公开(公告)号：WO2012148085A9

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：PCT/KR2012/002056

申请日：2012-03-22

Applicant: 한국화학연구원 ,  정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  정석종 ,  정인경 ,  전동주 ,  임종선 ,  이창완

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  정석종 ,  정인경 ,  전동주 ,  임종선 ,  이창완

IPC: C07F9/90 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물과 이를 이용하여 안티몬을 포함하는 박막을 제조하는 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물은 Sb[O-A-NR1R2]3으로 나타낼 수 있고, 상기 식에서, A는 C1-C10 선형 또는 분지형 알킬기로 치환 또는 비치환된 C2-C5의 알킬렌이고; R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다. 본 발명에 따르면, 품질이 우수한 박막을 제조할 수 있는 안티몬 전구체를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR101306007B1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：KR1020120013515

申请日：2012-02-10

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이영국 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  심장보 ,  박보근 ,  이창완

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16

Abstract: 본 발명은 화학기상증착법을 이용하여 기판 상부에 Sb 증착막을 형성하는 단계; 및 Te 증착막을 형성하는 단계;를 교번하여 수행하는 Sb-Te계 열전박막을 증착 방법이며, Sb 증착 및 Te 증착 단계에서 플라즈마를 발생하는 Sb-Te계 열전박막의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020130104627A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：KR1020120026274

申请日：2012-03-14

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  전동주 ,  임종선 ,  정석종 ,  이창완

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A method for forming a thin film including Sb with an atomic layer deposition method is provided to improve productivity by forming the thin film including Sb at low temperatures through an atomic layer deposition process using a Sb precursor. CONSTITUTION: A substrate is prepared in a vacuum chamber. A Sb precursor material is prepared. A source gas is prepared by the Sb precursor material. A reactive gas including a hydrogen gas is prepared. A purge gas is prepared. A metal precursor gas is prepared by a metal precursor material. A thin film of a Sb-metal monolayer is formed on the substrate by successively supplying the source gas, the reactive gas, the purge gas, and the metal precursor gas to the vacuum chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种通过原子层沉积法形成包含Sb的薄膜的方法，以通过使用Sb前体的原子层沉积工艺在低温下形成包含Sb的薄膜来提高生产率。 构成：在真空室中制备基材。 制备Sb前体材料。 源气体由Sb前体材料制备。 制备包括氢气的反应气体。 准备吹扫气体。 通过金属前体材料制备金属前体气体。 通过将源气体，反应气体，吹扫气体和金属前体气体依次供给到真空室，在基板上形成Sb-金属单层薄膜。

公开(公告)号：KR1020130092053A

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：KR1020120013515

申请日：2012-02-10

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이영국 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  심장보 ,  박보근 ,  이창완

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16

CPC classification number: H01L35/12 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/24 ,  H01L35/34

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an Sb-Te-based thermoelectric thin film is provided to obtain an Sb-Te-based thermoelectric material having an excellent ZT value by using a low temperature chemical deposition method without a thermal process or a post process. CONSTITUTION: An Sb deposition layer is formed on the upper part of a substrate. An Sb precursor is supplied to a chamber. The inside of the chamber is purged by using a purge gas. A reaction gas is supplied to the purged chamber. The inside of the chamber is purged by using the purge gas.

Abstract translation: 目的：提供一种制造Sb-Te类热电薄膜的方法，通过使用不具有热处理或后处理的低温化学沉积方法来获得具有优异ZT值的Sb-Te系热电材料。 构成：在基板的上部形成Sb沉积层。 将Sb前体供应到室。 通过使用吹扫气体清洗室的内部。 反应气体被供应到清洗室。 通过使用吹扫气体清洗室的内部。

公开(公告)号：KR101335019B1

公开(公告)日：2013-12-02

申请号：KR1020120026274

申请日：2012-03-14

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  전동주 ,  임종선 ,  정석종 ,  이창완

IPC: H01L21/205

Abstract: 안티몬 박막의 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 안티몬 박막의 제조 방법은 진공 챔버 내에 기판을 준비하는 단계; 안티몬 전구체 물질을 준비하는 단계; 상기 안티몬 전구체 물질로 소스가스를 준비하는 단계; 수소 가스를 포함하는 반응가스를 준비하는 단계; 퍼지가스를 준비하는 단계; 금속 전구체 물질로 금속 전구체 가스를 준비하는 단계; 및 상기 진공챔버 내에 상기 소스가스, 반응가스, 퍼지가스 및 상기 금속 전구체 가스를 순차적으로 공급하는 1사이클의 공정을 실시하여 상기 기판 상에 안티몬-금속의 단원자층 박막을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 안티몬 전구체 물질은 다음 화학식 1로 표시되는 안티몬 아미노알콕사이드인 것을 특징으로 하는 안티몬 박막의 제조 방법: [화학식 1] Sb[OA-NR
1 R
2 ]
3 상기 식 중, A는 C
1 내지 C
10 의 선형 또는 분지형 알킬기로 치환 또는 비치환된 C
2 내지 C
5 의 알킬렌이고; R
1 및 R
2 는 각각 독립적으로 C
1 내지 C
10 의 선형 또는 분지형 알킬기이다.