감광성 유리를 이용한 EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법

    公开(公告)号:KR101860987B1

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:KR1020150128214

    申请日:2015-09-10

    Abstract: 감광성유리를이용한 EUV 리소그래피용펠리클제조방법을제공한다. EUV 리소그래피용펠리클제조방법은감광성유리단일층의제1 영역을노광및 어닐링하는단계, 상기감광성유리단일층의하부에씨드층을형성하는단계, 상기씨드층의하부에멤브레인을형성하는단계및 상기제1 영역및 상기제1 영역의하부에위치하는씨드층영역인제2 영역을식각하여제거하는단계를포함할수 있다. 따라서, 감광성유리(photosensitive glass)가자외선조사여부에따라 HF 식각용액에대한식각선택비가크게차이난다는점을이용하여, 공정의단순화및 재현성이확보된 EUV 리소그래피용펠리클제조방법을제공할수 있다.

    저항 메모리 소자에서 전극 생성 방법
    25.
    发明授权
    저항 메모리 소자에서 전극 생성 방법 有权
    电阻式存储器件中制造电极的方法

    公开(公告)号:KR101570605B1

    公开(公告)日:2015-11-20

    申请号:KR1020140062535

    申请日:2014-05-23

    CPC classification number: H01L21/283 H01L21/324 H01L21/4867 H01L21/565

    Abstract: 저항메모리소자에서전극생성방법은미리설정된패턴이음각된표면을포함하는폴리머몰드(polymer mold)를형성하는단계; 상기미리설정된패턴이음각된표면중 상기미리설정된패턴이음각된영역에금속나노파티클(metal nano particle)을채우는단계; 전사대상이되는대상판에상기금속나노파티클이채워진상기폴리머몰드를임프린팅(imprinting)하는단계; 및상기폴리머몰드를제거하여상기대상판에상기금속나노파티클로형성된전극을생성하는단계를포함한다.

    Abstract translation: 一种用于在电阻式存储器件中产生电极的方法包括以下步骤:形成其上具有预设图案的表面的聚合物模具; 填充预设图案与纳米金属颗粒相似的表面区域; 将聚合物模具印刷在作为待转印对象的靶板上,其中聚合物模具填充有纳米金属颗粒; 以及通过消除由纳米金属颗粒形成电极的聚合物模具,在目标板上产生电极。

    EUV 리소그래피용 펠리클
    26.
    发明公开
    EUV 리소그래피용 펠리클 有权
    用于EUV LITHOGRAPHY的PELLICLE

    公开(公告)号:KR1020150121292A

    公开(公告)日:2015-10-29

    申请号:KR1020140046210

    申请日:2014-04-17

    CPC classification number: G03F1/64 G03F1/22 G03F1/24 G03F1/62 G03F1/66

    Abstract: EUV 리소그래피용펠리클을제공한다. EUV 리소그래피용펠리클은소광계수가 0.02 이하인무기물을포함하는제1 무기물층, 상기제1 무기물층상에위치하고, 카테콜계열의작용기를갖는유기물을포함하는제1 결합층및 상기제1 결합층상에위치하고, 탄소나노구조체를포함하는강도보강층을포함할수 있다. 이때의제1 결합층은상기제1 무기물층과상기강도보강층의결합력을강화시키는것을특징으로한다. 따라서, 탄소나노구조체를포함하는강도보강층을구비함으로써펠리클막의강도를향상시킬수 있다. 또한, 무기물층과강도보강층의사이에유기물을포함하는결합층을삽입함으로써, 무기물층과강도보강층사이의결합력을강화시킬수 있고, 나아가유기물층의연성을이용하여무기물층의취성을보강해줄 수있다.

    Abstract translation: 提供了用于EUV光刻的防护薄膜组件。 用于EUV光刻的防护薄膜组件包括:包含消光系数为0.02以下的有机材料的第一无机材料层; 在所述第一无机材料层上的第一耦合层位置,并且包括具有儿茶酚基官能团的有机材料; 以及位于所述第一耦合层上并包括碳纳米结构的强度增强层。 此时,第一耦合层增强了第一无机材料层和强度增强层之间的耦合力。 因此,本发明设置包含碳纳米结构的强度增强层,从而提高防护薄膜的强度。 此外,本发明在无机材料层和强化层之间插入包括有机材料在内的耦合层,从而增强了无机层与强化层之间的耦合力,并且还利用延展性增强了无机层的脆性 的有机材料层。

    극자외선 노광 공정용 마스크
    27.
    发明授权
    극자외선 노광 공정용 마스크 有权
    极端紫外线曝光过程的面具

    公开(公告)号:KR101490603B1

    公开(公告)日:2015-02-09

    申请号:KR1020130082688

    申请日:2013-07-15

    Abstract: 극자외선 노광 공정용 마스크가 제공된다. 상기 마스크는, 기판 상에 교대로 그리고 반복적으로 적층된 제1 물질막 및 제2 물질막을 포함하는 반사막, 상기 반사막 상에 배치된 위상 변조 패턴, 및 상기 위상 변조 패턴 상에 배치되고, 백금족 화합물을 포함하는 흡수 패턴을 포함한다.

