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公开(公告)号：KR100958718B1
公开(公告)日：2010-05-18
申请号：KR1020070126708
申请日：2007-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0232 , H01L31/12
CPC classification number: G02F1/218 , G02F2001/212 , G02F2201/302
Abstract: 광신호의 위상을 변환시키는 광전 소자를 포함하는 반도체 집적회로를 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 집적회로는 기판 상에 배치된 반도체 패턴을 포함한다. 반도체 패턴은 광도파로부 및 광도파로부 양측에 배치된 리세스부들을 포함한다. 광신호가 투과하는 광도파로부의 단면적을 감소시켜 고속으로 동작하고 고집적화 및/또는 저소비전력화에 최적화된 광전 소자를 포함하는 반도체 집적회로를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070061191A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060060501
申请日：2006-06-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/02296 , H01S5/0264 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/18341 , H01S5/18369 , H01S5/3095
Abstract: A VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser) having an optical detector and a fabricating method thereof are provided to simplify a fabricating process through a general VCSEL fabricating process without separately integrating the VCSEL and the optical detector. A vertical cavity surface emitting laser having an optical detector includes a substrate, a first mirror layer(12), a second electrode layer(14), an active layer, a tunnel joining layer, a second electrode layer, and an optical detector. The substrate includes a first area and a second area separated from each other by a predetermined distance. The first mirror layer(12), the second electrode layer(14), the active layer, the tunnel joining layer, and the second electrode layer are sequentially stacked on the substrate of the first area. The optical detector is arranged at some area of the second electrode layer(14) of the first area. The VCSEL has layers having the same shapes with the first mirror layer(12), the second electrode layer(14), the active layer, the tunnel joining layer, and the second electrode layer of the first area. The predetermined distance is set so as to detect light emitted from the laser in the optical detector.
Abstract translation: 提供了具有光学检测器及其制造方法的VCSEL（垂直腔表面发射激光器），以通过一般的VCSEL制造工艺简化制造工艺，而不单独集成VCSEL和光学检测器。 具有光检测器的垂直腔表面发射激光器包括基底，第一镜层（12），第二电极层（14），有源层，隧道接合层，第二电极层和光学检测器。 衬底包括彼此隔开预定距离的第一区域和第二区域。 第一镜层（12），第二电极层（14），有源层，隧道接合层和第二电极层依次层叠在第一区域的基板上。 光学检测器布置在第一区域的第二电极层（14）的某个区域。 VCSEL具有与第一区域的第一镜面层（12），第二电极层（14），有源层，隧道接合层和第二电极层相同形状的层。 设定预定距离以便检测在光学检测器中从激光发射的光。
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公开(公告)号：KR1020060067190A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040105704
申请日：2004-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/18316 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/18369 , H01S5/18375 , H01S5/18377
Abstract: 본 발명은 반도체 광소자 중 표면방출 레이저 제작방법에 관한 것으로 화합물 반도체 기판 위에 거울층과 활성층으로 구성된 에피 구조를 유전체 거울층과 결합하고, 이를 다시 새로운 기판 위에 금속접합 방법으로 결합한 후 기존 기판을 제거한 후 새로운 기판 위에서 표면방출 레이저를 제작하는 방법에 관한 기술을 개시한다. 이러한 기술은 표면방출 레이저를 구성하는 상부 거울 및 하부 거울과 활성층에 전기적, 광학적 영향없이 표면방출 레이저 구조를 외부적인 금속접합 방법으로 새로운 기판에 옮겨 붙여 제작하는 방법으로, 기존의 표면방출 레이저의 제작방법을 이용하면서 열적 특성이 우수한 새로운 기판으로 옮겨 제작함으로써 우수한 열 방출 특성을 얻게 하여, 궁극적으로 제작이 용이하면서 신뢰성이 높으며, 우수한 특성의 표면방출 레이저 제작을 가능하게 한다.
