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公开(公告)号：KR101781226B1
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：KR1020110084014
申请日：2011-08-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04S3/006
Abstract: 3차원음장재생방법및 장치가개시된다. 3차원음장재생방법여기주파수의파장에기초하여제어영역을결정하고, 라우드스피커어레이에기초하여후보제어포인트를제어영역에배치하고, 불균일라우드스피커에해당하는불균일제어포인트를결정할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种三维声场再现方法和装置。 基于由控制区域所确定的激励频率，扬声器阵列的基础上的波长三维声场再现方法中，放置的候选控制点，与对照区，并且可以决定对于非均匀异质扬声器控制点。
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公开(公告)号：KR101066102B1
公开(公告)日：2011-09-20
申请号：KR1020080131638
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 압전형 마이크로 스피커에 대한 것으로서 이 장치는 기판, 상기 기판 상에 형성되어 있는 압전층, 상기 압전층 상에 형성되어 있는 상부 전극, 그리고 상기 압전층과 상기 상부 전극을 관통하며 하나의 캔틸레버 영역을 정의하는 홀을 매립하며 상기 상부 전극 상에 형성되어 있는 폴리머 다이아프램을 포함한다.따라서, 압전형 캔틸레버 또는 이와 유사한 구조를 이용한 폴리머 다이아프램 마이크로 스피커는 음악 및 소리의 발생을 위해 공진 주파수를 낮추고, 음압 발생을 높이기 위해 영률이 작은 재료 즉, 폴리머 등을 사용하여 저주파 영역까지 음압을 발생할 수 있다.
압전형 마이크로스피커, 캔틸레버, Parylene-C, 전극.-
公开(公告)号：KR1020100073057A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080131638
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04R17/005 , B06B1/0688 , H01L41/22 , H04R31/006 , H04R2307/025
Abstract: PURPOSE: A micro-speaker and a manufacturing method thereof are provided to generate the sound pressure to the low band area by using the material like the polymer having the small Young modulus. CONSTITUTION: A micro speaker(100) comprises the Polymer diaphragm corresponding to loudspeaker, similarly, a cone paper. The micro-speaker comprises a plurality of piezoelectric cantilevers(110) corresponding to the voice coil driving the cone paper and the electrode(130) for transferring voltage to piezoelectric cantilevers. A piezoelectric layer is formed on a substrate. The upper electrode is formed on the piezoelectric layer. The Polymer diaphragm formed on the upper electrode passes through the piezoelectric layer and upper electrode. In order to fill in a hole defining one cantilever domain, the Polymer diaphragm is used.
Abstract translation: 目的：提供微型扬声器及其制造方法，通过使用具有小杨氏模量的聚合物的材料来产生对低频带区域的声压。 构成：微型扬声器（100）包括对应于扬声器的聚合物隔膜，类似地，锥形纸。 微型扬声器包括对应于驱动锥形纸的音圈的多个压电悬臂（110）和用于将电压传递到压电悬臂的电极（130）。 在基板上形成压电体层。 上电极形成在压电层上。 形成在上电极上的聚合物膜通过压电层和上电极。 为了填充限定一个悬臂域的孔，使用聚合物隔膜。
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公开(公告)号：KR100261462B1
公开(公告)日：2000-07-01
申请号：KR1019970046102
申请日：1997-09-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/00
Abstract: PURPOSE: A multi-channel switching device using single electron tunneling is provided to reduce the number of unit devices by using conductivity according to each electric potential of electron islands. CONSTITUTION: A multi-channel switching device using single electron tunneling comprises a multitude of electron island and a conductive line. The multitude of electron island is arranged in a linear shape. Electrons of the electron island are isolated. The conductive line is penetrated into both directions of each electron island to a vertical direction of the arranged direction. The penetrating current is applied to a few electron island of a whole structure of the electron island arrangement.
Abstract translation: 目的：提供使用单电子隧穿的多通道开关器件，以根据电子岛的每个电位使用电导率来减少单元器件的数量。 构成：使用单电子隧穿的多通道开关器件包括多个电子岛和导电线。 大量的电子岛布置成线形。 分离电子岛的电子。 导电线沿着排列方向的垂直方向贯穿各电子岛的两个方向。 穿透电流被施加到电子岛布置的整个结构的几个电子岛。
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公开(公告)号：KR100261270B1
公开(公告)日：2000-07-01
申请号：KR1019970059535
申请日：1997-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/775 , B82Y10/00
Abstract: PURPOSE: A multi-function device involving a quantum dot array loop structure with multiple coulomb gaps is provided to reduce the size of the device for high integrity, and save consumption power by using very low operation current. CONSTITUTION: The plurality of quantum dots(1,2,...,N) are arrayed by a tunnel bonding to form the quantum dot array loop(30). A source(10) and a drain(20) are connected to two quantum dots of the plurality of quantum dots(1,2,...,N) by the tunnel bonding. Electrons are movable between respective quantum dots(1,2,...,N) by the tunnel bonding. In this structure, the voltage drop between the source(10) and drain(20) is applied to the array loop(30) and drain(20) because the charge capacitance between the drain(20) and quantum dot array loop(30) is much smaller than that between the source(10) and quantum dot array loop(30).
