公开(公告)号：KR1019980037618A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：KR1019960056396

申请日：1996-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  이창석 ,  이재진 ,  편광의

IPC: H01L27/06

Abstract: 본 발명은 초고주파 집접회로의 배선에서 기판 통전 구멍의 외곽에 또 다른 접지 통전 구멍을 추가하고, 상기 두 통전 구멍 간의 거리를 조절하여 두 통전 구멍 사이에 생기는 커패시턴스의 크기를 변화시켜 기판 통전 구멍의 특성 임피던스를 조절할 수 있는 기판 통전 구멍의 임피던스 정합 방법에 관해 개시된다.

公开(公告)号：KR1019980028554A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960047659

申请日：1996-10-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  김충환 ,  이창석 ,  이재진 ,  편광의

IPC: H01L23/28

Abstract: 본 발명은 초고주파 모노리식 집적 회로의 실장에 사용되는 패키기 접지단 패들의 기생 성분을 나타내는 등가 회로에 관한 것으로, 각각의 단자로부터 출력되는 임피던스 성분을 하나의 공통 임피던스 성분으로 하고, 이 공통 임피던스를 접지 하도록 한 등가 회로 구조를 도입함으로써, 다운 본딩되는 금선의 수에 따라 기생성분의 표현을 쉽게 확장할 수 있는 패키지 접지단 패들의 근사적인 등가 회로에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019970055422A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950050527

申请日：1995-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  김충환 ,  이창석 ,  이종람 ,  편광의

IPC: H03K17/00

Abstract: 본 발명은 N형 트랜지스터만으로 의사적인 푸쉬풀 형태의 구동회로를 구현함으로써 종래의 DCFL 구동회로에 비해 적은 DC 전력이 소모될 수 있도록 한 갈륨비소 전계효과 트랜지스터를 이용한 디지털 IC에서의 구동회로에 관한 것으로, 자신의 드레인단이 전원전압에 연결된 DFET와, 상기 DEFT의 게이트단과 소오스단이 자신의 드레인단에 연결되고, 입력신호가 게이트단에 입력되는 EFET와, 상기 EFET의 드레인단에 연결되어 상기 DEFT와 EFET의 동작에 따라 전하를 축적 및 방출하는 커패시티브 부하로 구성된 DCFL 구동회로에 있어서, 상기 DFET 게이트단이 그 자신의 드레인단에 연결되고, 상기 EFET의 게이트단이 그 자신의 게이트단에 연결되며, 그 자신의 소오스단이 접지단에 연결되는 EFET와; 상기 DEFT의 게이트단과 소오스단 사이에 삽입되는 저항을 포함하여 구성된다.

公开(公告)号：KR1019970007470B1

公开(公告)日：1997-05-09

申请号：KR1019930029088

申请日：1993-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  윤광준 ,  황인덕 ,  박형무

IPC: H01L23/48

Abstract: A grounding method of a super-high frequency circuit is described that can reduce the deterioration of chip performance. The ground terminals 550 to 552 of elements 540 to 542 in a chip, comprising the super-high frequency circuit, are not combined in common in the chip but laid out by being divided into terminals. The divided ground terminals 550 to 552 are connected to a common pad 570 via down bondings 560 to 562. The common pad 570 is connected to a lead 590 via a wire bonding 580. The ground terminals 550 to 552 can be connected to leads 670 to 672, respectively. Thereby, it is possible to reduce the deterioration thereof, provide the circuit design satisfying a required standard and thus make it easy to implement the circuit.

Abstract translation: 描述了可以减少芯片性能劣化的超高频电路的接地方法。 包括超高频电路的芯片中的元件540至542的接地端子550至552在芯片中不共同组合，而是通过分为端子布局。 分开的接地端子550至552通过下焊接560至562连接到公共焊盘570.公共焊盘570通过引线键合580连接到引线590.接地端子550至552可连接到引线670至 672。 由此，可以降低其劣化，提供满足所需标准的电路设计，从而容易实现电路。

公开(公告)号：KR1019960027332A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940033883

申请日：1994-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  김충환 ,  황인갑 ,  이창석 ,  박형무

