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公开(公告)号：KR101506640B1
公开(公告)日：2015-03-27
申请号：KR1020140015358
申请日：2014-02-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/131 , H01M10/052
Abstract: 본 발명은 전도성 물질을 이용한 리튬이차전지용 전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게 표면 대전 전위가 제어 가능함에 따라 복합화 소재를 이용한 전극 소재로서 사용될 수 있는 나노 금속 산화물을 제조하여 보다 쉽게 물리적 혼성화가 가능하며 이는 표면 전위 상태가 상이한 타 이종 화합물과의 복합화를 통하여 고용량을 가지면서 출력 특성이 우수한 리튬이차전지용 전극 소재를 제조하는 방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用导电材料的锂二次电池用电极及其制备方法。 根据本发明，制备纳米金属氧化物，其可以通过允许表面电荷势控制而使用复合材料用作电极材料，这有利于物理杂化，并且这与具有不同表面电位状态的另一种非均相化合物组合 使得可以以高水平的容量和输出特性制备用于锂二次电池的电极材料。 根据本发明的方法包括：a）制备含有金属氧化物前体，氧化剂和第一导电材料的混合溶液的步骤; b）通过混合溶液的水热反应制备表面处理的纳米金属氧化物的步骤; c）通过向表面处理的纳米金属氧化物中加入第二导电材料然后在其上进行还原热处理来制备电极活性材料的步骤; d）制备在电极活性材料中含有碳基材料和粘合剂的电极浆料的步骤; 以及e）通过将电极浆料涂敷在基材上来制备电极的步骤。
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22.发明授权
公开(公告)号：KR101418276B1
公开(公告)日：2014-07-15
申请号：KR1020120136344
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: H05K1/097 , B05D3/02 , B05D3/0254 , B05D5/12 , H05K3/1275 , H05K3/1283 , H05K2203/086
Abstract: 본 발명은 a) 금속 전구체, 산, 아민 및 환원제를 포함하는 제1 용액을 가열 및 교반하여 표면 산화막 형성이 제어된 금속 나노입자를 합성하는 단계, b) 상기 a) 단계에서 생성된 금속 나노입자를 비수계 용매에 분산시켜 전도성 잉크 조성물을 제조하는 단계, c) 상기 전도성 잉크 조성물을 절연성 기판에 도포하는 단계 및 d) 잉크 조성물이 도포된 절연성 기판을 열처리하여 금속 전도성 박막을 형성하는 단계를 포함하는 금속 전도성 박막의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 금속 전도성 박막 제조방법은 기존의 귀금속 나노입자 기반의 전도성 잉크 조성물에 비해 저가, 대면적 전도성 박막 제조공정을 가능케 할뿐만 아니라, 표면 산화막의 제어를 통해 우수한 전도도를 가지는 금속 전도성 박막의 제조방법을 제공한다.-
公开(公告)号：KR101395779B1
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020130040135
申请日：2013-04-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/00 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양전지 광활성층의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명의 제조방법은 a) 11족 금속의 제1칼코젠화합물 및 상기 제1칼코젠화합물보다 낮은 융점을 갖는 11족 금속의 제2칼코젠화합물이 단일한 입자 내에 혼재된 복합 입자 및 12족 내지 14족에서 하나 또는 둘 이상 선택된 원소의 제3칼코젠화합물을 함유하는 잉크를 기판에 도포하여 도포막을 형성하는 단계; 및 b) 상기 도포막을 열처리하여 구리 및 12족 내지 14족에서 하나 또는 둘 이상 선택된 원소의 다원 칼코젠화합물 막을 제조하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130116197A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：KR1020130040111
申请日：2013-04-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/00 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/042 , C09D11/00
Abstract: PURPOSE: Ink is provided to produce a semiconductor compound based photoactive layer in a single phase by a low temperature heat-processing at a temperature lower than 550°C, which is a process allowable temperature. CONSTITUTION: Ink contains the following: a composite particle which contains a first chalcogen compound of 11th group, and a second chalcogen compound of the 11th group with the lower melting point than the first chalcogen compound; and a precursor of more than one element selected from 12-14th group. The melting point of the second chalcogen compound is 220-550°C. A production method of a solar cell photoactive layer comprises a step of forming a coating film by coating the ink on a substrate, and a step of heat-processing the coating film.
Abstract translation: 目的：提供油墨以通过在低于550℃的温度下进行的低温热处理在单相中制造半导体化合物基光活性层，这是工艺允许温度。 构成：油墨含有如下：含有第11组第一硫属化合物的复合颗粒和第11组熔点比第一硫属化合物低的第二硫属化合物; 以及选自第12-14组的多于一种元素的前体。 第二硫属化合物的熔点为220-550℃。 太阳能电池光活性层的制造方法包括通过在基板上涂布油墨而形成涂膜的工序和对涂膜进行热处理的工序。
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公开(公告)号：KR1020130116031A
公开(公告)日：2013-10-22
申请号：KR1020130040135
申请日：2013-04-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/00 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/042 , C09D11/00
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a photoactive layer is comprises to be able to manufacture multi-source chalcogen compound (a photoactive layer) with high quality through simple, safe and convenient processes, or to be able to manufacture a photoactive layer made of coarse grains, having an excellent compositional stability and uniformity, and an elaborate fine structure. CONSTITUTION: Ink includes composite particles in which a first chalcogen compound of a metal of group 11, and a second chalcogen compound of a metal of group 11, which has a lower melting point than the first chalcogen compound, are mixed in a single particle; and a third chalcogen compound of one or more than two selected from group 12-14. A manufacturing method of a photoactive layer for a solar cell comprises (i) a step of forming a coated film by coating the ink on a substrate; and (ii) a step of manufacturing a multi-source chalcogen compound film of a metal of group 11, and one or more than two elements selected from group 12-14, by heat-treating the coated film.
