公开(公告)号：KR1019980050133A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960068911

申请日：1996-12-20

Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  김현우 ,  김진석

IPC: C08F261/02 ,  C08F8/02 ,  C08F8/28

Abstract: 본 발명은 원자외선 영역에서 사용될 수 있는 새로운 포토레지스트 물질로서 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시 벤잘-비닐 4-히드록시 벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체, 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체 및 그들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 공궁합체는 원자외선 영역에서 흡광도가 매우 낮아 뛰어난 투명성을 나타내고, 주쇄의 아세탈 구조와 치환기의 아세탈 구조에 의해 내건식에 칭성이 향상되었다.

公开(公告)号：KR101340807B1

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：KR1020120005646

申请日：2012-01-18

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김병국 ,  김진백 ,  윤건우

IPC: G05D1/02

Abstract: 이동 로봇의 위치 인식을 위한 스캔 거리 데이터의 양방향 선분 및 호 추출 방법 및 그 장치가 개시된다. 이동 로봇의 자기 위치 인식을 위한 스캔 거리 데이터에서의 양방향 선분 및 호를 추출하는 방법은, 이동 로봇에 장착된 레이저 스캐너를 구동하여 레이저 스캐너에서 입력된 스캔 거리 데이터의 순서와 동일한 방향으로 스캔 거리 데이터로부터 선분 및 호를 추출하는 단계; 및 스캔 거리 데이터의 순서와 반대 방향으로 상기 추출된 선분 및 호에 포함된 스캔 거리 데이터를 인접한 선분 또는 호로 선택적으로 이동하여 상기 추출된 선분 및 호를 보정하는 단계를 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR101210904B1

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：KR1020120023674

申请日：2012-03-07

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이효철 ,  김장배 ,  윤제문 ,  왕기영 ,  김진백

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  C09K11/00

Abstract: 본발명은형광패턴형성방법에있어서,a)기재상에가교반응형폴리머광산발생제, 형광체및 유기용매로이루어진화학증폭형포토레지스트조성물을코팅하고패턴된포토마스크를올린후 노광하는단계;b)상기노광한후 후열반응(postbaking)으로형광패턴을형성하는단계; 를포함하는형광패턴형성방법에관한것이다. 또한본 발명은형광패턴형성방법에있어서, 기재상에광민감성가교형폴리머, 형광체및 유기용매로이루어진비화학증폭형포토레지스트조성물을코팅하고패턴된포토마스크를올린후 노광하는단계를포함하는형광패턴형성방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101180640B1

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：KR1020100046392

申请日：2010-05-18

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이효철 ,  김장배 ,  왕기영 ,  윤제문 ,  김진백

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 본 발명은 형광패턴 형성방법에 있어서,a)기재 상에 가교반응형 폴리머 광산발생제, 형광체 및 유기용매로 이루어진 화학증폭형포토레지스트 조성물을 코팅하고 패턴된 포토마스크를 올린 후 노광하는 단계;b)상기 노광한 후 후열반응(postbaking)으로 형광패턴을 형성하는 단계;
를 포함하는 형광패턴 형성방법에 관한 것이다.
또한 본 발명은 형광패턴 형성방법에 있어서, 기재 상에 광민감성 가교형 폴리머, 형광체 및 유기용매로 이루어진 비화학증폭형 포토레지스트 조성물을 코팅하고 패턴된 포토마스크를 올린 후 노광하는 단계를 포함하는 형광패턴형성방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 一种形成荧光图案的方法，包括以下步骤：a）将包含交联反应型聚合物光酸产生剂，荧光材料和有机溶剂的化学放大光刻胶组合物涂布在基底上， ）曝光后通过烘烤形成荧光图案;

公开(公告)号：KR101113035B1

公开(公告)日：2012-02-27

申请号：KR1020100046386

申请日：2010-05-18

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이효철 ,  김장배 ,  왕기영 ,  윤제문 ,  김진백

