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公开(公告)号：WO2019151625A1
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：PCT/KR2018/013838
申请日：2018-11-13
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 암줄기세포 스페로이드를 제조하기 위한 방법 또는 키트와 상기 제조된 암줄기세포 스페로이드를 이용하여 암세포 내성 치료용 약물의 스크리닝 방법에 관한 발명으로서, 간편하게 암줄기세포 스페로이드를 제조할 수 있고, 제조된 암줄기세포 스페로이드는 암세포 내성 치료용 약물을 스크리닝에 효과적으로 활용될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2018008985A3
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：PCT/KR2017/007195
申请日：2017-07-05
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C12N5/00 , C08F212/36 , C08F226/06 , C23C16/452
Abstract: 본 발명은 표면자유에너지가 높은 박막을 형성하도록 하는 제1단량체와 표면자유에너지가 낮은 박막을 형성하도록 하는 제2단량체가 형성한 공중합체를 포함하는 배양 플레이트와 이의 제조방법, 및 상기 배양 플레이트를 이용하여 세포 시트 형태의 세포 집합체를 제조 및 전사하는 방법을 제공한다. 상기와 같은 본 발명에 따르면, 종래기술과 비교하여 쉽고 간단한 공정으로 세포 시트 형태의 세포 집합체를 생산할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：WO2015190644A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：PCT/KR2014/007113
申请日：2014-08-01
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C12N5/0068 , C08F30/08 , C09D143/04 , C12M25/02 , C12N5/0062 , C12N5/0695 , C12N2533/30
Abstract: 본 발명은 사이클로실록산 화합물이 형성한 중합체를 포함하는 세포배양 기판과 이의 제조방법, 및 상기 세포배양 기판을 이용하여 세포 스페로이드 형태의 세포 집합체 또는 유도만능줄기세포를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 세포배양 기판 상에서 세포를 배양함으로써 손쉽게 세포 스페로이드 형태의 세포 집합체를 형성시킬 수 있고, 나아가 상기 세포배양 기판은 유도만능줄기세포의 제조를 위한 세포 배양 플랫폼으로 활용가능하다.
Abstract translation: 本发明提供了包含由环硅氧烷化合物形成的聚合物及其制造方法的细胞培养基质，以及使用细胞培养基质制备细胞球形型细胞集合体或诱导性多能干细胞的方法。 通过在本发明的细胞培养基底上培养细胞，可以容易地形成细胞球形类型的细胞球形细胞，此外，可以将细胞培养基用作用于制备诱导多能干细胞的细胞培养平台。
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公开(公告)号：WO2015167105A1
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：PCT/KR2014/012473
申请日：2014-12-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/56 , H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L51/56
Abstract: 본 발명의 실시 형태에 따른 기상 증착 장치는, 기판이 배치된 챔버(chamber); 상기 챔버의 공정 온도를 조절하는 온도 조절부; 상기 기판 상에 유기 고분자 박막을 증착시키는 유기막 증착부; 상기 기판 상에 무기 박막을 증착시키는 무기막 증착부; 및 상기 챔버의 공정 압력을 조절하는 압력 조절부; 를 포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的气相沉积装置包括：一个室，其上布置有一个基板; 温度调节单元，用于调节室的处理温度; 有机膜沉积单元，用于在基板上沉积有机聚合物薄膜; 用于在基板上沉积无机薄膜的无机膜沉积单元; 以及用于调节室的过程压力的压力调节单元。
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公开(公告)号：WO2014027854A1
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：PCT/KR2013/007375
申请日：2013-08-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/052
Abstract: 본 발명은 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법은, 유기박막트랜지스터 상에 절연막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 유기박막트랜지스터 상에 주입한 열에 의해 개시제를 열분해하여 유리 라디칼(free radical)을 형성하는 단계; 상기 유리 라디칼을 이용하여 단량체를 활성화시킴으로써 상기 단량체를 연쇄 중합 반응시켜 고분자 폴리머를 형성하는 단계; 및 상기 유기박막트랜지스터 상에 상기 고분자 폴리머가 증착되어 고분자 절연막을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 PECVD 공정 또는 CVD 공정에서 제조되는 절연막의 제조 폭이 좁은 단점을 iCVD 공정을 통해 해소할 수 있으면서, 기존 공정보다 균일한 증착이 가능하고, 다양한 두께에서도 매우 낮은 누설 전류를 보여 높은 절연율에 통해 소자의 전기적 특성이 우수하면서 소자의 제작 수율이 높은 효과가 있다. 또한, 용매, 특히 유기 용매를 사용하지 않고 기상 조건에서 단량체와 개시제로 목적하는 고분자 절연막을 증착시킬 수 있어, 용매로 인한 증착 매체의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用iCVD形成介电层的方法。 根据本发明，使用iCVD在有机薄膜晶体管上形成电介质层的方法包括以下步骤：通过注入到有机薄膜晶体管上的热量来热分解引发剂以形成自由基; 通过使用自由基来活化单体以通过单体的链聚合形成聚合物; 以及将所述聚合物沉积在所述有机薄膜晶体管上以形成聚合物介电层。 根据本发明，可以通过iCVD解决通过PECVD或CVD制备的电介质层的窄宽度的缺点，并且与常规工艺相比进行均匀沉积，并且显示非常低的漏电流 在各种厚度下，通过高介电常数具有显着的电性能，并且器件的制造成品率高。 此外，可以防止由于溶剂而导致的沉积介质的损坏，因为可以在不使用溶剂，特别是有机溶剂的气相条件下，用单体和引发剂沉积所需的聚合物电介质层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102242980B1
公开(公告)日：2021-04-21
申请号：KR1020190139762
申请日：2019-11-04
Abstract: 본발명의일 실시예에따른나노구조체가제공된다. 나노구조체는표면, 및상기표면으로부터돌출된복수의나노필러들을포함하는나노구조체층; 및상기나노구조체층상에형성된이온성고분자로이루어진기능층을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020210039038A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020190121332
申请日：2019-10-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/324 , H01L51/56
Abstract: 본발명은기상증착공정을이용한갭필링방법및 그장치에관한것으로, 개시제를사용하는화학기상증착(initiated Chemical Vapor Deposition; iCVD) 공정을이용하여패턴상에고분자(polymer)를증착하여갭필링(gap filling)을통해상기패턴을평탄화하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170139822A
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020160072244
申请日：2016-06-10
Applicant: 한국과학기술원 , 램 리서치 코퍼레이션
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/76883
Abstract: 본발명은개시제를이용한화학기상증착(initiated chemical vapor deposition, iCVD) 방법을이용하여다공성절연물질표면의열린기공을실링하는새로운방법에관한것이다. 본발명에따른실링방법은매우얇은두께의고분자박막을플라즈마처리를하지않고, 용매없이기상증착방식을통해형성할 수있으므로플라즈마와화학용액에취약한절연물질의특성저하를최소화할 수있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种新方法，用于使用使用引发剂，用于密封所述多孔质绝缘材料的表面的开放孔（引发的化学气相沉积，ICVD）方法的化学气相沉积。 根据本发明的密封方法不限于等离子体处理非常小的厚度的聚合物薄膜，可以通过气相沉积方法在不存在溶剂时，它可能最小化的质量差的绝缘性能的等离子体和化学溶液中减少形成。
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