IPC: H03K19/01

Abstract: 본 발명은 양의 전원 전압만이 공급되는 초고주파 모노리식 집적회로에서 양의 전압으로 동작하는 것이 가능한 공핍형 MOSFET 스위치 회로를 제공한다.
본 발명은 게이트로 입력신호가 입력되고, 드레인으로 출력신호가 출력되는 공핍형 제1MOSFET(201)와; 소오스가 제1MOSFET(201)의 소오스에 연결되고, 드레인이 양의 전원(V
dd )에 연결되며, 게이트가 단속 조절용 전원(V
c )에 연결되는 제2MOSFET(203)와; 드레인이 제1 및 제2MOSFET(201, 203)의 소오스들에 연결되고, 소오스 및 게이트가 접지에 각각 연결되며, 그리고 정전류원으로서 작용하는 제3MOS-FET(205)를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019960025269A

公开(公告)日：1996-07-20

申请号：KR1019940033479

申请日：1994-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김충환 ,  김민건 ,  황인갑 ,  이창석 ,  박형무

IPC: G08C19/00

Abstract: 본 발명은 소스혼합기 회로에 관한 것으로 특히, GaAs기술을 이용한 제 1 트랜지스터(MESFET)(305)로 이루어진 소스 혼합기본체와, 상기 제 1 트랜지스터(305)와 동일한 특성을 가지며 케스케이드로 연결된 소스 공통의 제 2 트랜지스터(306)로이루어진 중간주파수 증폭기와, 상기 트랜지스터들과 동일 특성을 가지며 출력단이 소스혼합 기본체의 소스로 입력되는제 3 트랜지스터(307)와, 상기 제 1∼3 트랜지스터(305∼307)의 직류전압은 자기 바이어스(311, 321, 331)로 되어 있고게이트(310, 347, 330)는 직류적으로 접지로 접속되며, RF와 중간주파수 증폭단은 드레인 전압부가용 저항(313, 323)을사용하고, 상기 발진자증폭기의 드레인 전압부가용으로는 인덕터(333)를 사용하는 것을 특징으로 하는 수신단용 UHF 밴드초고주파 모노리식 소스혼합기 회로를 제공하여 입력주파 가 UHF 밴드이며 출력중간 주파수가 VHF의 낮은 주파수대역일때 수신단 혼합기를 소스혼합기 형태로 쓰는 경우에 발진자 버퍼회로 출력단의 정합을 소스혼합기의 소스단에서의 중간주파수에 대하여 쇼트회로로 설계함으로써 모노리식 회로의 면적이 변하지 않고도 이득을 극대화시킬 수 있으므로 적은 발진자 전력으로도 변환이득을 얻을 수 있는 저소비전력형 회로를 제공할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100449802B1

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：KR1019990032699

申请日：1999-08-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강성원 ,  김민건 ,  오응기 ,  이재진

IPC: H03G3/00

Abstract: PURPOSE: A decision method of stability for super-high frequency circuit and super-high frequency system is provided to be used in analyzing small and great signal and decide the margins of a gain and a phase to refer the decision in designing. CONSTITUTION: In the first step(30), a voltage gain is calculated using a scattering variable of a 2 terminal network. In the second step(40), the size and phase of the gain are calculated from the voltage gain due to the scattering variable. In the third step(50-70), the margins of the gain and the phase are calculated from the calculated gain and phase and are compared with a predetermined margin permitted value to decide whether the stability is satisfied in accordance with the comparison result.

Abstract translation: 目的：提供超高频电路和超高频系统的稳定性决策方法，用于分析小信号和大信号，决定增益和相位的裕度，以便参考设计决策。 构成：在第一步（30）中，使用2端子网络的散射变量计算电压增益。 在第二步（40）中，增益的大小和相位由散射变量引起的电压增益计算。 在第三步骤（50-70）中，根据计算出的增益和相位计算增益和相位的余量，并将其与预定余量允许值进行比较，以根据比较结果来判断是否满足稳定性。

公开(公告)号：KR1020020028258A

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：KR1020000059175

申请日：2000-10-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장우진 ,  맹성재 ,  김민건 ,  형창희 ,  이경호

IPC: H03H7/18

CPC classification number: H03H7/18 ,  H03H7/12 ,  H03H7/175 ,  H03H11/1213 ,  H03H11/22

Abstract: PURPOSE: A phase displacement unit having a low insertion loss variation is provided, which has extremely low variation of an insertion loss within a designed frequency range, by making an insertion loss when operating as a low pass filter similar to an insertion loss when operating as a high pass filter. CONSTITUTION: MESFET(105a,106,105b) are connected in serial between an input port(101) and an output port(102). A capacitor(110a) is connected between a source and a drain of the MESFET(105a). An inductor(111a), a resistor(400a), a resistor(400b) and an inductor(111b) are connected in serial from a source to a drain of the MESFET(106). And a capacitor(110b) is connected between a source and a drain of the MESFET(105b). Also, MESFET(107,108) are connected in serial between a connection node(A) of the resistors(400a,400b) and a ground, and an inductor(112) is connected between a source and a drain of a MESFET(108). Gates of each MESFET are connected to a resistor, and each MESFET receives a bias signal applied to signal ports(103,104) through the resistor.

