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公开(公告)号：KR1020130052216A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020110117539
申请日：2011-11-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/51
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to increase the life time of the thin film transistor by including a gate insulation layer with a first inorganic layer, an organic layer, and a second inorganic layer. CONSTITUTION: A source electrode(SE) is arranged on a base member. A drain electrode(DE) is separated from the source electrode on a plane. An active layer partially overlaps with the source electrode and the drain electrode on the plane. A gate electrode(GE) partially overlaps with the active layer on the plane. A gate insulation layer is arranged between the active layer and the gate electrode on a vertical surface, and includes a first inorganic layer(11), an organic layer(12), and a second inorganic layer(13) which are successively laminated.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其制造方法，通过包括具有第一无机层，有机层和第二无机层的栅极绝缘层来增加薄膜晶体管的寿命。 构成：源极（SE）布置在基底上。 漏电极（DE）在平面上与源电极分离。 有源层与平面上的源电极和漏电极部分重叠。 栅电极（GE）与平面上的有源层部分重叠。 栅极绝缘层设置在垂直表面上的有源层和栅电极之间，并且包括依次层叠的第一无机层（11），有机层（12）和第二无机层（13）。
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公开(公告)号：KR101182412B1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：KR1020080130132
申请日：2008-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0005
Abstract: 본 발명은 고분자막 패턴과 표면 에너지 차이가 큰 다른 물질이 고분자막 패턴에서 디웨팅(dewetting)되는 현상을 이용한 것으로, 표면 에너지 차이가 큰 두 고분자 물질의 도포에 의해 마이크로미터급 또는 서브 마이크로미터급의 고분자막 미세 패턴을 간단하고 용이하게 형성할 수 있는 것을 특징으로 한다.
고분자, 유기 박막, 미세 패턴, 근접장 전기방사법-
公开(公告)号：KR101136881B1
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020090021592
申请日：2009-03-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , B82Y10/00 , B82Y15/00
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4146
Abstract: 본 발명은 바이오센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 바이오센서는 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성된 소스 및 드레인 전극; 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 채널 영역을 포함하는 트랜지스터 구조이고, 상기 채널 영역은 항원-항체 반응을 감지하는 액티브 폴리머 및 친수성 나노 입자로 형성된 액티브층을 포함하며, 상기 액티브층은 직접인쇄기술, 예를 들면, 잉크젯 프린트법으로 형성된다. 상기와 같은 구조의 바이오센서는 항원-항체 간의 반응성과 친수성을 증가시켜 센서의 특성을 개선시킬 수 있으며, 또한, 직접인쇄기술을 이용하여 대면적 공정이 가능하며 플라스틱을 포함하여 다양한 기판 위에 소자의 제작이 용이하다.
바이오, 센서, 칩, 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020120026316A
公开(公告)日：2012-03-19
申请号：KR1020100088470
申请日：2010-09-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167 , G02F1/0107 , G02F2001/1672
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an electronic paper display device is provided to realize a quick response speed and increase resolution. CONSTITUTION: A first substrate includes a thin film transistor and a pixel electrode(S11). A second substrate includes display elements. An adhesive is coated on the first substrate or the second substrate(S12). The first substrate and the second substrate are bonded each other(S13). The bonded substrates are vacuum-sealed(S14).
Abstract translation: 目的：提供一种制造电子纸显示装置的方法，以实现快速的响应速度并提高分辨率。 构成：第一衬底包括薄膜晶体管和像素电极（S11）。 第二基板包括显示元件。 在第一基板或第二基板上涂覆粘合剂（S12）。 第一基板和第二基板彼此接合（S13）。 将粘合的基材真空密封（S14）。
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公开(公告)号：KR1020100060226A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080118748
申请日：2008-11-27
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A method for forming a micro-pattern through direct printing using near-field electro-spinning technique is provided to reduce the time and cost fro manufacturing a printed circuit board by employing a direct printing method simpler than a semiconductor patterning process. CONSTITUTION: A method for forming a micro-pattern through direct printing using near-field electro-spinning technique comprises the steps of: preparing an electro-spinning solution by mixing a material for patterning in an organic solvent(S11), discharging the electro-spinning solution with voltage applied from an injection nozzle(S12), and attaching the electro-spinning solution discharged from the injection nozzle to the surface of a substrate located on the top of a collector having a grounding property to form a micro-pattern(S13).
Abstract translation: 目的：提供使用近场电纺技术通过直接印刷形成微图案的方法，以通过采用比半导体图案化工艺简单的直接印刷方法来减少制造印刷电路板的时间和成本。 构成：通过使用近场电纺技术的直接印刷形成微图案的方法包括以下步骤：通过将有机溶剂中的图案化材料混合制备电纺丝溶液（S11），将电 - （S12）施加电压的纺丝溶液（S12），将从注射喷嘴排出的电纺丝溶液附着到位于具有接地性的集电体顶部的基板的表面，形成微图案（S13 ）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100918025B1
公开(公告)日：2009-09-18
申请号：KR1020070125549
申请日：2007-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N27/414
Abstract: 본 발명에서는 트랜지스터 혹은 저항 타입의 검출 소자를 제작함에 있어서, 전극이 혈액 등 검출 용액에 노출 될 경우 반도체의 물성 변화에 의한 소자 특성의 변화보다 검출 용액으로 통전되는 특성에 의한 전기적 성질이 더 크게 변하여 바이오 입자 유무를 관측하기 힘들다는 것을 보완하기 위하여, 검출 반응이 일어나는 부분과 전기적 특성을 측정하는 부분을 별도로 제작한 후, 상기 검출 반응 부분에 바이오 입자를 처리하고 후처리 공정을 마친 다음 두 부분을 라미네이션 공정 등으로 접합한 후 검출값을 독출하는 방식의 검출 소자를 제안한다.
검출 소자, 유기 반도체, 생체 용액, 바이오 소자-
公开(公告)号：KR100817215B1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：KR1020060119863
申请日：2006-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L51/055 , H01L51/0021 , H01L51/0023 , H01L51/105
Abstract: A self-aligned organic FET(field effect transistor) is provided to reduce parasitic capacitance by using a photosensitive polymer thin film as a gate electrode and by preventing a gate electrode from overlapping a source/drain electrode. A gate electrode is formed on a substrate(201) by using a photosensitive polymer thin film. A gate insulation layer(203) is formed on the substrate and the gate electrode. A source electrode(206) and a drain electrode(207) are formed on the gate insulation layer at both sides of a channel region in a manner that doesn't overlap the gate electrode. An organic semiconductor layer is formed on the gate insulation layer in the channel region. The gate insulation layer can be made of an organic or inorganic material with transparency. A transparent electrode can be used as the source electrode and the drain electrode.
Abstract translation: 提供了自对准的有机FET（场效应晶体管），通过使用光敏聚合物薄膜作为栅电极并防止栅电极与源/漏电极重叠来减小寄生电容。 通过使用感光性聚合物薄膜，在基板（201）上形成栅电极。 在基板和栅电极上形成栅极绝缘层（203）。 源极电极（206）和漏电极（207）以不与栅电极重叠的方式形成在沟道区两侧的栅极绝缘层上。 在沟道区域的栅极绝缘层上形成有机半导体层。 栅极绝缘层可以由具有透明性的有机或无机材料制成。 可以使用透明电极作为源电极和漏电极。
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公开(公告)号：KR102043703B1
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：KR1020120127615
申请日：2012-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
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公开(公告)号：KR102042483B1
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：KR1020120105889
申请日：2012-09-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
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