公开(公告)号：KR1020120017719A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：KR1020100080491

申请日：2010-08-19

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 신승욱 ,  김진혁 ,  문종하 ,  박찬영 ,  김새록 ,  이정용

IPC: B82B3/00 ,  B01J19/08

Abstract: PURPOSE: A copper-zinc-tin-sulfur-selenium(CZTSS)-based nano-particle precursor, a method for manufacturing the same, the CZTSS-based nano-particles using the same, and a method for manufacturing the nano-particles are provided to synthesize the CZTSS-based nano-particle precursor by hardly using toxic materials. CONSTITUTION: A CZTSS-based nano-particle precursor is synthesized by irradiating microwave to a reacting solution containing copper, zinc, tin, and sulfur. The composition ratio of the copper, the zinc, the tin, the sulfur is adjusted according to the pH value of the reacting solution. The microwave irradiation is implemented for 5 minutes to 1 hours under 100-700W. A method for manufacturing the CZTSS-based nano-particle precursor includes the following: the reacting solution is prepared; the pH value of the reacting solution is adjusted; the microwave is irradiated to the reacting solution. The CZTSS nano-particle precursor is separated.

Abstract translation: 目的：一种基于铜 - 锌 - 锡 - 硫 - 硒（CZTSS）的纳米颗粒前体及其制备方法，使用该纳米颗粒的CZTSS基纳米颗粒及其制备方法 提供用于通过几乎不使用有毒材料合成基于CZTSS的纳米颗粒前体。 构成：通过将微波照射到含有铜，锌，锡和硫的反应溶液中来合成基于CZTSS的纳米颗粒前体。 根据反应溶液的pH值调节铜，锌，锡，硫的组成比。 微波照射在100-700W下实施5分钟至1小时。 制造基于CZTSS的纳米颗粒前体的方法包括：制备反应溶液; 调整反应溶液的pH值; 将微波照射到反应溶液。 分离CZTSS纳米颗粒前体。

公开(公告)号：KR1020110112977A

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020100032248

申请日：2010-04-08

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 신승욱 ,  김진혁 ,  문종하 ,  박찬영 ,  강소라

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

Abstract: 본 발명은 CZTS 나노입자(Cu
2 ZnSnS
4 nano-particle) 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 독성물질을 사용하지 않고 Cu
2 ZnSnS
4 나노입자 전구체를 합성하는 제조방법, 그 방법으로 제조된 전구체 및 제조된 전구체를 황화 열처리 하여 고품질 Cu
2 ZnSnS
4 나노입자를 제조하는 방법 및 제조된 고품질 Cu
2 ZnSnS
4 나노입자에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101022113B1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：KR1020080129816

申请日：2008-12-19

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁

IPC: H01L33/64

Abstract: 본 발명은 엘이디 모듈에 관한 것으로써, 리드프레임과, 상기 리드프레임 상부에 안착되는 반도체칩과, 상기 반도체칩이 실장되게 상기 리드프레임 상부로 몰딩처리된 몰딩부를 갖는 엘이디 패키지와; 상기 리드프레임의 리드가 결합 고정되는 회로기판과; 상기 엘이디 패키지의 몰딩부 하부와 상기 회로기판 사이에 장착되는 히트싱크와; 상기 회로기판 하부에 마련되는 바닥부와 상기 바닥부의 양단으로 부터 상기 엘이디 패키지를 향하여 연장된 측벽을 갖는 외부방열케이스와; 열전도성재질을 포함하며, 상기 회로기판과 상기 바닥부 사이에 끼움결합되어 상기 회로기판을 상부로 가압함으로써 상기 히트싱크를 상기 측벽을 향하여 가압밀착시키는 가압부재;를 포함한다.
이에 의해, 엘이디 발광시 발열되는 열이 신속하고 효과적으로 방출됨으로써엘이디의 신뢰성을 높이고, 인가되는 전류의 양을 증가시켜 광량을 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR100993933B1

