜的上侧形成金属栅极。
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公开(公告)号：KR1020130127857A
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020120051681
申请日：2012-05-15
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: The present invention relates to a measuring instrument which comprises: a housing; a mounting unit combined with the housing and composed of a thin film on which a radiopharmaceutical is developed; a measuring unit to measure the synthetic yield of the radiopharmaceutical developed on the thin film; an output unit which outputs the measuring value of the measured synthetic yield by the measuring unit; and a control unit to control the output unit to output the measuring value. According to the present invention, since the measuring unit having a sensor to measure the synthetic yield of the radiopharmaceutical is fixed, and the mounting unit with a thin film on which the radiopharmaceutical is developed moves to measure the synthetic yield of the radiopharmaceutical, an error due to the movement of the sensor can be minimized. [Reference numerals] (120) Driving unit;(130) Installing unit;(140) Measuring unit;(150) Touch screen;(160) Control unit
Abstract translation: 本发明涉及一种测量仪器，包括：壳体; 与壳体结合并由其上开发放射性药物的薄膜组成的安装单元; 用于测量在薄膜上开发的放射性药物的合成产量的测量单元; 输出单元，其输出由测量单元测量的合成产量的测量值; 以及控制单元，用于控制输出单元输出测量值。 根据本发明，由于具有用于测定放射性药剂的合成收益的传感器的测定单元是固定的，并且具有放射性药物的薄膜的安装单元移动以测定放射性药剂的合成收益， 由于传感器的运动可以最小化。 （附图标记）（120）驱动单元;（130）安装单元;（140）测量单元;（150）触摸屏;（160）控制单元
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公开(公告)号：KR101312306B1
公开(公告)日：2013-09-27
申请号：KR1020110117727
申请日：2011-11-11
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: G06T7/00
Abstract: 본 발명은 표지판 인식방법에 관한 것으로서, 영상으로부터 표지판의 정보를 포함하는 관심영역을 추출하는 단계, 상기 관심영역을 미리 설정된 임계값을 이용하여 이진화하는 단계, DCT 변환을 수행할 DCT 계수 좌표를 선택하는 단계, 상기 이진화된 관심영역을 연산값 테이블을 이용하여 상기 선택된 DCT 계수 좌표에 따라 DCT 변환하는 단계, 상기 DCT 변환하여 산출한 DCT 계수를 상기 표지판의 특징값으로 추출하는 단계, 및 복수의 클래스 각각의 특징값과 상기 추출된 특징값 간의 거리를 산출하여 상기 표지판이 상기 복수의 클래스 중 어떤 클래스에 속하는지 분류하여 상기 표지판을 인식하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며 영상을 이진화하여 DCT 변환의 연산량을 줄일 수 있다.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤：从图像中提取包括符号信息的感兴趣区域，使用预设阈值对感兴趣区域进行二值化，选择DCT系数坐标以执行DCT变换 使用操作值表根据所选DCT系数坐标将所述二值化感兴趣区域转换为DCT系数，将通过所述DCT变换计算的所述DCT系数提取为所述符号的特征值， 计算每个特征值与提取的特征值之间的距离，并且通过将多个类中的哪一个归类为符号的类来识别该符号， 计算量可以减少。
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公开(公告)号：KR1020130064555A
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：KR1020110131223
申请日：2011-12-08
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66325 , H01L29/66234 , H01L29/66333 , H01L29/66712
Abstract: PURPOSE: A planar gate IGBT with an nMOS is provided to improve the efficiency of electron injections by inserting an nMOS into a planar gate. CONSTITUTION: A P+ collector region(20) is positioned on the lower part of an N drift layer(10). An N+ region(40) is positioned in the lower sides of the N drift layer. A first emitter electrode(50) is positioned on the upper sides of the N drift layer. A planar gate electrode(60) is positioned between the upper part of the N drift layer and the first emitter electrode. A second emitter electrode(70) is positioned between the planar gate electrodes.
Abstract translation: 目的：提供具有nMOS的平面栅极IGBT，以通过将nMOS插入平面栅极来提高电子注入的效率。 构成：P +集电极区域（20）位于N漂移层（10）的下部。 N +区域（40）位于N漂移层的下侧。 第一发射电极（50）位于N漂移层的上侧。 平面栅电极（60）位于N漂移层的上部和第一发射极之间。 第二发射电极（70）位于平面栅电极之间。
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公开(公告)号：KR1020130052334A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020110117728
申请日：2011-11-11
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H04N19/167 , H04N19/60
CPC classification number: H04N19/167 , H04N19/122 , H04N19/176
Abstract: PURPOSE: A sign recognizing device, a sign recognizing method thereof, and an image recognizing method thereof are provided to operate the DCT(Discrete Cosine Transform) conversion for sign recognitions by blocking an image. CONSTITUTION: A sign recognizing device extracts an ROI(Region Of Interest) including a sign information from an image(210). The device divides the ROI into image blocks to perform the DCT conversion of the image blocks according to the DCT coefficient coordinates(220,230). The device extracts a DCT coefficient as a feature value of a sign(240). The device recognizes the sign by classifying the sign(250). [Reference numerals] (210) Extract a region of interest including the information of a sign from an image; (220) Select a DCT coefficient coordinate to perform DCT conversion; (230) DCT convert by dividing the region of interest into image blocks of predetermined sizes according to the selected DCT coefficient coordinate; (240) Extract DCT coefficient calculated by the DCT conversion as the feature value of the sign; (250) Recognize the sign by calculating distances between each feature value of a plurality of classes and the extracted feature value and classifying which class of the plurality of classes the sign is belonged to; (AA) Start; (BB) End
Abstract translation: 目的：提供一种符号识别装置，其符号识别方法及其图像识别方法，以通过阻挡图像来操作用于符号识别的DCT（离散余弦变换）转换。 构成：符号识别装置从图像（210）提取包括符号信息的ROI（感兴趣区域）。 该设备将ROI划分为图像块，以根据DCT系数坐标（220,230）执行图像块的DCT转换。 设备提取DCT系数作为符号的特征值（240）。 设备通过对符号进行分类来识别符号（250）。 （附图标记）（210）从图像提取包括信号的信息的感兴趣区域; （220）选择DCT系数坐标进行DCT变换; （230）根据所选择的DCT系数坐标将感兴趣区域划分成预定尺寸的图像块进行DCT转换; （240）提取通过DCT转换计算出的DCT系数作为符号的特征值; （250）通过计算多个类别的每个特征值之间的距离和所提取的特征值并对符号所属的多个类别分类来识别符号; （AA）开始; （BB）结束
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