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公开(公告)号：KR1020160049915A
公开(公告)日：2016-05-10
申请号：KR1020140147726
申请日：2014-10-28
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: C01B32/194 , B82B3/0009 , C01B32/19 , C01B2204/00
Abstract: 본발명은금속박편또는금속박막에성장된그래핀을기판에전사하는그래핀가두리전사방법에관한것으로서, 화학기상증착방법으로금속박편또는금속박막에성장된그래핀의가장자리에고분자가두리를형성하여전사되는그래핀영역에직접적인고분자도포제없이전사하는방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及用于将生长在金属箔或金属膜上的石墨烯转印到基底上的石墨烯边缘转录方法。 更具体地说，本发明涉及一种通过在金属箔或金属膜上生长的石墨烯的边缘上通过化学气相沉积法形成聚合物边缘而不在石墨烯上直接使用聚合物涂覆剂的方法来转录基板上的石墨烯。 石墨烯边缘转录方法包括以下步骤：通过将聚合物涂覆剂施加到生长石墨烯的金属箔或金属膜的边缘上来形成聚合物边缘; 固化聚合物边缘在大气压或真空下涂覆的金属箔; 在金属蚀刻溶液中蚀刻金属箔或金属膜; 通过用蒸馏水代替金属蚀刻溶液冲洗从蚀刻步骤获得的产品; 将基底插入石墨烯下并将聚合物边缘和石墨烯转录到基底上; 并干燥转录的基质并除去聚合物边缘。
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公开(公告)号：KR100287957B1
公开(公告)日：2002-05-13
申请号：KR1019980055279
申请日：1998-12-16
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: G01B11/30
Abstract: 본 발명은 광화이버를 통한 아토믹 포스 마이크로스코프 탐침광 전송방법에 관한 것으로, 광화이버를 통한 아토믹 포스 마이크로스코프 탐침광을 전송하는 방법으로서, AFM 팁(2)의 (10㎛ ∼ 100㎛) 크기보다 더 이 빛이 퍼지기 전에 팁에 광화이버 끝을 (100㎛ ∼ 500㎛)로 근접시키고, 빛이 팁 끝에서 전부 반사되어 4-cell 포토다이오드에서 검출되게 하되 샘플과 팁의 거리가 달라지면 팁과 시편 사이에 작용하는 힘의 크기가 달라져서 팁이 위 또는 아래로 구부러지고, 그러면 팁에서 반사된 레이저 빛의 반사각도가 달라져서 포토다이오드의 상부(2개 cell), 하부(2개 cell )에 입사하는 빛의 양이 달라져 상부가 하부보다 빛의 세기가 더 커지거나 작아진다. 그러면 상부와 하부 사이의 빛의 세기 차이를 측정하여 일정한 차이를 유지하는데 이것은 팁과 시편 사이가 일정한 거리로 유지된다는 것을 의미한다. 팁을 시편의 다른 지점으로 이동시키면 시편 표면의 높이가 다르므로 팁과 시편 사이의 거리가 달라져서 팁이 위로 혹은 아래로 휘어진다. 따라서 거리를 일정하게 유지시켜 주기 위해서 팁 혹은 시편을 움직여서 거리를 일정하게 유지시킨다. 이때 움직인 거리가 결국 그 지점에서의 표면 높낮이가 되는 것이다. 그래서 시편의 측정 지점을 바꾸면서 이 높낮이를 측정하면 시편의 표면 굴곡을 측정하는 것이 아토믹 포스 마이크로스코프의 원리이다. 그런데 우리는 광화이버를 팁에 가깝게 접근시키고 반사된 빛이 포토다이오드의 중앙에 입사하도록 광화이버를 조절하기 위하여 광화이버를 스테인리스스틸 튜브 안에 넣고 접착제로 고정시켜서 광화이버를 미세하게 조절하는 것이다.
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公开(公告)号：KR1020000039822A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：KR1019980055279
申请日：1998-12-16
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: G01B11/30
Abstract: PURPOSE: A method for transmitting atomic force microscope probe light through an optical fiber is provided to minimize a head and improve a laser property by using an optical fiber without using a lens. CONSTITUTION: In a method for transmitting atomic force microscope probe light, an extreme end of an optical fiber(1) approaches a tip(2) before light is dispersed over a size of the tip(2). When a distance between the tip(2) and a sample(4) is varied, the tip(2) is bent upward and downward so that laser reflected from the tip(2) can be deflected. By deflection of the laser, amounts of light incident to two cells. By measuring the difference, an irregulation of the surface of the sample(4) is measured. The optical fiber(1) is inserted into a tube(5) so as to adjust the optical fiber(1) such that the light reflected from the optical fiber can be incident to a center of a photo diode(3).
