公开(公告)号：KR101247295B1

公开(公告)日：2013-03-25

申请号：KR1020120025777

申请日：2012-03-13

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 염도준

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

Abstract: PURPOSE: An apparatus for forming a thin film on a tape substrate and a method for forming the thin film using the same are provided to prevent the leak of reaction gas by covering a rotary drum with a gas supply member. CONSTITUTION: A rotary drum(30) is installed in a vacuum chamber. The rotary drum rotates in order to wind a tape substrate. A gas supply member(40) faces the tape substrate. The gas supply member supplies source gas and reaction gas. A reciprocating motion part(60) reciprocates the gas supply member. [Reference numerals] (48) Reaction gas supply source

Abstract translation: 目的：提供一种用于在带基材上形成薄膜的装置和使用其的薄膜形成方法，以通过用气体供给部件覆盖旋转滚筒来防止反应气体的泄漏。 构成：旋转鼓（30）安装在真空室中。 旋转鼓旋转以卷绕带基底。 气体供给部件（40）面向带状基板。 气体供给构件供给源气体和反应气体。 往复运动部件（60）使气体供给部件往复运动。 （附图标记）（48）反应气体供给源

公开(公告)号：KR101238710B1

公开(公告)日：2013-03-04

申请号：KR1020110048104

申请日：2011-05-20

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 염도준 ,  김호섭 ,  이준규

IPC: H01B12/00 ,  H01B13/00

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 본 발명은 초전도체 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 테이프형 기판에 초전도체 물질을 증착하여 초전도체 박막을 제조할 때 테이프형 기판이 감기는 기판 안착 수단을 먼저 가열한 후 테이프형 기판을 감는 단계를 포함함으로써, 박막 증착 시간을 단축시키고, 고열로 인한 테이프형 기판의 손상 문제를 해결할 수 있는 초전도체 박막의 제조 방법을 제공하는 것이다.

公开(公告)号：KR1020120130359A

公开(公告)日：2012-12-03

申请号：KR1020110048233

申请日：2011-05-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 염도준 ,  이준규 ,  곽기성 ,  이원기

IPC: H01L39/02 ,  H01L39/12 ,  H01L39/10

CPC classification number: H01L39/228 ,  H01L39/06 ,  H01L39/126 ,  H01L39/226

Abstract: PURPOSE: A transistor using semiconductor-superconductivity transition is provided to reduce a heat dissipation amount by transiting a 123-cuprate material by applying a voltage to the 123-cuprate material. CONSTITUTION: A first electrode(120) is formed on a substrate. A second electrode(130) is arranged to be separated from the first electrode. A semiconductor-superconductivity transition layer(110) is extended to the second electrode from the first electrode. A gate electrode is formed to be separated from the first electrode and the second electrode. A ferroelectric layer is arranged between the gate electrode and the semiconductor-superconductivity transition layer.

Abstract translation: 目的：提供一种使用半导体 - 超导转变的晶体管，以通过向123-铜酸盐材料施加电压来转移123-铜酸盐材料来减少散热量。 构成：在基板上形成第一电极（120）。 第二电极（130）布置成与第一电极分离。 半导体 - 超导过渡层（110）从第一电极延伸到第二电极。 栅电极形成为与第一电极和第二电极分离。 在栅电极和半导体 - 超导过渡层之间布置铁电层。

公开(公告)号：KR1020080082265A

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：KR1020070022899

申请日：2007-03-08

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 염도준 ,  유재은 ,  이병수 ,  이상무 ,  정예현 ,  이재영

IPC: H01L39/24 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01L39/2432 ,  C23C14/562 ,  H01L39/2422

Abstract: An apparatus for continuously manufacturing a superconducting tape is provided to apply an EDDC(Evaporation using Drum in Dual Chamber) scheme to an arbitrarily long tape member by continuously supplying and recollecting the tape without damaging the superconducting tape. An apparatus for continuously manufacturing a superconducting tape includes a chamber, a hollow cylindrical drum(102), a release reel(104a), a winding reel(104b), and a transfer unit. A superconducting material is deposited in the chamber. The hollow cylindrical drum is installed in the chamber and arranges a superconducting tape material on an outer periphery thereof. The cylindrical drum heats the superconducting tape material. The release reel is installed on one end of the cylindrical drum and supplies the superconducting tape material, on which the superconducting material is deposited. The winding reel is implemented on the other end of the cylindrical drum and recollects the superconducting tape material after a deposition process. The transfer unit transfers the superconducting tape material from the release reel to the winding reel.

Abstract translation: 提供一种用于连续制造超导带的设备，用于通过连续地提供和回收带而不损坏超导带来将EDDC（使用双腔蒸发鼓）方案应用于任意长的带部件。 一种用于连续制造超导带的装置，包括一个腔室，一个中空的圆筒形鼓（102），一个释放卷轴（104a），一个卷绕卷轴（104b）和一个传送单元。 超导材料沉积在腔室中。 中空圆柱形滚筒安装在腔室中，并在其外周上布置超导带材料。 圆柱形滚筒加热超导带材料。 释放卷轴安装在圆筒形滚筒的一端，并提供超导材料，超导材料在其上沉积。 卷绕卷轴在圆柱形滚筒的另一端上实现，并且在沉积工艺之后重新收集超导带材料。 转印单元将超导带材料从释放卷轴传送到卷绕卷轴。

公开(公告)号：KR100856545B1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：KR1020070055508