IPC: G09F3/02 ,  G09F3/00 ,  B41M3/14

Abstract: 본 발명은 기재 및 기재상에 형광체를 함유하는 경화층에 의해 기준패턴이 형성되고,
상기 기준패턴 상부에 나노 또는 마이크로 크기의 입자, 와이어 또는 이들의 혼합물의 표면에 형광체로 코팅하여 제조되는 복합 분산체가 임의로 분산된 분산패턴이 형성된 복제방지 라벨 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020070064243A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：KR1020060105989

申请日：2006-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 김경미 ,  김영호 ,  김진백 ,  오태환

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128 ,  Y10S430/146

Abstract: Provided are a compound for forming a photoresist, a low molecular photoresist composition comprising the same, which has higher etching resistance while maintaining advantages of conventional low molecular photoresist composition, and a method of forming a pattern by using the composition. The compound for forming a photoresist comprises one residue selected from the group consisting of cyclic residues represented by the formula(1), the formula(2), the formula(3) and the formula(4), and a residue represented by the formula(9), wherein the R is a tertiary butyl group or 1-tertiary butoxy ethyl group. The low molecular photoresist composition comprises 7-14 wt% of the above compound, 0.1-0.5 wt% of a photoacid generator and the balance of an organic solvent. In the composition, the photoacid generator is preferably at least one selected from the group consisting of triarylsulfonium salt, diaryliodonium salt, sulfonate and N-hydroxysuccinimide triflate.

Abstract translation: 提供了一种用于形成光致抗蚀剂的化合物，包含该化合物的低分子光刻胶组合物，其具有较高的抗蚀刻性，同时保持了常规低分子光刻胶组合物的优点，以及通过使用该组合物形成图案的方法。 用于形成光致抗蚀剂的化合物包括选自由式（1），式（2），式（3）和式（4）表示的环状残基的一个残基，以及由式 （9），其中R是叔丁基或1-叔丁氧基乙基。 低分子光刻胶组合物包含7-14重量％的上述化合物，0.1-0.5重量％的光酸产生剂和余量的有机溶剂。 在组合物中，光酸产生剂优选为选自三芳基锍盐，二芳基碘鎓盐，磺酸盐和N-羟基琥珀酰亚胺三氟甲磺酸盐中的至少一种。

公开(公告)号：KR100398312B1

公开(公告)日：2003-09-19

申请号：KR1020000037060

申请日：2000-06-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  이재준 ,  강재성

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0395 ,  C07F7/0818 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0758 ,  Y10S430/106

Abstract: The present invention relates to norbornene monomers with a novel functional group containing an organometal as shown in the following Formula (I) or (II), a photoresist containing its polymers, manufacturing method thereof, and a method of forming photoresist patterns.Unlike existing polymers for photoresist matrix, polymers made by norbornene monomers described in the present invention is a chemical amplification type induced by photosensitive acids and can result in difference in silicon content between the exposed area and unexposed area due to dissociation of side chain containing silicon. The difference in the silicon content results in different etch rate with respect to oxygen plasma which makes dry developing possible.

Abstract translation: 本发明涉及具有如下式（I）或（II）所示的含有机金属的新型官能团的降冰片烯单体，含有其聚合物的光刻胶，其制造方法以及形成光刻胶图案的方法。不像现有的聚合物 对于光致抗蚀剂基质，由本发明描述的降冰片烯单体制备的聚合物是由光敏酸诱导的化学放大型，并且由于含硅侧链的离解可导致曝光区域和未曝光区域之间的硅含量差异。 硅含量的差异导致与氧等离子体不同的蚀刻速率，这使得干显影成为可能。

公开(公告)号：KR1020020005063A

公开(公告)日：2002-01-17

申请号：KR1020000037060

申请日：2000-06-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  이재준 ,  강재성

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0395 ,  C07F7/0818 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0758 ,  Y10S430/106