표면방출 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers, VCSELs), 금속접합(metallic bonding), 화합물 반도체(compound semiconductor), 유전체 거울층(dielectric mirror), 반도체 거울층(semiconductor Distributed Brag reflector, DBR), 습식선택 식각, 건식선택 식각-
公开(公告)号：KR1020050066068A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097272
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 박미란
IPC: H01L29/78 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/0331 , H01L21/28 , H01L21/32051 , H01L29/2003
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 상이한 밴드갭을 갖는 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층을 형성한 후 상기 제 2 반도체층을 메사 구조로 패터닝하는 단계와, 소스 및 드레인이 형성될 부분의 상기 제 2 반도체층이 노출되도록 제 1 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 전체 상부면에 금속을 증착한 후 리프트 오프 공정을 실시하여 금속으로 이루어진 소스 및 드레인을 형성하는 단계와, 상기 소스 및 드레인과 상기 제 2 반도체층의 오믹 콘택을 위하여 열처리하는 단계와, 상기 소스 및 드레인을 포함하는 전체 상부면에 절연막을 형성한 후 게이트가 형성될 부분의 상기 절연막이 노출되도록 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 게이트가 형성될 부분의 상기 제 2 반도체층이 노 출되도록 상기 절연막을 제거하는 단계와, 저온 진공 증착을 위해 상기 기판의 온도를 감소시킨 상태에서 전체 상부면에 금속을 증착하고 리프트-오프 공정 및 상기 절연막 제거 공정을 실시하여 금속으로 이루어진 게이트를 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020040049744A
公开(公告)日：2004-06-12
申请号：KR1020020077599
申请日：2002-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
Abstract: PURPOSE: A HFET(hetero-structure field effect transistor) is provided to improve mobility and saturation velocity of free electrons by decreasing a possibility that the free electrons exist in an AlGaN layer while not greatly varying the density of free electrons induced to a quasi two-dimensional electron channel. CONSTITUTION: The first semiconductor layer(104) is formed on a substrate(100). The second semiconductor layer(106) is formed on the first semiconductor substrate, having a band gap different from that of the first semiconductor layer. The third semiconductor layer(108) is formed on the second semiconductor layer, having a band gap different from that of the second semiconductor layer. A gate(110) is formed on the third semiconductor layer. A source/drain electrode(112) ohmic-contacted by metal is formed on the third semiconductor layer at both sides of the gate. The second semiconductor layer has a band gap greater than the first semiconductor layer. The third semiconductor layer has a band gap that is greater than the first semiconductor layer and is smaller than the second semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供HFET（异质结构场效应晶体管），通过降低自由电子存在于AlGaN层中而不会大大改变自由电子的密度，从而提高自由电子的迁移率和饱和速度 三维电子通道。 构成：第一半导体层（104）形成在基板（100）上。 第二半导体层（106）形成在第一半导体衬底上，具有与第一半导体层的带隙不同的带隙。 第三半导体层（108）形成在第二半导体层上，具有与第二半导体层的带隙不同的带隙。 在第三半导体层上形成栅极（110）。 在栅极两侧的第三半导体层上形成由金属欧姆接触的源极/漏极（112）。 第二半导体层具有大于第一半导体层的带隙。 第三半导体层具有比第一半导体层大的带隙，并且小于第二半导体层。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020150096961A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140017899
申请日：2014-02-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B1/113 , G02B6/12004 , G02B6/14 , G02B2006/12078 , G02B2006/12142 , G02B2006/12152 , G02F1/0102 , G02F1/01708 , G02F2001/0157 , H01S5/0261 , H01S5/0265 , H01S5/50
Abstract: 본 발명은 광원 소자에 관한 것이다. 본 발명의 광원 소자는 광섬유와 광결합을 위한 모드 변환기, 모드 변환기에 결합되고, 광섬유를 통해 입력된 광신호를 증폭하는 반도체 광증폭기, 및 광증폭기에 결합되고, 증폭된 광신호를 변조하여 출력하는 전계 흡수 변조기를 포함하고, 반도체 광증폭기와 광흡수 변조기는 온도를 제어할 수 있는 히터를 각각 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及光源装置。 光源装置包括与光纤组合的模式转换器，与模式转换器组合的半导体光放大器，放大通过光纤输入的光信号，以及与光放大器组合的电场吸收调制器 并调制和输出放大的光信号。 半导体光放大器和光吸收调制器包括可控制温度的加热器。
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公开(公告)号：KR1020150096159A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：KR1020140017252
申请日：2014-02-14