Abstract translation: 目的：提供通过光纤传输原子力显微镜探针光的方法，以最小化头部，并且通过在不使用透镜的情况下使用光纤来提高激光性能。 构成：在用于发射原子力显微镜探针光的方法中，在将光分散在尖端（2）的尺寸上之前，光纤（1）的末端接近尖端（2）。 当尖端（2）和样品（4）之间的距离改变时，尖端（2）向上和向下弯曲，使得从尖端（2）反射的激光可以偏转。 通过激光的偏转，入射到两个电池的光量。 通过测量差异，测量样品（4）的表面的不调节。 将光纤（1）插入管（5）中，以便调节光纤（1），使得从光纤反射的光可以入射到光电二极管（3）的中心。
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公开(公告)号：KR101902261B1
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：KR1020170088870
申请日：2017-07-13
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본발명은스커미온메모리소자및 그동작방법을제공한다. 이스커미온메모리소자는, 도전층과상기도전층상에적층되고수직자기이방성및 DMI를가지는자성층을포함하고상기자성층에스커미온을저장하는스커미온라인들; 상기스커미온라인들을가로지르도록배치되고상기스커미온라인들과전기적으로절연되고일정한간격으로배치된복수의전압조절도전라인들; 상기스커미온라인들각각의일단에배치되어상기스커미온라인들각각에스커미온을생성하는제1 자기터널접합소자들; 상기스커미온라인들각각의타단에배치되어상기스커미온라인들각각의스커미온의상태를독출하는제2 자기터널접합소자들; 상기전압조절도전라인들에각각연결된제1 스트링트렌지스터들; 및상기전압조절도전라인들에각각연결된제2 스트링트렌지스터들을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101842133B1
公开(公告)日：2018-03-26
申请号：KR1020160066465
申请日：2016-05-30
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: G11C19/0833 , G11B5/012 , G11B5/82 , G11B5/865 , G11C11/02 , G11C11/14 , G11C11/48 , H01F10/06 , H01F13/003
Abstract: 본발명은서로다른자화상태를갖는제 1 자성구조체와제 2 자성구조체가서로인접하도록이동시키는단계; 및상기제 1 자성구조체와상기제 2 자성구조체가인접하면, 상기제 1 자성구조체의자화상태또는상기제 2 자성구조체의자화상태가변화되는단계;를포함하고, 상기제 1 자성구조체의자화상태또는상기제 2 자성구조체의자화상태가변화되는단계는, 상기제 1 자성구조체와상기제 2 자성구조체중 어느하나의자화상태에서발생한자기장에의해다른어느하나의자화상태가정렬되는단계인임프린팅방식을이용한자화상태제어방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明对于彼此移动时所述第一磁结构并具有不同的磁化状态，以便彼此相邻的第二磁结构的步骤; 并且，如果第一磁结构和第二磁结构彼此相邻，则改变第一磁结构的磁化状态或第二磁结构的磁化状态， 其中改变第二磁性结构的磁化状态的步骤是通过在第一和第二磁性结构中的任何一个中产生的磁场来对准任何一个其它磁化状态的步骤 并提供一种磁化状态控制方法。
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公开(公告)号：KR101831305B1
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：KR1020160066459
申请日：2016-05-30
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: G11C11/1675
Abstract: 본발명은자성구조체의표면에수직한방향으로빛을입사시키는단계; 상기빛에의해상기빛의진행방향과나란한방향으로자기장이발생하는단계; 및상기자기장에의해상기자성구조체의어느일부분의자화상태를상기자기장의방향으로정렬시키는단계;를포함하되, 상기빛의포커싱되는위치를조절함으로써상기자화상태를제어하는스커미온자화상태를제어하는방법및 상기제어방법을이용하여상기자성구조체의자화상태를제어함으로써데이터를처리할수 있는자기메모리소자의제어방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR101106543B1
公开(公告)日：2012-01-20
申请号：KR1020090097181
申请日：2009-10-13
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 마이크로 사이즈의 내경을 갖는 그라핀 마이크로 튜브의 제조방법에 관한 것으로, 자세하게는 마이크로 사이즈의 외경을 갖는 금속 와이어 표면에 탄소를 증착하여 금속만을 식각(etching)하여 제거함으로써 마이크로 사이즈의 내경을 갖는 그라핀 마이크로 튜브 (graphene microtube, GMT)의 제조방법에 관한 것이다.
그라핀, 카본나노튜브, 나노튜브, 마이크로튜브, 그라핀마이크로튜브-
公开(公告)号：KR1020110040055A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020090097181
申请日：2009-10-13
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: C01B32/186 , B82B3/0009 , C01B2204/00
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a graphine macro-tube is provided to implement a mass-production by simplifying manufacturing processes. CONSTITUTION: Carbon is deposited on the surface of metal wires. The metal wires with the deposited carbon are etched to form a graphine micro-tube. The outer diameter of a metal wire is between 1 and 200um. The metal is transition metal and is selected from copper, gold, silver, palladium, and platinum. The inner diameter and the length of the micro-tube is controlled by the outer diameter and the length of the metal wire.
Abstract translation: 目的：提供一种制造石墨管的方法，通过简化制造工艺实现批量生产。 构成：碳沉积在金属线表面。 蚀刻具有沉积碳的金属线以形成石墨微管。 金属线的外径在1到200um之间。 金属是过渡金属，选自铜，金，银，钯和铂。 微管的内径和长度由金属丝的外径和长度来控制。
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公开(公告)号：KR100592192B1
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020040058197
申请日：2004-07-26
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 나노프로브(nano-probe)를 이용하여 기판 위에 있는 나노구조물(nano-structure)을 이동시키는 방법에 관한 것으로서, 특히 나노프로브와 나노구조물 사이에 작용하는 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 신속하고 정확하며 단 한차례의 작업으로 손쉽게 나노구조물을 목표 지점으로 이동시킬 수 있는 나노프로브를 이용한 나노구조물의 이동 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 이동 방법은 상기 나노프로브에 전압을 인가하는 단계와, 상기 전압이 인가된 나노프로브를 상기 나노구조물 근방으로 이동시켜 상기 나노프로브에 나노구조물을 부착시키는 단계와, 상기 나노구조물이 부착된 나노프로브를 상기 기판 위의 목표 지점으로 이동시키는 단계와, 상기 목표 지점에서 상기 나노프로브에 인가된 전압을 끊어 상기 나노프로브에 부착된 나노구조물을 탈리시키는 단계를 포함한다.
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