Abstract: PURPOSE: Provided are a norbornene monomer, containing an organic metal, for producing a photoresist capable of forming pattern with high resolution in far ultraviolet range, the photoresist produced by using the norbornene monomer, and a method for forming the pattern of the photoresist. CONSTITUTION: The norbornene monomer represented by the formula(I) or (II) is produced by reacting an alcohol represented by the formula(XII) or (XIII) and a 2-chlorocarbonyl-5-norbornene derivative. The photoresist is produced by dissolving a polymer represented by the formula(III) or (IV) and a photoacid generator in a solvent, wherein the polymer is produced by using the norbornene monomer represented by the formula(I) or (II). And the method for forming the pattern of the photoresist comprises the steps of: forming a photoresist film by spreading the photoresist on a substrate; exposing the photoresist film by using an exposing mask; heat-treating the exposed resultant; etching the exposed parts of the photoresist film by a reactive ion etching method using an oxygen plasma. In the formula, R1-R10 are each hydrogen, C1-C4 alkyl, C1-C4 alkoxy, phenyl, or -MR3, wherein M is Si, Ge, Sn, or OSi, R is C1-C4 alkyl, C1-C4 alkoxy, phenyl, benzyl, or phenoxy, and n is the degree of polymerization being 1-100.

Abstract translation: 目的：提供含有有机金属的降冰片烯单体，用于制造能够在远紫外范围内以高分辨率形成图案的光致抗蚀剂，通过使用降冰片烯单体制备的光致抗蚀剂，以及形成光致抗蚀剂图案的方法。 构成：由式（I）或（II）表示的降冰片烯单体通过使式（XII）或（XIII）表示的醇与2-氯羰基-5-降冰片烯衍生物反应来制备。 通过将由式（III）或（IV）表示的聚合物和光酸产生剂溶解在溶剂中来制备光致抗蚀剂，其中通过使用由式（I）或（II）表示的降冰片烯单体制备聚合物。 并且用于形成光致抗蚀剂图案的方法包括以下步骤：通过将光致抗蚀剂铺展在基底上来形成光致抗蚀剂膜; 通过使用曝光掩模曝光光致抗蚀剂膜; 对暴露的结果进行热处理; 通过使用氧等离子体的反应离子蚀刻方法蚀刻光致抗蚀剂膜的曝光部分。 式中，R 1 -R 10各自为氢，C 1 -C 4烷基，C 1 -C 4烷氧基，苯基或-MR 3，其中M为Si，Ge，Sn或OSi，R为C 1 -C 4烷基，C 1 -C 4烷氧基 ，苯基，苄基或苯氧基，n是聚合度为1-100。

公开(公告)号：KR100273172B1

公开(公告)日：2001-03-02

申请号：KR1019980031402

申请日：1998-08-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  박종진 ,  장지현

IPC: G03F7/039

Abstract: 본 발명은 디옥사스피로환기를 측쇄에 갖는 아크릴 유도체들을 합성하고 이들을 단독으로 중합시킨 중합체 또는 다른 비닐아크릴 유도체와 중합시킨 공중합체의 감광특성을 이용한 포토레지스트에 관한 것이다.
종래의 포토레지스트는 광산발생제(photoacid generator)에 의해 탈리된 보호기가 강알카리 수용액에 용해되는 반면 본 발명은 탈리된 보호기를 선택 조절하여 약알카리 수용액이나 순수 수용액만으로도 포지티브 패턴을 형성시킬 수 있고 가공상의 조건을 조절하여 네가티브 패턴도 형성 할 수 있다.
본 발명에 의하여 디옥사스피로기를 측쇄에 갖는 아크릴 유도체들은 다음과 같은 일반식 (I), (Ⅱ)의 화학구조를 갖는다.

公开(公告)号：KR100197673B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960068910

申请日：1996-12-20

Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  정민호 ,  정종호

IPC: C08F226/06 ,  C08F230/08 ,  G03F7/00

CPC classification number: C08F226/06 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039