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公开(公告)号:KR101306007B1
公开(公告)日:2013-09-12
申请号:KR1020120013515
申请日:2012-02-10
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 화학기상증착법을 이용하여 기판 상부에 Sb 증착막을 형성하는 단계; 및 Te 증착막을 형성하는 단계;를 교번하여 수행하는 Sb-Te계 열전박막을 증착 방법이며, Sb 증착 및 Te 증착 단계에서 플라즈마를 발생하는 Sb-Te계 열전박막의 제조방법에 관한 것이다.