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公开(公告)号：KR101851336B1
公开(公告)日：2018-04-23
申请号：KR1020160148862
申请日：2016-11-09
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: B30B11/002 , B30B15/02
Abstract: 본원발명은냉간등방압성형몰드(Cold isostatic pressing mold) 및이를이용한분체의성형방법에대한것으로보다구체적으로는상부및 하부가개구되고내부가비어있으며다수의통공과길이방향의슬릿(slit)이내부와외부를서로통하게형성된몰드본체; 상기몰드본체의상부에결합되는상부캡핑부; 상기몰드본체의하부에결합되는하부캡핑부; 및상기몰드본체, 상부캡핑부및 하부캡핑부에의하여형성되는몰드본체의내부공간에구비되고, 내부에분체를수납하여밀봉이가능하며, 상기슬릿을통하여몸체의일부가몰드본체의외부에위치하는진공팩을포함하여구성되는냉간등방압성형몰드및 이를이용한분체의성형방법에대한것이다.
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公开(公告)号：KR1020150062232A
公开(公告)日：2015-06-08
申请号：KR1020130146376
申请日：2013-11-28
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C09K11/08 , C09K11/7734
Abstract: 본발명은질소함유용제에금속재료및 광화제를용해시킨뒤 400 내지 800℃의온도및 1000 내지 3000bar의압력을가해주어질화물형광체분말을제조하는방법및 상기방법으로제조된질화물형광체분말에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物荧光体粉末的制造方法，该方法具有将金属材料和矿化剂溶解在含氮溶剂中的步骤; 在1000〜3000巴，400〜800摄氏度的压力下加压氮化物荧光粉，以及由化学品1表示的氮化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，包括以下工序：（1）将金属材料和矿化剂注入 反应容器 （2）冷却反应容器; （3）将氮气溶剂注入冷却的反应容器中; 和（4）用具有氮气的溶剂对反应性容器进行加热和加压。
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公开(公告)号：KR101458878B1
公开(公告)日：2014-11-07
申请号：KR1020130020560
申请日：2013-02-26
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: Y02P20/544
Abstract: 본 발명은 고순도의 Ⅲ족 질화물 결정체 분말을 연속으로 제조하는 방법에 있어서, 기존의 암모노써멀 합성 대비 반응 용기의 체결 및 이송 공정을 줄이고 반응 용기를 외부 대기와 단절시켜 산소와 수분에 의한 오염을 최소화 시킬 수 있으며, 온도를 일정하게 유지한 상태로 원료를 연속적으로 장입하고, 반응이 종료된 분말을 지속적으로 수집할 수 있어 공정 시간을 획기적으로 단축하면서 생산성이 우수한 암모노써멀 합성 반응 장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020120140279A
公开(公告)日：2012-12-31
申请号：KR1020110059903
申请日：2011-06-21
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: Y02P20/544 , C30B7/10 , B01J3/04
Abstract: PURPOSE: A pressure vessel for growing a single crystal is provided to easily replace a liner by including a constant taper part in the inner wall of an external vessel and an outer wall of an inner liner. CONSTITUTION: A pressure vessel body(120) is made of heat resistant alloy. A liner(110) is made of corrosion resistant materials and is inserted into the pressure vessel body. A lower support stand(130) passes through the lower side of the pressure vessel body and supports the lower side of the liner. A liner is separated from the pressure vessel body by upwardly pushing and raising the lower support stand.