公开(公告)日：2010-11-12

申请号：KR1020080080671

申请日：2008-08-19

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김두만 ,  김진혁 ,  문종하

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/31

Abstract: 본 발명은 산화아연(ZnO) 박막의 제조 및 그 박막의 표면 형상을 제어하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 수열합성법을 이용한 에피택셜 산화아연 박막의 성장과 그 박막이 형성된 기판이 존재하는 수열합성용 용액의 온도 조건 변화를 통해 제어된 표면 형상을 갖는 산화아연 박막의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 제어된 표면 형상을 갖는 산화아연 박막 제조방법은 수열합성법과 수열합성용 용액의 온도 조건 변화를 이용함으로써, 저온에서 저가의 간단한 공정으로 잘 제어된 표면 형상을 갖는 산화아연 박막을 제조할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 본 발명의 제조방법에 의해 제조된 산화아연 박막은 결정성과 광학적 특성이 우수하여 태양전지와 발광다이오드(LED) 등의 광학소자에 투명 전도체를 제조하는 데에 응용할 수 있는 효과를 제공한다.
수열합성법, 산화아연 박막, 에피택셜 성장, 표면 형상 제어

公开(公告)号：KR1020100096533A

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：KR1020090015444

申请日：2009-02-24

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  김태언 ,  문종하 ,  김선훈 ,  김회종 ,  고항주

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: An optical absorption layer for a solar battery and a manufacturing method thereof are provided to improve reliability and yield by depositing SiO2 or the SiNx compound on a thin film through a PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) method. CONSTITUTION: A predetermined amount of Se is deposited on a thin film according to composition ratio(S100). A protective layer is formed on the deposited Se(S200). The thin film is heat-treated(S300). The protective layer is removed by an etching process(S400). A ternary thin film includes CIS or CIGS. The protective layer is formed by depositing SiO2 or SiNx.

Abstract translation: 目的：提供一种用于太阳能电池的光吸收层及其制造方法，以通过PECVD（等离子体增强化学气相沉积）方法将SiO 2或SiN x化合物沉积在薄膜上来提高可靠性和产率。 构成：按照组成比将预定量的Se沉积在薄膜上（S100）。 在沉积的Se上形成保护层（S200）。 对薄膜进行热处理（S300）。 通过蚀刻工艺去除保护层（S400）。 三元薄膜包括CIS或CIGS。 保护层通过沉积SiO 2或SiN x形成。

公开(公告)号：KR1020100071186A

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：KR1020080129816

申请日：2008-12-19

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁

IPC: H01L33/64

Abstract: PURPOSE: A high efficiency power LED module and a manufacturing method thereof are provided to improve heat dissipation performance by discharging heat transferred to a circuit substrate to the outside of an external heat dissipation case through a pressurizing member. CONSTITUTION: An LED package(10) comprises a lead frame, a semiconductor chip which is settled in the upper part of the lead frame, and a molding part. The LED package is fixed in a circuit board(30). A heat sink(20) is installed between the lower part of the molding part of the LED package and the circuit board. An external heat dissipation case(40) comprises a bottom part and a side wall. A pressurizing member(50) adheres closely the heat sink towards the sidewall by pressurizing the circuit board to the upper part.

Abstract translation: 目的：提供一种高效率功率LED模块及其制造方法，其通过经由加压构件将传递到电路基板的热量排出到外部散热壳体的外部来提高散热性能。 构造：LED封装（10）包括引线框架，沉积在引线框架的上部的半导体芯片和模制部件。 LED封装固定在电路板（30）中。 散热器（20）安装在LED封装的成型部分的下部与电路板之间。 外部散热壳（40）包括底部和侧壁。 加压构件（50）通过将电路板加压到上部而将散热器靠近侧壁附着。

公开(公告)号：KR1020080085401A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：KR1020070026858

申请日：2007-03-19

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 박시현 ,  손수광 ,  이준기 ,  김진혁 ,  문종하

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L2933/0083

Abstract: A light emitting diode having a micro lens is provided to realize excellent optical transmissivity and high adhesive property with respect to a substrate by forming the micro lens with an ultraviolet rays hardening adhesive agent. An N-type semiconductor layer(140), an active layer(150), and a P-type semiconductor layer(160) are sequentially laminated on a substrate(110). A part of the N-type semiconductor layer is exposed by removing a region from the P-type semiconductor layer to a part of the N-type semiconductor layer. An N-type electrode pad(190) is formed on an upper portion of the exposed N-type semiconductor layer. A transparent conductive layer is formed on an upper portion of the P-type semiconductor layer. A P-type electrode pad(180) is formed on an upper portion of the P-type semiconductor layer. Micro lenses made of an ultraviolet rays hardening adhesive agent are arranged on an upper portion of the transparent conductive layer.

