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公开(公告)号：KR100227786B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960040114
申请日：1996-09-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/02439 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02639 , H01L29/125 , H01L29/66469
Abstract: A method for forming a highly dense quantum wire, the method comprising the steps of: depositing a dielectric mask having dielectric patterns on the top surface of a semiconductor (100) substrate; forming the dielectric patterns in parallel to a (011) orientation on the semiconductor substrate; exposing a (1+E,ovs 1+EE 1)B side and a(11+E,ovs 1+EE )B side by chemical etching a selected region between the patterns so that the semiconductor substrate has a dove-tail shape; forming a buffer layer on the dove-tail semiconductor substrate; forming the first barrier layer on the buffer layer; forming a well layer on the first barrier layer; and forming the second barrier layer on the well layer.
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公开(公告)号：KR100199005B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950054540
申请日：1995-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00
Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 화합물 반도체 기판 상의 소정 부분에 높은 인덱스 면을 갖는 V홈을 소정 방향으로 길게 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판상에 제2도전형의 제1클래드층, 불순물이 도핑되지 않은 제1스페이서층, 불순물이 도핑하지 않은 제1스페이서층, 불순물이 도핑되지 않은 제1그레이디드인덱스층(GRIN), 불순물이 도핑되지 않은 활성층, 불순물이 도핑되지 않은 제2그레이디드인덱스층(GRIN), 불순물이 도핑되지 않은 제2스페이서층, 제2도전형의 제2클래드층 및 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 캡층을 순차적으로 형성하되 InGaAs로 이루어진 상기 제1 및 제2그레이디드인덱스층(GRIN)들의 성장 온도를 변화시켜 In의 조성비가 포물선형으로 변화되도록 형성하는 공� ��과, 상기 캡층 상부의 V홈과 대응하는 부분에 제2도전형의 오믹 전극과 상기 반도체 기판의 하부 표면에 제1도전형의 오믹 전극을 형성하는 공정을 구비하여, 레이저 다이오드의 누설 전류 및 문턱 전류 값을 낮출 수 있으며, 또한, InGaAs의 제1 및 제2 그레이디드인덱스층들을 성장 온도를 변화시켜 In의 농도가 변화되도록 결정 성장시키므로 간단한 공정으로 양조 효율을 증가시킬 수 있다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019970051984A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052670
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 인듐갈륨아세나이츠의 PN 접합구조의 형성방법에 관한것으로 특히, 사전 열분해 공정을 거치지 않은 V 족 화합물의 원료 기체와 사전열분해 공정을 거친 Ⅲ 족의 화합물을 원료기체로 하여 N 형 전도특성을 갖는 인듐갈륨아세나이드와 P 형의 전기전도도를 나타내는 InGaAs 를 성장온도의 조절만으로 형성하는 방법에 관한것이다.
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公开(公告)号：KR1019950011016B1
公开(公告)日：1995-09-27
申请号：KR1019920024317
申请日：1992-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: The method comprises a step of chemically depositing the vapor of trimethylgallium and arsine onto a substrate, a step of thermally reacting the trimethylgallium and arsine with the paticles of the surface of the substrate, a step of removing hydride vapor from the substrate, and a step of combining the gallium particles with the arsinide particles on the surface of the substrate.
Abstract translation: 该方法包括将三甲基镓和胂的蒸气化学沉积到基材上的步骤，将三甲基镓和胂与基材表面的颗粒热反应的步骤，从基材中除去氢化物蒸汽的步骤和步骤 将镓颗粒与基质的表面上的酰亚胺颗粒结合。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019940014929A
公开(公告)日：1994-07-19
申请号：KR1019920024318
申请日：1992-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C30B29/42
Abstract: 본 발명은 ALE와 UHVCVD을 이용하여 다공성 실리콘기판 위에 갈륨비소의 이종에피택시층을 성장시키는 방법에 관한 것으로 불순물이 함유된 실리콘기판 상에 전기화학적 방법에 의해 다공질층을 형성하는 공정과, ALE와 UHVCVD성장장치에 의해 트리메틸갈륨과 AsH
3 가스를 원료기체로 사용하여 상기 실리콘기판의 다공질층으로 교대분사하여 에피택시층인 갈륨비소박막을 형성한 것이다.-
公开(公告)号：KR100440254B1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：KR1020020031972
申请日：2002-06-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
Abstract: PURPOSE: An anti-guide type surface emitting laser and a method for manufacturing the same are provided to realize a high power with a low current at a single mode since the output light is small in size and it scarcely diverges, thereby reducing the manufacturing cost thereof. CONSTITUTION: An anti-guide type surface emitting laser includes a lower Bragg mirror layer(102), a resonance layer(103), a beam width control layer(113) and an upper Bragg mirror layer(109). The beam width control layer(113) formed on top of the resonance layer(103) includes a first thin film(104) defining the central portion as a current injection region, a second thin film layer(105) for generating an effective refraction index difference between the peripheral portion and the central portion and a third thin film(107) formed between the first thin film(104) and the second thin film(105). The lower Bragg mirror layer(102) is formed on a semiconductor substrate and the resonance layer(103) is formed on top of the lower Bragg mirror layer(102). The upper Bragg mirror layer(109) formed on top of the beam width control layer(113) has a step at a boundary between the edge portion and the central portion by the second thin film(105).