Abstract translation: 目的：提供用于生长单晶的压力容器，以通过在外部容器的内壁和内衬的外壁中包括恒定的锥形部分来容易地更换衬里。 构成：压力容器本体（120）由耐热合金制成。 衬套（110）由耐腐蚀材料制成，并被插入到压力容器本体中。 下支撑支架（130）穿过压力容器主体的下侧并支撑衬套的下侧。 通过向上推动下支撑架将衬套与压力容器本体分开。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020140106248A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020130020560
申请日：2013-02-26
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: Y02P20/544 , C30B7/105
Abstract: The present invention relates to a method for continuously producing a group iii nitride crystal powder, which reduces the process of connection and transport of a reactor over an existing ammonothermal synthesis reaction; minimizes contamination from oxygen and moisture by blocking the reactor from external air; and reduces the processing hours, thereby providing a reactor with excellent productivity for ammonothermal synthesis, by continuously pouring raw materials while maintaining a constant temperature and continuously collecting the powder whose reaction is finished.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于连续生产III族氮化物晶体粉末的方法，其减少了在现有的氨热合成反应器中反应器的连接和运输过程; 通过从外部空气堵塞反应器，最大限度地减少氧气和水分的污染; 并减少加工时间，从而通过连续地浇注原料同时保持恒温并连续收集反应结束的粉末，从而为氨热合成提供了优异的生产率的反应器。
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8.发明授权
公开(公告)号：KR101350706B1
公开(公告)日：2014-01-17
申请号：KR1020110123712
申请日：2011-11-24
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/52 , H01B1/14 , H01B1/20 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 나노사이즈 글래스 프릿이 함유된 전도성 잉크 조성물 및 이를 이용한 태양전지 전면 전극에 관한 것으로, 특히 전도성 잉크를 제조하는 단계에 있어서 사용되는 졸-겔 공정에 의한 나노 사이즈의 글래스 프릿 (glass frit)의 제조 방법을 포함한다. 글래스 프릿은 실리콘 태양전지 전면전극 재료에 필수 성분이며, 잉크젯 프린팅과 같은 비접촉 인쇄공정에 적용 가능 할 수 있도록 금속 전도성 잉크와 함께 높은 분산성을 가질 수 있다. 본 발명은 낮은 비용으로 태양전지 전극 조성물을 제조하고, 비접촉 인쇄공정을 통해 고효율 실리콘 태양전지 제조에 적용 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101336805B1
公开(公告)日：2013-12-03
申请号：KR1020110059903
申请日：2011-06-21
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: Y02P20/544
Abstract: 본 발명은 단결정을 성장하는 압력용기에 있어서, 내열 합금으로 제조되는 압력용기본체, 상기 압력용기본체의 내부에 삽입되는 라이너 및 상기 압력용기본체의 하부로 관통 삽입되어 상기 라이너의 하부를 지지하는 하부지지대를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 압력용기.
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公开(公告)号：KR1020130090151A
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：KR1020120011260
申请日：2012-02-03
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: Y02P20/544 , C30B29/38 , C01B21/00 , C30B7/10
Abstract: PURPOSE: A method for growing a III group nitride single crystal in supercritical ammonia by adding an inert gas is provided to improve purity and quality by preventing impurities from being inputted to the III group nitride single crystal. CONSTITUTION: A III group nitride seed crystal is inputted to a pressure container (10). A mineralizing agent is inputted to the pressure container. The pressure container is sealed (12). An inert gas and a solvent with nitrogen are inputted to the pressure container (14). A III group nitride single crystal is grown by heating the pressure container (18). [Reference numerals] (10) III group containing material, a III group nitride seed crystal, and mineralizing agent are inputted to a pressure container; (12) Pressure container is sealed; (14) Inert gas and a solvent with nitrogen are inputted; (16) Pressure container is heated; (18) III group nitride crystal is grown
Abstract translation: 目的：提供通过添加惰性气体在超临界氨中生长III族氮化物单晶的方法，以通过防止杂质输入到III族氮化物单晶中来提高纯度和质量。 构成：将III族氮化物晶种输入到压力容器（10）。 将矿化剂输入到压力容器。 将压力容器密封（12）。 将惰性气体和具有氮气的溶剂输入到压力容器（14）。 通过加压压力容器（18）生长III族氮化物单晶。 （10）含III族的材料，III族氮化物晶种和矿化剂输入到压力容器中; （12）压力容器密封; （14）输入惰性气体和具有氮气的溶剂; （16）加压压力容器; （18）III族氮化物晶体生长
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