Abstract translation: 目的：提供一种具有低插入损耗变化的相位移单元，其在设计频率范围内的插入损耗的变化极小，通过在作为低通滤波器工作时与插入损耗相似地插入损耗，当作为 高通滤波器。 构成：MESFET（105a，106,105b）串联连接在输入端口（101）和输出端口（102）之间。 电容器（110a）连接在MESFET（105a）的源极和漏极之间。 电感器（111a），电阻器（400a），电阻器（400b）和电感器（111b）从MESFET（106）的源极到漏极串联连接。 并且电容器（110b）连接在MESFET（105b）的源极和漏极之间。 此外，MESFET（107,108）串联连接在电阻器（400a，400b）的连接节点（A）和接地之间，并且电感器（112）连接在MESFET（108）的源极和漏极之间。 每个MESFET的栅极连接到电阻器，并且每个MESFET通过电阻器接收施加到信号端口（103,104）的偏置信号。

公开(公告)号：KR1020000033138A

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019980049843

申请日：1998-11-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오응기 ,  강성원 ,  김민건 ,  이재진

IPC: H03D7/00

Abstract: PURPOSE: A frequency mixer for integrated circuit of microwave monolithic is provided to have an MMIC frequency mixer with small consuming voltage, feature of low noise, high profit and excellent signal separation between RF frequency range terminals of small size. CONSTITUTION: A frequency mixer for integrated circuit of microwave monolithic comprises the parts of: a first and a second matching circuit inputted each local oscillator and high-frequency signal; frequency core circuit outputting intermediate frequency signal which have feature of new frequency that mixed by received input frequency signal from the first and the second matching circuit each outputting frequency core circuit; the low band-pass filter outputting final intermediate frequency signal from intermediate frequency signal of the frequency core circuit; and frequency core circuit inputting means consisted of the as code form(400) which were applied the local oscillating signal and the high-frequency from outputting the first and the second matching circuit; and the amplifier for outputting complemental intermediate frequency signal after performing the amplification by answering the local oscillating signal and the high-frequency; the matching means for outputting the low band-pass filter after mixing with frequency and removing the phase of signal by inputting the complemental intermediate frequency signal from the amplifier.

Abstract translation: 目的：提供微波单片集成电路的混频器，具有小型消费电压，低噪声，高利润，小尺寸射频频率端子之间良好信号间隔的MMIC混频器。 构成：微波单片集成电路的混频器包括以下部分：输入每个本地振荡器和高频信号的第一和第二匹配电路; 输出具有来自第一和第二匹配电路的每个输出频率核心电路的接收输入频率信号混合的新频率特征的中频信号; 低频带通滤波器从频率核心电路的中频信号输出最终的中频信号; 并且频率核心电路输入装置由从第一和第二匹配电路输出施加本地振荡信号和高频的代码形式（400）组成; 以及用于通过应答本地振荡信号和高频来执行放大后输出互补中频信号的放大器; 所述匹配装置用于在与频率混合之后输出低通滤波器，并通过从放大器输入互补中频信号来去除信号的相位。

公开(公告)号：KR100249497B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019970063184

申请日：1997-11-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이창석 ,  이재진 ,  김민건 ,  편광의

IPC: H03G3/00

Abstract: 본 발명은 신호의 특성을 최대한 증폭하기 위한 고증폭 이득 저잡음 능동 발룬 회로를 제공하고자 하는 것으로, 이를 위해 본 발명은 하나의 입력신호에 응답하여 서로 위상이 반대인 제1 및 제2 출력신호를 출력하는 능동 발룬 회로에 있어서, 상기 입력신호를 게이트로 입력받는 소스 접지형 제1트랜지스터를 포함하여 상기 제1출력신호를 출력하는 제1캐스코드 증폭부; 및 상기 제1트랜지스터의 드레인단에 게이트가 연결되고 소스가 접지된 제2트랜지스터를 포함하여 상기 제2출력신호를 출력하는 제2캐스코드 증폭부를 포함하여 이루어진다.