Abstract translation: 提供具有微透镜的发光二极管，通过用紫外线固化粘合剂形成微透镜来实现相对于基板的优异的透光性和高粘合性。 在衬底（110）上依次层叠N型半导体层（140），有源层（150）和P型半导体层（160）。 通过从P型半导体层去除一部分N型半导体层而使N型半导体层的一部分露出。 在暴露的N型半导体层的上部形成有N型电极焊盘（190）。 在P型半导体层的上部形成透明导电层。 P型电极焊盘（180）形成在P型半导体层的上部。 在透明导电层的上部配置由紫外线固化型粘合剂构成的微透镜。

公开(公告)号：KR101532139B1

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：KR1020130109655

申请日：2013-09-12

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  신승욱 ,  이정용 ,  문종하 ,  김유경

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 박막태양전지를구성하는 CIGS 박막의제조방법이개시된다. 하이레벨과로우레벨이반복적으로인가되는펄스열 형태의전압의인가와열처리를통해 CIGS 박막은형성될수 있다. 하이레벨을가진전압의인가에따라 Se 이온또는 Cu 이온이전착되고, 로우레벨을가지는전압의인가에따라 Ga 이온및 In 이온이전착된다. 또한, 작업전극에인가되는전압은 3단계의레벨을가진스텝펄스의형태로인가될수 있다. 이를통해빠른공정시간내에 CIGS 박막의형성이이루어질수 있다.

公开(公告)号：KR1020150032438A

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：KR1020130112094

申请日：2013-09-17

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  신승욱 ,  이정용 ,  문종하 ,  김인영

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18

Abstract: 화학 수조 증착법을 이용한 CZTS 박막 제조방법이 개시된다. 이 방법은 수조에 전구체 용액을 준비하는 단계와, 전구체 용액에 기판을 넣고 소정 시간 동안 유지하여 기판에 전구체 박막을 형성하는 단계와, 전구체 박막이 형성된 기판을 취출하여 열처리하는 단계를 포함한다. 여기서, 전구체 용액의 다양한 예를 가진다. 금속염, 착화제, 및 황염 또는 셀렌염을 포함하거나, 금속염과 착화제만을 포함할 수 있다. 또한 전구체 용액을 복수의 전구체 용액으로 준비하여 복수의 전구체 박막을 형성한 후 이를 열처리하여 CZTS 박막을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 使用化学浴沉积技术制造CZTS基薄膜的方法。 该方法包括以下步骤：在水箱中制备前体溶液; 将衬底输入到前体溶液中并保持衬底一定时间以在衬底上形成前体薄膜; 并提取其中形成前体薄膜的基材，并对基材进行热处理，其中可以应用前体溶液的各种实例，并且可以包括金属盐，络合剂和硫盐或硒盐，或者仅仅是 金属盐和复合剂。 此外，本发明可以制备多种前体溶液，形成多个前体薄膜，并将其热处理以形成CZTS薄膜。

公开(公告)号：KR1020150030813A

公开(公告)日：2015-03-23

申请号：KR1020130109655

申请日：2013-09-12

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  신승욱 ,  이정용 ,  문종하 ,  김유경

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

Abstract: 박막태양전지를구성하는 CIGS 박막의제조방법이개시된다. 하이레벨과로우레벨이반복적으로인가되는펄스열 형태의전압의인가와열처리를통해 CIGS 박막은형성될수 있다. 하이레벨을가진전압의인가에따라 Se 이온또는 Cu 이온이전착되고, 로우레벨을가지는전압의인가에따라 Ga 이온및 In 이온이전착된다. 또한, 작업전극에인가되는전압은 3단계의레벨을가진스텝펄스의형태로인가될수 있다. 이를통해빠른공정시간내에 CIGS 박막의형성이이루어질수 있다.

Abstract translation: 公开了一种制造包括薄膜太阳能电池的CIGS薄膜的方法。 通过进行热处理并施加重复施加高电平和低电平的脉冲串类型的电压来形成CIGS薄膜。 通过施加高电平的电压来沉积Se或Cu离子。 Ga和In离子通过施加低电平的电压进行电沉积。 此外，施加到工作电极的电压以三级电平的阶跃脉冲施加。 因此，GIGS薄膜在快速处理时间内形成。