Abstract translation: 目的：光活性层的制造方法包括能够通过简单，安全和方便的工艺制造高品质的多源硫属化合物（光活性层），或者能够制造由粗颗粒制成的光活性层 具有良好的组成稳定性和均匀性，精细的结构。 构成：油墨包括复合颗粒，其中第一种硫族金属的第一种硫属化合物和第11族金属的第二种硫属化合物，其熔点低于第一种硫属化合物，在单一颗粒中混合; 和选自12-14族的一个或多于两个的第三种硫属化合物。 一种用于太阳能电池的光敏层的制造方法包括：（i）通过在基板上涂覆油墨来形成涂膜的步骤; 和（ii）通过热处理涂膜，制备11族金属的多源硫属化合物膜和选自12-14族中的一种或多种元素的步骤。
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Patent Agency Ranking26.发明授权
公开(公告)号：KR101246056B1
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020100112296
申请日：2010-11-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07D403/06 , A61K31/496 , A61P25/00
Abstract: 본 발명은 피라졸부틸 화합물, 이의 제조방법 및 이를 함유하는 약학적 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 피라졸부틸 화합물은 도파민 D
4 수용체 친화력이 우수하고, 중추신경계 질환, 구체적으로는 정신분열증, 주의력결핍 과잉행동장애, 우울증, 스트레스성 질환, 공황장애, 공포증, 강박장애, 외상후 스트레스장애, 인식장애, 알츠하이머병, 파킨슨병, 불안증, 망상분열증, 열광증, 경련장애, 인격장애, 편두통, 약물중독, 알코올 중독, 비만, 섭식 장애, 수면장애 등의 치료 및 예방제로 유용하다.-
公开(公告)号：KR1020120117587A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR1020110035415
申请日：2011-04-15
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0445 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a Cl(G)S thin film by a Se low temperature deposition heat treatment is provided to obtain a high electric property by densifying the Cl(G)S thin film. CONSTITUTION: Se is deposited on a thin film including Cl(G)S sample heated at 60 to 150 degrees centigrade. A thin film including the Cl(G)S sample with Se is thermally treated at 300 to 600 degrees centigrade. The Cl(G)S sample includes a precursor which is transformed into Cl(G)S materials or Cl(G)S. [Reference numerals] (AA) Depositing Se vapor on the surface and the inner side of Cl(G)S sample including a precursor which is transformed into Cl(G)S materials or Cl(G)S at 60°C~150°C; (BB) Additionally thermally processing Se deposited Cl(G)S sample at 300°C~600°C by controlling steam pressure; (CC) Cooling at room temperature
Abstract translation: 目的：提供通过Se低温沉积热处理制造Cl（G）S薄膜的方法，以通过使Cl（G）S薄膜致密化来获得高电性能。 构成：Se沉积在包括在60至150摄氏度加热的Cl（G）S样品的薄膜上。 包括具有Se的Cl（G）S样品的薄膜在300至600摄氏度下进行热处理。 Cl（G）S样品包括转化为Cl（G）S材料或Cl（G）S的前体。 （AA）在包含前体的Cl（G）S样品的表面和内侧上沉积Se蒸气，其在60℃〜150℃下转化为Cl（G）S材料或Cl（G）S C; （BB）另外通过控制蒸汽压力在300℃〜600℃热处理Se沉积的Cl（G）S样品; （CC）在室温下冷却
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28.发明授权
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29.发明公开
公开(公告)号：KR1020110024157A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090082043
申请日：2009-09-01
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing low temperature water-based copper-indium-(gallium-)selenide(CuIn_xGa_1-xSe_2) nano particles is provided to use carboxylic acid derivative in order to be eco-friendly implemented. CONSTITUTION: A copper complex is prepared by reacting a copper compound and carboxylic acid derivative, represented by chemical formula 1, in an aqueous solvent. A selenium compound is introduced into the copper complex solution, and a copper-selenium complex is prepared. An indium compound is introduced into a copper-selenium complex solution. Copper-indium-(gallium-)selenium nano particles are prepared.
Abstract translation: 目的：提供一种制造低温水性铜铟 - （ - 硒化镓）（CuIn_xGa_1-xSe_2）纳米颗粒的方法，以使用羧酸衍生物进行环保实施。 构成：通过将化合物1表示的铜化合物和羧酸衍生物在水性溶剂中反应制备铜络合物。 将硒化合物引入铜络合物溶液中，并制备铜 - 硒络合物。 将铟化合物引入铜 - 硒络合物溶液中。 制备了铜 - 铟 - （镓）硒纳米颗粒。
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