申请日：2007-06-07

Applicant: 한국과학기술원 ,  한국전기연구원

Inventor： 염도준 ,  유재은 ,  이상무 ,  정예현 ,  이재영

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02601 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/223 ,  C23C14/3407 ,  H01L21/02266

Abstract: A method and an apparatus for fabricating a thin film by using a nano-particle beam are provided to form easily the thin film having a complicated ratio of components by eliminating an additional chemical reaction. Nano-particles are formed by using nano-powders(106) as components of a thin film. The nano-particles are electrified. The electrified nano-particles are changed into the accelerated nano-particle beams by applying electric field to the electrified nano-particles. The accelerated nano-particle beams become components of a thin film by causing collision between the accelerated nano-particle beams and a substrate(136). The process for electrifying the nano-particles includes a process for generating plasma in a mixing state of the nano-powders and an inert gas.

Abstract translation: 提供了通过使用纳米粒子束制造薄膜的方法和装置，通过消除额外的化学反应容易地形成具有复杂比例的组分的薄膜。 通过使用纳米粉末（106）作为薄膜的组分形成纳米颗粒。 纳米颗粒通电。 带电的纳米粒子通过向带电的纳米粒子施加电场而变成加速的纳米粒子束。 通过引起加速的纳米粒子束与衬底（136）之间的碰撞，加速的纳米粒子束成为薄膜的成分。 用于使纳米颗粒带电的方法包括在纳米粉末和惰性气体的混合状态下产生等离子体的方法。

公开(公告)号：KR100241262B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019960044009

申请日：1996-10-04

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 염도준 ,  김준호

IPC: H01L39/22

Abstract: 본 발명은 바이에피택시얼 죠셉슨 접합소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 고온 초전도 Y
1 Ba
2 Cu
3 O
7-x (YBCO) 박막을 이용한 바이에피택시얼 죠셉슨 접합(bi-epitaxial Josephson junction) 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 고온 초전도체(YBCO)와 결정상수가 비슷한 단결정(SrTiO
3 또는 LaAlO
3 )기판을 c축이 표면 수직 벡터에 대하여 α° 기울어지게 자른 다음, 상기 기판에 고온 초전도체와 결정상수 차가 큰 박막(YSZ층)을 rf 스퍼터링(sputtering)방법으로 증착한 다음, 박막층(YSZ층)의 반쪽을 제3도 (b)의 b축 틸트 바운더리(tilt boundary) 또는 제3도 (c)의 b축 트위스트 바운더리(twist boundary) 형태가 되도록 포토리소그래피(photolithography) 방법과 이온 밀링(ion milling) 방법으로 깍아내고, 그 위에 고온 초전도체와 매칭이 잘되는 박막(CeO
2 )을 rf 스퍼터링 방법으로 증착한 후, 고온 초전도체(YBCO) 방막을 dc 스퍼터링 방법으로 증착하여 죠셉슨 접합소자를 만듦으로써 집적화가 가능하고 수율이 높으며, 기판을 c축이 표면 수직 벡터에 대하여 갖는 임의의 작은각이 되도록 자름으로써 접합각을 조절할 수 있어 특성(높은 IcRn 값)이 좋은 바이에피택시얼 죠셉슨 접합소자를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100228186B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019960072433

申请日：1996-12-26

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 염도준 ,  구두훈

IPC: H01L39/08

Abstract: 본 발명은 큰 임계전류를 가지며 곡면 기판상에 성장된 고온 초전도체 박막과 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 있어서, 고온 초전도체 물질이 증착되는 기판은 실린더 형상으로 되어 있으며, 상기 실린더형 기판 상에는 완충층이 증착되어 있으며, 상기 완충층 위로는 고온 초전도물질이 막형태로 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막이 제공되며, 또한 상기한 곡면 기판상에 고온 초전도체 박막을 형성하는 방법으로서, 기판을 실린더 형상으로 가공하는 단계, 기판을 회전시키면서 기판위로 완충층을 증착시키는 단계, 상기 완충층 위로는 고온 초전도 물질을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막의 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 큰 임계전류를 가지는 고온 초전도체 박막을 평면 기판이 아닌 곡면 기판상에 성장시키므로써 그 응용범위를 더욱 확대시킬수 있으며, 구체적으로는 실린더형 기판 상에 형성된 고온 초전도체 박막을 자기장 차폐장치로 사용할 수 있으며, 고온 초전도체 박막을 실린더형 기판 상에 띠 형상으로 패터닝(patterning) 함으로써 3차원 적인 고온 초전도체 코일 등을 제작할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019990046937A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970065111

申请日：1997-12-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 염도준 ,  유재은

IPC: C30B25/00 ,  C23C14/00

Abstract: 연속적으로 공급되는 띠형 기판 상에 균일한 박막, 예컨대 고온초전도물질의 박막을 형성하는 방법 및 그에 사용되는 장치에 관해 개시하고 있다. 본 발명은, BaCuO
2 , CuO 및 Y
2 O
3 등의 금속산화물을 가늘고 긴 막대형태로 소결한 것을 레이저로 동시에 가열하여 증발시킴으로써 연속된 띠형 금속기판에 고온 초전도체박막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 균일한 성질을 나타내는 고온 초전도체 단결정 박막을 연속적으로 제조할 수 있으며, 원통형 챔버의 내벽 전체에 띠형 금속기판을 나선형으로 감아 이동시키면서, 빠른 속도로 대량 생산할 수 있다.