Abstract translation: 目的：提供一种抗引导型表面发射激光器及其制造方法，以在单模下实现低电流的高功率，因为输出光尺寸小并且几乎不发散，从而降低了制造成本 它们。 构成：一种防引导型表面发射激光器包括下布拉格镜面层（102），谐振层（103），射束宽度控制层（113）和上布拉格反射镜层（109）。 形成在谐振层（103）顶部的束宽控制层（113）包括限定中心部分作为电流注入区的第一薄膜（104），用于产生有效折射率的第二薄膜层（105） 周边部分和中央部分之间的差异以及在第一薄膜（104）和第二薄膜（105）之间形成的第三薄膜（107）。 下布拉格镜像层（102）形成在半导体衬底上，并且谐振层（103）形成在下布拉格镜像层（102）的顶部上。 在光束宽度控制层（113）顶部形成的上布拉格镜层（109）在第二薄膜（105）的边缘部分和中心部分之间的边界处具有台阶。
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公开(公告)号：KR100427583B1
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：KR1020020002494
申请日：2002-01-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
CPC classification number: H01S5/18308 , H01L33/145 , H01S5/02461 , H01S5/0421 , H01S5/18341 , H01S5/18369 , H01S5/2063
Abstract: The present invention relates to a method of fabricating vertical-cavity surface emitting lasers being watched as a light source for long wavelength communication. The present invention includes forming a layer having a high resistance near the surface by implanting heavy ions such as silicon (Si), so that the minimum current injection diameter is made very smaller unlike implantation of a proton. Further, the present invention includes regrowing crystal so that current can flow the epi surface in parallel to significantly reduce the resistance up to the current injection part formed by silicon (Si) ions. Therefore, the present invention can not only effectively reduce the current injection diameter but also significantly reduce the resistance of a device to reduce generation of a heat. Further, the present invention can further improve dispersion of a heat using InP upon regrowth and thus improve the entire performance of the device.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造垂直腔表面发射激光器的方法，该激光器被视为用于长波长通信的光源。 本发明包括通过注入诸如硅（Si）的重离子在表面附近形成具有高电阻的层，使得与质子的注入不同，最小电流注入直径非常小。 此外，本发明包括再生晶体，使得电流能够平行地流过epi表面，以显着降低直到由硅（Si）离子形成的电流注入部分的电阻。 因此，本发明不仅能够有效地减小电流注入直径，而且还能够显着降低器件的电阻以减少热量的产生。 此外，本发明在再生长时可以进一步改善使用InP的热量的分散，从而改善装置的整体性能。
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公开(公告)号：KR100331687B1
公开(公告)日：2002-04-09
申请号：KR1019990055387
申请日：1999-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/127 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02507 , H01L21/02546
Abstract: 본발명은반도체기술에관한것으로, 특히화합물반도체초미세구조제작에관한것이며, 더자세히는자발형성양자점(self-assembled quantum dots)과전류차단층(current blocking structure)의자기정렬성장방법에관한것이다. 본발명은 S-K 성장방식을사용하여화합물반도체양자점구조를형성함에있어서, 양자점크기의균일성을확보하고, 기판평면에서의위치제어가용이한반도체소자제조방법을제공하는데그 목적이있다. 본발명은 TSL(tilted superlattice) 구조를이용하여 InAs 양자점이성장될부분을양자점의크기로제한하므로써양자점의크기분포를균일하게유도하며, 장벽층성장시 InAs 양자점배열구조사이에성장되는비정질 GaAs층을전류차단구조로이용할수 있는자기정렬성장법을제안하였다. 본발명은양자점의정렬효과외에양자점의크기분포균일성을높일수 있으며, 양자점구조의소자응용에필수적으로요구되는전류차단구조를별도의공정없이동시에구현할수 있다는기술적장점을가지고있다.
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