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公开(公告)号：KR100612913B1
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：KR1020040107265
申请日：2004-12-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/128 , H01L45/1675
Abstract: 본 발명은 기판, 하부 전극, 상변화 물질, 상부 전극 및 열방출층을 포함하여 구성되는 상변화 메모리에 있어서, 열방출층으로서 열전도도가 높은 AlN 열방출층 및 하부 전극으로서 열전도도가 낮으면서 적은 전류량으로 다량의 열을 발생시키는 TiN 전극을 포함하여, 상변화 물질과 전극 간에 발생한 열이 소자 내부로 이동하지 않고 신속하게 외부로 방출되어, 저전류 고속 동작이 가능하고 신뢰성이 향상된 상변화 메모리에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020060068546A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：KR1020040107265
申请日：2004-12-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/128 , H01L45/1675
Abstract: 본 발명은 기판, 하부 전극, 상변화 물질, 상부 전극 및 열방출층을 포함하여 구성되는 상변화 메모리에 있어서, 열방출층으로서 열전도도가 높은 AlN 열방출층 및 하부 전극으로서 열전도도가 낮으면서 적은 전류량으로 다량의 열을 발생시키는 TiN 전극을 포함하여, 상변화 물질과 전극 간에 발생한 열이 소자 내부로 이동하지 않고 신속하게 외부로 방출되어, 저전류 고속 동작이 가능하고 신뢰성이 향상된 상변화 메모리에 관한 것이다.
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23.发明授权인간 혈장 알부민 발현벡터를 함유한 형질전환 효모 사카로마이세스 세레비시에를 이용한 인간 혈장 알부민의 제조 방법 失效使用含有人血浆白蛋白表达载体的转化酵母酿酒酵母（Saccharomyces cerevisiae）生产人血浆白蛋白的方法
公开(公告)号：KR100278109B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980030775
申请日：1998-07-30
Applicant: 한국과학기술연구원 , 제이더블유중외제약 주식회사
IPC: A61K38/38
Abstract: 본 발명은 효모 사카로마이세스 세레비시에(Saccharomyces cerevisiae)에서 재조합 인간 혈장 알부민을 효율적으로 생산하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 효모 사카로마이세스 세레비시에 유래의 프로모터에 인간 혈장 알부민 cDNA가 연결된 발현벡터를 조립하고, 이를 효모 사카로마이세스 세레비시에에 도입한 형질 전환 효모 균주를 선별, 발효 배양시켜 인간 혈장 알부민을 고효율로 발현시킴을 특징으로 하는 인간 혈장 알부민의 제조 방법에 관한 것이다. 또한 이때 형질전환 효모 균주를 완충액 또는 질소원의 첨가로 인해 배지의 pH를 5~6으로 유지하여 발효 배양시켜 발현 분비된 알부민의 분해를 최소화시킴을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019990024486A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970045606
申请日：1997-09-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 박막 제조용 진공 장비의 기판 가열 장치에 관한 것으로, 가열기와의 간섭을 일으키지 않고 기판이 부착되는 기판 부착용 회전판을 회전시키는 것에 의하여 회전과 가열을 동시에 수행함으로써 온도의 분포가 균일하게 됨과 아울러 산소가 존재하는 분위기에서도 고온 가열이 가능하므로 양질의 균일한 대면적 박막을 제조할 수 있으며, 가열기를 관통하는 회전축에 기판 부착용 회전판을 고정나사에 의하여 탈부착 가능하게 설치하였으므로 기판을 진공챔버내에서 탈부착하지 않고 기판 부착용 회전판을 분리하여 진공 챔버의 외부에서 기판을 탈부착하는 것에 의해 기판의 탈부착을 간편, 용이하게 수행할 수 있게 되고, 진공 챔버에 고정되는 가열기에 관통 지지되는 회전축에 기판 부착용 회전판을 고정한 것으로서 기판을 수평 상태뿐만 아니라 수직 상태로도 설치하여 사용할 수 있게 되는 것이다.