Abstract translation: 目的：提供一种涉及具有多个库仑间隙的量子点阵列环路结构的多功能设备，以减小高度完整性的器件尺寸，并通过使用非常低的工作电流来节省功耗。 构成：多个量子点（1,2，...，N）通过隧道结合排列以形成量子点阵列环（30）。 源极（10）和漏极（20）通过隧道结合连接到多个量子点（1,2，...，N）中的两个量子点。 电子通过隧道结合在各个量子点（1,2，...，N）之间移动。 在这种结构中，源极（10）和漏极（20）之间的电压降被施加到阵列环（30）和漏极（20），因为漏极（20）和量子点阵列环（30）之间的电荷电容 远小于源（10）和量子点阵列环（30）之间的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000032310A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980048732
申请日：1998-11-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/06
Abstract: PURPOSE: An output terminal amplification circuit for a single-electron circuit and quantum electrons circuit is provided to strengthen output impedance of current consisted of quantum electron demagnetization with the dozens level, and to isolate outside circuit thereby effectively preventing the single-electron circuit from noises. CONSTITUTION: An output terminal amplification circuit for a single electron circuit and quantum electrons circuit comprises the parts of: a single electron transistor(31) in which a gate is connected through a capacitor to output terminal of a memory circuit or a logic circuit with a large source impedance, consisted of a single electron or quantum electrons; an FET transistor(50) in which a gate is connected to source part of the above single electron transistor.
Abstract translation: 目的：提供用于单电子电路和量子电子电路的输出端子放大电路，以加强由数十级的量子电子去磁组成的电流的输出阻抗，并隔离外部电路，从而有效防止单电子电路的噪声 。 构成：用于单电子电路和量子电子电路的输出端子放大电路包括以下部分：单电子晶体管（31），其中栅极通过电容器连接到存储器电路的输出端或逻辑电路 大源阻抗由单电子或量子电子组成; 其中栅极连接到上述单电子晶体管的源极部分的FET晶体管（50）。
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公开(公告)号：KR100258096B1
公开(公告)日：2000-06-01
申请号：KR1019970065066
申请日：1997-12-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76262
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an SOI substrate is provided to achieve the SOI substrate formed with a silicon layer having a low impurity density with uniform thickness. CONSTITUTION: A mixing layer(12) including SiO2 and silicon is formed on a glass substrate(10) in an oxygen atmosphere by using an epitaxial device. At this time, the pressure of oxygen is gradually decreased. A silicon layer(14) is formed on the mixing layer(12) of SiO2 and silicon in a high vacuum state. At this time, the pressure of oxygen becomes zero. The mixing layer(12) of SiO2 and silicon is made of a nonconductor. The density of SiO2 is reduced and the density of silicon is increased in an upper portion of the glass substrate(10).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造SOI衬底的方法，以实现具有均匀厚度的具有低杂质密度的硅层形成的SOI衬底。 构成：通过使用外延装置，在氧气氛中的玻璃基板（10）上形成包括SiO 2和硅的混合层（12）。 此时，氧气的压力逐渐降低。 在高真空状态的SiO 2和硅的混合层（12）上形成硅层（14）。 此时，氧气的压力变为零。 SiO 2和硅的混合层（12）由非导体制成。 SiO 2的密度降低，硅的密度在玻璃基板（10）的上部增加。
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公开(公告)号：KR100233833B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019960048947
申请日：1996-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L29/66446 , H01L29/66977 , H01L29/772 , Y10S438/962
Abstract: 본 발명은 여러개의 온/오프(on/off) 상태를 갖는 다기능 트랜지스터 소자를 제작하기 위해 전자의 회절성을 2차원 전자 기체에 구현하는 것으로, 특히 전자의 통로에 반사 회절 그레이팅(grating) 모양의 구조를 삽입함으로써, 전자의 회절현상을 이용하여 드레인 전류의 크기를 조절하고, 여러개의 온/오프 상태를 갖는 양자 회절 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019990046907A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065066
申请日：1997-12-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 산화물 기판을 사용하여 산소의 분위기내에서 실리콘을 원재료로 하는 분자선 단결정 제조기법을 이용하여 산화물을 균일하게 성장시킨 다음, 계속하여 산소 분위기의 압력을 점차로 줄여감에 따라 산화물과 실리콘의 혼합계면을 성장시킨 후, 그 혼합 계면위에 계속하여 실리콘 분자선 단결정 제조 기법을 이용하여 일정 두께의 실리콘 단결정을 성장하므로써 실리콘층이 매우 균일하고 불순물의 농도가 작은 SOI 기판을 제조한다.
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公开(公告)号：KR100137601B1
公开(公告)日：1998-04-28
申请号：KR1019940023653
申请日：1994-09-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/80 , H01L29/205 , H01L29/68
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L29/66977
Abstract: 본 발명은 주기적인 게이트 폭의 변화를 갖는 양자간섭 트랜지스터에 관한 것이다. 전자의 파동성은 전자의 파장으로 표시되며 이 파장은 전자의 밀도 즉, 게이트 전압과 밀접한 관계가 있다. 트랜지스터의 구조에서 게이트를 주기적인 변화 폭을 갖도록 제작하여, 두가지의 전자통로 사이에 전자의 위상차를 만들어 준다. 이러한 위상의 차이에 따라 소스와 드레인 사이의 전자는 파동과 같이 간섭현상을 일으킨다. 이러한 간섭현상은 소스와 드레인 사이의 전류의 크고 작음으로 나타나며, 이 전류의 변화는 게이트의 전압으로 조절할 수 있다. 게이트 전압에 의한 전자의 양자간섭 현상에 의하여 드레인 전류의 크기는 고전적으로 생각되는 전류의 크기보다 크거나 작게되는 간섭 현상이 나타나게 되어, 기존의 동작영역에서 트랜스컨덕턴스는 증가되며, 여러가지 게이트 전압에 따른 드레인 전류의 극대/극소화 현상의 다기능성이 나타난다.
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