실형상 반응결합 탄화규소 제조방법
    21.
    发明公开
    실형상 반응결합 탄화규소 제조방법 有权
    制造图案反应粘结碳化硅的方法

    公开(公告)号:KR1020010081258A

    公开(公告)日:2001-08-29

    申请号:KR1020000006460

    申请日:2000-02-11

    Abstract: PURPOSE: A reaction bonding silicon carbide with a complete pattern is provided to improve handling strength of molding and to manufacture a complex pattern with easiness at a low cost. CONSTITUTION: A method for manufacturing a reaction bonding silicon carbide with a complete pattern is comprised of the steps of: preparing a slurry by uniformly mixing silicon carbide powder, a thermohardening resin, and a thermoplastic resin; forming a molding by injecting the slurry to an intended mold and heating to harden the slurry; removing the thermoplastic resin by heating the molding; carbonizing the thermohardening resin by heating the molding; and spreading a melting metal silicon into the carbonized molding.

    Abstract translation: 目的:提供具有完整图案的碳化硅的反应接合,以提高成型的处理强度并以低成本制造复杂的图案。 构成:用于制造具有完整图案的反应接合碳化硅的方法包括以下步骤:通过均匀混合碳化硅粉末,热硬化树脂和热塑性树脂来制备浆料; 通过将浆料注射到预期的模具并加热以使浆料硬化来形成模制品; 通过加热模制品去除热塑性树脂; 通过加热成型碳化热硬化树脂; 并将熔融金属硅铺展到碳化模制品中。

    반응소결 탄화규소 제조용 복합성형체의 제조방법
    22.
    发明授权
    반응소결 탄화규소 제조용 복합성형체의 제조방법 有权
    制造用于制造碳化硅的复合成形材料的方法

    公开(公告)号:KR100291068B1

    公开(公告)日:2001-07-12

    申请号:KR1019980037015

    申请日:1998-09-08

    Abstract: 본 발명에 따라 반응소결 탄화규소 제조에 사용되는 다성분계 탄화규소 원심성형체, 다성분계 탄화규소-탄소원 원심성형체 및 다성분계 탄화규소-탄소원-금속분말 원심성형체의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 방법에 따라, 조대한 탄화규소 분말과 미세한 탄소원 분말 표면에 고분자를 흡착시킴으로써 탄화규소 분말과 탄소 분말간의 입자간 상호작용을 극대화하여 구성분말의 입자분리를 효율적으로 방지할 수 있다.

    저온 소성용 초미립 유전체 세라믹 조성물
    23.
    发明公开
    저온 소성용 초미립 유전체 세라믹 조성물 失效
    用于低温塑料的超声波电介质陶瓷组合物

    公开(公告)号:KR1020010044922A

    公开(公告)日:2001-06-05

    申请号:KR1019990047982

    申请日:1999-11-01

    Abstract: PURPOSE: An ultrafine dielectric ceramic composition for a low temperature plasticity is provided to achieve a low temperature plasticity and an ultrafine BaTiO3 dielectric ceramic composition by adding a proper sintering material to the BaTiO3. CONSTITUTION: An ultrafine dielectric ceramic composition for a low temperature plasticity is made based on the following formula BaTiO3 + xCu2O. Here, x is ranging from 0.00 to 0.05. M2O3 is added to the composition as much as 0 to 5 mole. Here, M is one or more selected from the group consisting of La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er and Yb.

    Abstract translation: 目的:提供一种低温可塑性的超细电介质陶瓷组合物,通过向BaTiO3中加入适当的烧结材料来实现低温塑性和超细BaTiO3介电陶瓷组合物。 构成:用于低温可塑性的超细电介质陶瓷组合物是基于下式BaTiO3 + xCu2O制成的。 这里,x为0.00〜0.05。 向组合物中加入多至0至5摩尔的M2O3。 这里,M是选自La,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Yb中的一种或多种。

    탄소함유 내화물 및 그의 제조방법
    24.
    发明授权
    탄소함유 내화물 및 그의 제조방법 失效
    含碳化合物及其制备方法

    公开(公告)号:KR100239683B1

    公开(公告)日:2000-02-01

    申请号:KR1019970077479

    申请日:1997-12-29

    Abstract: SiC-C, Al
    2 O
    3 -SiC-C, Al
    2 O
    3 -C, MgO-C, ZrO
    2 -C, 또는 AlN-C계의 탄소함유 내화물의 제조방법으로서, 기지상을 이루는 SiC, Al
    2 O
    3 , MgO, ZrO
    2 , 또는 AlN 미립 입자와 흑연 입자를 균일하게 혼합하고 이를 골재 입자 사이에 고르게 분포시키는 한편, 골재와 기지상 간의 계면강도 향상을 위해 내화물 성형체나 소결체에 무기 콜로이드 솔을 함침시키고 이를 열 처리함하여 계면 강도를 증가시킴으로써 결과적으로 탄소함유 내화물의 내열충격성과 내침식성을 향상시키는 방법이 제공된다.

    중공 구형 고분자 기공 전구체를 사용한 적층 세라믹스의 제조 방법
    26.
    发明授权
    중공 구형 고분자 기공 전구체를 사용한 적층 세라믹스의 제조 방법 失效
    使用中空聚合物预聚物制备层压陶瓷的方法

    公开(公告)号:KR1019970001047B1

    公开(公告)日:1997-01-25

    申请号:KR1019940015399

    申请日:1994-06-30

    Inventor: 이해원 윤복규

    Abstract: The porous laminated ceramics having different porosities was prepared by the following steps; 1) a slurry was obtained by mixing 100:0- 30:70 ratio of the ceramic powder and the hollow spherical polymer precursors powder, 2) the ceramic powder/porous precursors composite tape was obtained by tape casting the slurries, 3) the laminates were obtained by laminating the composite tape at 65 deg.C, 10 kg/cm2 for 15 minutes, 4) defatting the laminates at 50- 110 deg.C, 0.5 deg. C/min of rising velocity, 5) sintering the defatted laminates.

    Abstract translation: 通过以下步骤制备具有不同孔隙率的多孔层压陶瓷; 1)通过混合陶瓷粉末和中空球形聚合物前体粉末的100:0-30:70的比例获得浆料,2)通过带浆浇铸浆料获得陶瓷粉末/多孔前体复合带,3)层压板 通过将复合带在65℃,10kg / cm2下层压15分钟获得,4)在50-110℃,0.5度下对层压体进行脱脂。 C / min的上升速度,5)烧结脱脂层压板。

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