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04Q11/0005 , H04B10/675 , H04B2210/075 , H04J14/0276 , H04Q2011/0009 , H04Q2011/0018
Abstract: 파장 가변 광 수신기에서 파장을 선택하는 방법 및 장치가 개시되어 있다. 파장 가변 광 수신기의 파장 선택 방법은 파장 가변 광 수신기가 파장 가변 광 송신기로부터 광 신호를 수신하는 단계, 파장 가변 광 수신기가 저주파 대역 전기 신호 필터를 통해 광 신호를 필터링하여 저주파 신호를 획득하는 단계, 파장 가변 광 수신기가 저주파 신호의 전류값을 기반으로 유효한 신호인지 여부를 판단하는 단계와 저주파 신호가 유효한 신호인 경우, 파장 가변 광 수신기가 저주파 신호가 선택되는 파장 가변 광학 필터의 구동 조건을 획득하는 단계를 포함할 수 있되, 저주파 신호는 제어/감시 신호를 포함할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于选择波长可调光接收机中的波长的方法和装置。 该方法包括：波长可调光接收器从波长可调光发送器接收光信号的步骤; 波长可调光接收机通过低频带电信号滤波器滤波光信号获得低频信号的步骤; 所述波长可调光接收机的步骤基于所述低频信号的当前值来确定所获得的低频信号是否有效; 以及波长可调光接收器获得如果低频信号有效则选择低频信号的操作条件的步骤。 低频信号可以包括控制/监视信号。
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公开(公告)号：KR1020140076112A
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020120144281
申请日：2012-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04B10/0773 , H04B10/0775 , H04B2210/075 , H04J14/0276
Abstract: The present invention relates to an optical line terminal device to monitor and control upstream and downstream optical signals and, more specifically, to an optical line terminal device to monitor and control upstream and downstream optical signals capable of integrating the optical power and wavelengths of an upstream and downstream wavelength division multiplexing optical signals into a single system; and monitoring and controlling the integrated result by adding monitoring signals of different low frequencies to the upstream and downstream wavelength division multiplexing optical signals in a bidirectional wavelength division multiplexing optical network and sensing and detecting the low frequency elements of the upstream and downstream optical signals.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于监测和控制上下游光信号的光线路终端设备，更具体地说，涉及一种用于监视和控制上行和下行光信号的光线路终端设备，所述光信号能够集成上行和下行的光功率和波长 并将下行波分多路复用光信号转换成单个系统; 并通过在双向波分多路复用光网络中向上下游波分复用光信号添加不同低频监测信号来监测和控制集成结果，并感测和检测上下游光信号的低频单元。
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30.发明公开양방향 파장분할다중 광네트워크에서 하향 ＷＤＭ 광신호의 광출력과 파장을 제어 및 감시하는 광회선 종단 장치 无效用于控制和监测双向波分复用光网络中下行波分复用光信号的光功率和波长的光线终端
公开(公告)号：KR1020130101961A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：KR1020120072809
申请日：2012-07-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04J14/02 , H04B10/2507
CPC classification number: H04J14/0227 , H04B10/07 , H04B10/2503 , H04B10/2507 , H04B10/572
Abstract: PURPOSE: An optical line terminal (OLT) controlling and monitoring the optical power and wavelength of a downlink wavelength division multiplexing (WDM) optical signal in a bidirectional WDM optical network is provided to increase the quality of a monitoring system by fundamentally blocking the effect of signal distortion. CONSTITUTION: An optical transmitter generates a downlink WDM optical signal. A standard-type wavelength multiplexer multiplexes the wavelength of the downlink WDM optical signal. A circulation-type wavelength demultiplexer (160) demultiplexes the wavelength of the downlink WDM optical signal. An optical receiver (170) outputs a downlink electric signal. A signal processing module (180) controls the optical power and wavelength of a signal from the optical transmitter. [Reference numerals] (100) Central base station; (180) Signal processing module; (700) Remote node; (800) Value particle
Abstract translation: 目的：提供一种在双向WDM光网络中控制和监测下行波分复用（WDM）光信号的光功率和波长的光线路终端（OLT），以通过根本上阻止监控系统的效果来提高监控系统的质量 信号失真。 构成：光发射机产生下行WDM光信号。 标准型波长多路复用器复用下行链路WDM光信号的波长。 循环型波长解复用器（160）对下行链路WDM光信号的波长进行解复用。 光接收器（170）输出下行电信号。 信号处理模块（180）控制来自光发射机的信号的光功率和波长。 （附图标记）（100）中央基站; （180）信号处理模块; （700）远程节点; （800）价值粒子
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