    Abstract translation: 提供了用于极端紫外线曝光工艺的掩模。 该掩模包括:反射膜,其包括交替地且重复地堆叠在衬底上的第一材料膜和第二材料膜;设置在反射膜上的相位调制图案;以及设置在相位调制图案上的相变材料, 等等。

    광결정 구조체, 이를 포함하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법
    28.
    发明授权
    광결정 구조체, 이를 포함하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법 有权
    光子晶体结构和发光二极管的制造方法及其制造方法

    公开(公告)号:KR101325323B1

    公开(公告)日:2013-11-08

    申请号:KR1020120033815

    申请日:2012-04-02

    Inventor: 안진호 고기영

    Abstract: 광결정 구조체, 이를 포함하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법이 제공된다. 광결정 구조체는 상부에 형성된 나노 패턴 내부에 색변환 나노입자 및 광산란 나노입자를 함께 함유하며, 광산란 나노입자는 색변환 나노입자들 사이에 분포되어, 색변환 나노입자들 간의 밀집을 억제할 수 있다. 또한, 광결정 구조체를 포함하는 발광 다이오드는 규칙적으로 형성되는 나노 패턴 내부에 색변환 나노입자와 광산란 나노입자를 함유하는 광결정 구조체를 구비하며, 광산란 나노입자는 색변환 나노입자들 사이에 분포되어, 파장변환된 광이 진행하는 통로로서의 역할을 수행할 수 있어 발광 효율이 향상된다. 또한, 광결정의 제조방법은 역 나노 임프린트 리소그래피 공정을 이용하여 간단하고 용이하게 발광 다이오드 상에 직접 광결정 구조체를 형성할 수 있다.

    광추출 효율이 향상된 2차원 광결정 구조체 및 이의 제조방법
    29.
    发明公开
    광추출 효율이 향상된 2차원 광결정 구조체 및 이의 제조방법 有权
    具有改进的光提取效率的二维光子晶体结构及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020120119162A

    公开(公告)日:2012-10-30

    申请号:KR1020110036951

    申请日:2011-04-20

    Abstract: PURPOSE: A two dimensional photonic crystal structure and a manufacturing method thereof are provided to improve light extraction by forming a dielectric layer with high refractive index on photonic crystal nano-pattern. CONSTITUTION: A two dimensional photonic crystal structure comprises a substrate(100), a fluorescent film(120), photonic crystal nano-patterns(140) and dielectric films(150). The fluorescent film is formed on top of the substrate. The photonic crystal nano-pattern is formed on the fluorescent film. The dielectric film is formed along the photonic crystal nano-pattern and supports the photonic crystal nano-pattern. A manufacturing method of the two dimensional photonic crystal structure comprises the following steps: forming sol solution which includes metal oxide nano-particle on a mold in which the nano-pattern is formed; forming a water-film on top of the substrate; forming the photonic crystal nano-pattern by transcribing the sol solution on top of the substrate; removing the mold from the substrate; and forming the dielectric film along the photonic crystal nano-pattern.

    Abstract translation: 目的:提供二维光子晶体结构及其制造方法,以通过在光子晶体纳米图案上形成具有高折射率的介电层来改善光提取。 构成:二维光子晶体结构包括衬底(100),荧光膜(120),光子晶体纳米图案(140)和电介质膜(150)。 荧光膜形成在基板的顶部。 在荧光膜上形成光子晶体纳米图案。 电介质膜沿光子晶体纳米图案形成,并支持光子晶体纳米图案。 二维光子晶体结构的制造方法包括以下步骤:在其中形成纳米图案的模具上形成包含金属氧化物纳米颗粒的溶胶溶液; 在基板的顶部形成水膜; 通过将溶胶溶液转印到基底上形成光子晶体纳米图案; 从基板上取出模具; 并沿着光子晶体纳米图形成电介质膜。

Patent Agency Ranking