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公开(公告)号：KR100175359B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950050515
申请日：1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/22
CPC classification number: H01L39/223 , H01L39/2496 , Y10S505/702 , Y10S505/728
Abstract: 본 발명은 산화물 초전도 삼층박막을 이용하여 초전도체의 장점인 빠른 연산속도와 데이타 처리속도와 낮은 소모전력 등의 특성을 지니는 초전도 소자의 주 구성요소인 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 접합구조의 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 초전도체-절연체-초전도체 접합구조에 있어서, 펄스 레이저 증착기의 기판 가열대에 고온 초전도 박막이 성장하는 산화물 단결정 기판을 은접착제로 부착시키는 제1과정과, 펄스 레이저 증착법으로 PBCO 밑틀층을 소정의 온도에서, 소정의 산소압하에서 소정의 두게로 증착하는 제2과정과, 증착된 PBCO 밑틀층 위에 펄스 레이저 증착법으로 a-축 수직한 YBCO 전극을 소정의 온도에서, 소정의 산소압하에서 소정의 두께로 증착하는 제3과정과, 아르곤 이온 빔의 입사각을 30°내지 70° 중의 어느 각도로 하여 건식식각하는 제4과정과, 식각된 a-축 수직한 YBCO 하부 전극 위에 펄스 레이저 증착법으로 소정의 두께의 절연막을 장벽층으로 증착하는 제5과정과, 연속적으로 a-축 수직한 YBCO 상부 전극을 소정의 온도에서, 소정의 산소압하에서 소정의 두께로 증착하는 제6과정 및 상기 제5과정에서 증착된 층과 상기 제6과정에서 증착된 층을 건식식각하는 제7과정을 포함하는 데에 있으므로, 본 발명은 기존의 샌드위치형 평면 접합의 경우에 비해 식각공정의 재현성을 높일 수 있으며, a-축 수직한 YBCO 박막을 이용하므로 장벽층의 두께를 두껍게 해도 접합의 형성이 가능하게 되며, 영상처리와 신호처리와 고성능 워크스테이션과 위성 신호처리와 슈퍼 컴퓨터 등을 초고속 및 저전력으로 작동시킬 수 있다는 데에 그 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100148596B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940031493
申请日：1994-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/00
CPC classification number: H01L39/2496 , H01L39/228
Abstract: 본 발명은 결정 입계 채널을 갖는 초전도 전계효과 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법은, 산화물 단결정 기판을 준비하는 공정과; 상기 산화물 단결정 기판의 주표면 위에 제1의 고온 초전도 박막을 증착하는 공정과; 상기 제1의 고온 초전도 박막을 패터닝하여 개구를 갖는 패턴된 초전도 박막을 형성하는 공정과; 그 위에 제1의 소정의 온도에서 밑틀층을 증착하는 공정과; 이 밑틀층을 선택적으로 에치 백하여 상기 밑틀층이 제거된 노출부와 상기 밑틀층이 증착된 성장부를 갖는 패턴된 밑틀층을 형성하는 공정과; 제2의 소정의 온도에서 제2의 고온 초전도 박막을 성장시켜 상기 노출부와 상기 밑틀층 사이에 그들의 배향 방위에 따라서 결정 입계를 형성하는 공정과; 상기 제2의 고온 초전도 박막 위에 보호층을 형성하여 상기 제2의 고온 초전도 박막이 대기중에서의 특성으로 인해 열화되는 것을 방지하는 공정과, 상기 보호층을 선택적으로 에치백하여 상기 개구위에 형성된 증착부와 상기 패턴된 초전도 박막 위에 형성된 에치부들을 갖는 패턴된 절연층을 형성하는 공정과; 상기 패턴된 보호층 위에 게이트 절연층을 형성하는 공정; 및 그 위에는 금속 전극들을, 상기 에치부들 위에는 각각 소오스/드레인 전극들을, 그리고 상기 결정 입계 바로 위의 상기 게이트 절연층의 상기 증착부 위에는 게이트 전극들을 코팅하는 공정으로 구성된다.
이렇게 제조되는 본 발명의 초전도 FET에 있어서는, 결정 입계 위에 직접적으로 게이트 전극이 형성되기 때문에, 게이트 절연층을 통해 인가되는 전압에 의해 소오스 및 드레인 사이의 전류 흐름을 제어할 수 있게 된다.
또한, 고가의 쌍결정 기판을 사용함이 없이 보다 저가의 산화물 단결정 기판에 작용하는 결정 입계를 형성할 수 있기 때문에, 고온 초전도 FET를 경제적으로 제조할 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019950009637B1
公开(公告)日：1995-08-25
申请号：KR1019920025340
申请日：1992-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/00
Abstract: The method comprises a dielectric crystalline MgO substrate, a high temperature thin film which possesses a circuit pattern formed on the dielectric crystalline MgO substrate, and a contact surface which is formed by a conducting metal under the dielectric crystalline MgO substrate.
Abstract translation: 该方法包括介电晶体MgO衬底，具有形成在电介质结晶MgO衬底上的电路图案的高温薄膜以及由电介质结晶MgO衬底下的导电金属形成的接触表面。
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Patent Agency Ranking
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28.发明授权
公开(公告)号：KR101504783B1
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：KR1020100096495
申请日：2010-10-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N33/68
Abstract: 본 발명은 거대자기저항 센서를 이용한 알츠하이머병의 진단방법 및 알츠하이머병 진단용 자기비드-다중단백질 복합체에 관한 것이다. 본 발명에 따른 거대자기저항 센서를 이용하여 알츠하이머병의 진단방법은 기존의 형광물질이나 유전자 분석 대신 거대자기저항 센서를 이용하여 간단한 방법으로 알츠하이머병을 쉽게 진단할 수 있고, 알츠하이머병 진단용 바이오 센서로 대량생산이 가능하므로, 알츠하이머병의 모니터링과 치료에 유용하게 사용할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101353618B1
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：KR1020100081632
申请日：2010-08-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은, CuCl
2 , InCl
3 및 SeC(NH
2 )
2 전구체 용액들을 질소분위기 및 상온에서 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계; 상기 혼합용액을 스프레이 공정을 이용하여 기판 위에 분사시킨 후 건조시켜 박막을 제조하는 단계; 및 상기 박막을 Se 분위기에서 셀렌화하는 단계를 포함하는 스프레이 공정을 이용하여 광흡수층 박막을 제조하는 방법 및 유리기판 위에 스퍼터링 공정으로 하부전극층을 제조하는 단계; 상기 하부전극층 위에 상기 스프레이 고정을 이용하여 광흡수층을 제조하는 단계; 상기 광흡수층 위에 화학기상 증착법으로 버퍼층을 제조하는 단계; 상기 버퍼층 위에 스퍼터링 공정으로 윈도우층을 제조하는 단계; 및 상기 윈도우층 위에 상부전극층을 제조하는 단계를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR101118223B1
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：KR1020090089686
申请日：2009-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 역 구조 기판 식각에 기반한 자기저항 측정 바이오센서 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 바이오센서는 유전체층을 먼저 형성한 후 자기저항센서를 형성함으로써, 자기저항센서의 안정성에 손상을 가하지 않고 유전체층을 고온에서 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 바이오센서는 고품질의 유전체층 박막을 포함하며, 그에 따르는 우수한 측정감도를 갖는다. 또한, 별도의 공정 없이 기판의 식각에 의하여 시료접촉 금속막 상에 시료적용 용기가 형성되므로 시료의 적용이 매우 편리하다.
자기저항센서, 바이오센서, 유전체층, 기판식각
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