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公开(公告)号：KR1019970047994A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950049978
申请日：1995-12-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01L7/00
Abstract: 본 발명은 박막제조용 진공장치의 산소분압 측정 방법 및 장치에 관한 것으로, 일반적인 산소분압 측정방법은 종래 진공장치가 진공챔버(1) 내부의 각 위치마다 산소분압이 균일하지 않아 종래의 측정되는 산소분압은 진공장치 내부의 평균적인 산소분압일 뿐이고, 박막이 증착되는 가열판(8) 상측에 대한 실제의 산소분압과는 오차가 발생되는 문제가 있었다. 따라서 산소분압에 따라 전기저항이 변화되는 비화학양론적인 반도체 산화물에 열전대와 전기저항 측정용 전선을 부착한 소자를 기판이부착되는 가열판에 부착하여 가열판 주변의 부분적인 산소 분압을 측정하도록 한 본 발명에 의한 박막제조용 진공장치의 산소분압 측정 방법 및 소자(10)와, 소자(10)의 온도를 측정하는 열전대(11)와, 소자(10)의 전기저항을 측정하는 전선(12)과, 전공챔버(1)의 진공을 유지함과 아울러 소자(10)의 온도와 저항에서 발생되는 전기신호를 진공챔버(1)의 외부로 인출하는 피드 쓰루(feed through)(13)와, 상기 피드 쓰루(13)를 통해서 출력되는 전기신호 중 소자의 온도를 읽어주는 온도지시기(14) 및 소자의 저항을 읽어주는 멀티 미터(15)로 구성되는 산소분압 측정 장치가 제공됨으로써 가열판 주위의 산소분압을 정확하게 측정할 있게 되는 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101781837B1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：KR1020150157330
申请日：2015-11-10
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 그래핀산화물박막의제조방법은, 그래핀산화물분산액을준비하는단계; 전원의양극(anode)에연결된 ITO 박막이증착된기판을상기그래핀산화물분산액에침지시키는단계; 상기전원의음극(cathode)에연결된흑연판을상기그래핀산화물분산액에침지시키는단계; 및상기전원에전압을인가하는시간에따라두께를변화시켜그래핀산화물박막을증착하는단계를포함한다. 이에따라, 전기적증착방법을통해 ITO 기판위에그래핀산화물박막을원하는두께로균일하게증착할 수있고, 전기적환원방법을통해미리설계한특성에맞게환원된그래핀산화물박막을얻을수 있으며이를유기전계발광소자의정공주입(수송)층으로적용하여소자의특성을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160100611A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020150023255
申请日：2015-02-16
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/548
Abstract: 박막증착장치는, 동시스퍼터링을이용하여다성분계박막을형성하기위한적어도하나의스퍼터링소스의스퍼터링을물리적으로차단하는셔터부; 상기셔터부의열림동작또는닫힘동작을제어하는제어부; 상기제어부의제어에따라상기셔터부의열림동작또는닫힘동작시간을설정하는타이머부; 및상기셔터부를열림또는닫힘으로구동하는액츄에이터부를포함한다. 이에따라, 박막에미량첨가되는원소의양을매우미세하게조절할수 있을뿐만아니라박막전체에고르게분포시킬수 있다.
Abstract translation: 薄膜沉积装置包括：快门单元，物理地阻挡至少一个溅射源的溅射，以使用共溅射形成多组分薄膜; 控制单元，控制快门单元的打开操作或关闭操作; 定时器单元，根据控制单元的控制设置快门单元的打开操作或关闭操作时间; 以及操作快门单元以被打开或关闭的致动器。 因此，添加到薄膜中的微量元素能够被非常精细地控制; 而且能够均匀地分布在整个薄膜上。
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公开(公告)号：KR101530703B1
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：KR1020130121591
申请日：2013-10-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 상변화메모리소자및 이의제조방법이제공되고, 본발명의일 구현예에서상변화메모리소자는기판, 상기기판위에위치하는하부전극, GeBiSbTe, GeBiSnTe, GeBiSeTe, InBiSbTe, InBiSnTe, 또는 InBiSeTe 중어느하나이상을포함하는 4원소계상변화물질층, 그리고상기 4원소계상변화물질층위에위치하는상부전극을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101307780B1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：KR1020120015689
申请日：2012-02-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 반도체 소자의 금속배선 제조방법은 기판 상에 형성된 층간 절연막을 패터닝하여 배선창을 형성하는 단계, 기판이 배치되는 증착장치에 질소를 포함하는 가스를 주입하여 층간 절연막의 표면을 질화처리하는 단계, 증착장치에 질소를 포함하는 가스 및 금속가스를 함께 주입하여 확산 방지막을 형성하는 단계, 배선창을 금속으로 채우는 단계, 및 화학기계적연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 공정으로 배선창 이외에 형성된 금속을 제거하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 층간 절연막의 기계적 강도를 증가시켜 화학기계적연마 공정에서 발생하는 스크래치 또는 결함을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130094442A
公开(公告)日：2013-08-26
申请号：KR1020120015689
申请日：2012-02-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A metal line of a semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve the reliability of the semiconductor device by preventing scratches and defects. CONSTITUTION: A line window (410) is formed by patterning an interlayer insulating film (110) formed on a substrate. The surface of the interlayer insulating film is nitrified by injecting gas including nitride to a deposition device on which the substrate is arranged. A diffusion barrier (150) is formed by injecting the gas including nitride and metal gas to the deposition device. The line window is filled with metal. The metal formed on the other region except for the line window is removed by a chemical mechanical polishing (CMP) process.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件的金属线及其制造方法，以通过防止划痕和缺陷来提高半导体器件的可靠性。 构成：通过图案化形成在基板上的层间绝缘膜（110）形成线窗（410）。 层间绝缘膜的表面通过将含有氮化物的气体注入到其上配置有基板的沉积装置而被硝化。 通过将包括氮化物和金属气体的气体注入到沉积装置来形成扩散阻挡层（150）。 线窗填充金属。 通过化学机械抛光（CMP）工艺除去在除了线窗之外的另一区域上形成的金属。
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